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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
442281GN13REDRESSEUR DE JONCTION PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR DE BÂTIGOOD-ARK Electronics
442282GN1ALE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTIONEIC discrete Semiconductors
442283GN1AREDRESSEUR DE JONCTION PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR DE BÂTIGOOD-ARK Electronics
442284GN1A3QTransistor hybrideNEC
442285GN1A3Q-T1Transistor hybrideNEC
442286GN1A3Q-T2Transistor hybrideNEC
442287GN1A4MTRANSISTOR du TYPE Intégré PNP de VITESSE de RÉSISTANCE MOYENNE de COMMUTATIONNEC
442288GN1A4M-T1Transistor hybrideNEC
442289GN1A4M-T2Transistor hybrideNEC
442290GN1A4PTRANSISTOR du TYPE Intégré PNP de VITESSE de RÉSISTANCE MOYENNE de COMMUTATIONNEC
442291GN1A4P-T1Transistor hybrideNEC
442292GN1A4P-T2Transistor hybrideNEC
442293GN1A4ZTRANSISTOR du TYPE Intégré PNP de VITESSE de RÉSISTANCE MOYENNE de COMMUTATIONNEC
442294GN1A4Z-T1Transistor hybrideNEC
442295GN1A4Z-T2Transistor hybrideNEC
442296GN1BLE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTIONEIC discrete Semiconductors
442297GN1BREDRESSEUR DE JONCTION PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR DE BÂTIGOOD-ARK Electronics
442298GN1DLE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTIONEIC discrete Semiconductors
442299GN1DREDRESSEUR DE JONCTION PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR DE BÂTIGOOD-ARK Electronics



442300GN1F4MTRANSISTOR du TYPE Intégré PNP de VITESSE de RÉSISTANCE MOYENNE de COMMUTATIONNEC
442301GN1F4M-T1Transistor hybrideNEC
442302GN1F4M-T2Transistor hybrideNEC
442303GN1F4NTRANSISTOR du TYPE Intégré PNP de VITESSE de RÉSISTANCE MOYENNE de COMMUTATIONNEC
442304GN1F4N-T1Transistor hybrideNEC
442305GN1F4N-T2Transistor hybrideNEC
442306GN1F4ZTRANSISTOR du TYPE Intégré PNP de VITESSE de RÉSISTANCE MOYENNE de COMMUTATIONNEC
442307GN1F4Z-T1Transistor hybrideNEC
442308GN1F4Z-T2Transistor hybrideNEC
442309GN1GLE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTIONEIC discrete Semiconductors
442310GN1GREDRESSEUR DE JONCTION PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR DE BÂTIGOOD-ARK Electronics
442311GN1JLE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTIONEIC discrete Semiconductors
442312GN1JREDRESSEUR DE JONCTION PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR DE BÂTIGOOD-ARK Electronics
442313GN1KLE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTIONEIC discrete Semiconductors
442314GN1KREDRESSEUR DE JONCTION PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR DE BÂTIGOOD-ARK Electronics
442315GN1L3MTRANSISTOR du TYPE Intégré PNP de VITESSE de RÉSISTANCE MOYENNE de COMMUTATIONNEC
442316GN1L3M-T1Transistor hybrideNEC
442317GN1L3M-T2Transistor hybrideNEC
442318GN1L3NTRANSISTOR du TYPE Intégré PNP de VITESSE de RÉSISTANCE MOYENNE de COMMUTATIONNEC
442319GN1L3N-T1Transistor hybrideNEC
442320GN1L3N-T2Transistor hybrideNEC
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