| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 442361 | GN4A3Q | TYPE TRANSISTOR DE LA RÉSISTANCE BUILT-IN DE PNP | NEC |
| 442362 | GN4A4L | TYPE TRANSISTOR DE LA RÉSISTANCE BUILT-IN DE PNP | NEC |
| 442363 | GN4A4M | TYPE TRANSISTOR DE LA RÉSISTANCE BUILT-IN DE PNP | NEC |
| 442364 | GN4A4P | TYPE TRANSISTOR DE LA RÉSISTANCE BUILT-IN DE PNP | NEC |
| 442365 | GN4A4Z | TYPE TRANSISTOR DE LA RÉSISTANCE BUILT-IN DE PNP | NEC |
| 442366 | GN4F3M | TYPE TRANSISTOR DE LA RÉSISTANCE BUILT-IN DE PNP | NEC |
| 442367 | GN4F3P | TYPE TRANSISTOR DE LA RÉSISTANCE BUILT-IN DE PNP | NEC |
| 442368 | GN4F3R | TYPE TRANSISTOR DE LA RÉSISTANCE BUILT-IN DE PNP | NEC |
| 442369 | GN4F4M | TYPE TRANSISTOR DE LA RÉSISTANCE BUILT-IN DE PNP | NEC |
| 442370 | GN4F4N | TYPE TRANSISTOR DE LA RÉSISTANCE BUILT-IN DE PNP | NEC |
| 442371 | GN4F4Z | TYPE TRANSISTOR DE LA RÉSISTANCE BUILT-IN DE PNP | NEC |
| 442372 | GN4L3M | TYPE TRANSISTOR DE LA RÉSISTANCE BUILT-IN DE PNP | NEC |
| 442373 | GN4L3N | TYPE TRANSISTOR DE LA RÉSISTANCE BUILT-IN DE PNP | NEC |
| 442374 | GN4L3Z | TYPE TRANSISTOR DE LA RÉSISTANCE BUILT-IN DE PNP | NEC |
| 442375 | GN4L4K | TYPE TRANSISTOR DE LA RÉSISTANCE BUILT-IN DE PNP | NEC |
| 442376 | GN4L4L | TYPE TRANSISTOR DE LA RÉSISTANCE BUILT-IN DE PNP | NEC |
| 442377 | GN4L4M | TYPE TRANSISTOR DE LA RÉSISTANCE BUILT-IN DE PNP | NEC |
| 442378 | GN4L4Z | TYPE TRANSISTOR DE LA RÉSISTANCE BUILT-IN DE PNP | NEC |
| 442379 | GN8061 | IC De GaAs | Panasonic |
| 442380 | GN8062 | IC De GaAs | Panasonic |
| 442381 | GNOA | LE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTION | EIC discrete Semiconductors |
| 442382 | GNOA | REDRESSEUR DE JONCTION PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR DE BÂTI | GOOD-ARK Electronics |
| 442383 | GNOB | LE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTION | EIC discrete Semiconductors |
| 442384 | GNOB | REDRESSEUR DE JONCTION PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR DE BÂTI | GOOD-ARK Electronics |
| 442385 | GNOD | LE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTION | EIC discrete Semiconductors |
| 442386 | GNOD | REDRESSEUR DE JONCTION PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR DE BÂTI | GOOD-ARK Electronics |
| 442387 | GNOE | LE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTION | EIC discrete Semiconductors |
| 442388 | GNOE | REDRESSEUR DE JONCTION PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR DE BÂTI | GOOD-ARK Electronics |
| 442389 | GNOG | LE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTION | EIC discrete Semiconductors |
| 442390 | GNOG | REDRESSEUR DE JONCTION PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR DE BÂTI | GOOD-ARK Electronics |
| 442391 | GNOH | LE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTION | EIC discrete Semiconductors |
| 442392 | GNOH | REDRESSEUR DE JONCTION PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR DE BÂTI | GOOD-ARK Electronics |
| 442393 | GNOJ | LE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTION | EIC discrete Semiconductors |
| 442394 | GNOJ | REDRESSEUR DE JONCTION PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR DE BÂTI | GOOD-ARK Electronics |
| 442395 | GNOK | LE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTION | EIC discrete Semiconductors |
| 442396 | GNOK | REDRESSEUR DE JONCTION PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR DE BÂTI | GOOD-ARK Electronics |
| 442397 | GNOM | LE VERRE A PASSIVÉ LE BÂTI DE SURFACE DE SILICIUM DE JONCTION | EIC discrete Semiconductors |
| 442398 | GNOM | REDRESSEUR DE JONCTION PASSIVÉ PAR VERRE EXTÉRIEUR DE BÂTI | GOOD-ARK Electronics |
| 442399 | GNR05D101K | Varistance. | Ceramate |
| 442400 | GNR05D121K | Varistance. | Ceramate |
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