Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
45281 | 2N3486 | Polarité PNP De la Géométrie 0600 Du Type 2C2907A De Morceau | Semicoa Semiconductor |
45282 | 2N3486A | Transistor de PNP | Microsemi |
45283 | 2N3486A | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
45284 | 2N3486A | Polarité PNP De la Géométrie 0600 Du Type 2C2907A De Morceau | Semicoa Semiconductor |
45285 | 2N3494 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
45286 | 2N3495 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
45287 | 2N3496 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
45288 | 2N3496 | 0.400W usage général PNP métal peut transistor. 80V VCEO, 0.100A Ic, 35 hFE. | Continental Device India Limited |
45289 | 2N3497 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
45290 | 2N3497 | Dactylographiez 2N3498 La Polarité NPN De la Géométrie 5620 | Semicoa Semiconductor |
45291 | 2N3497 | 0.400W usage général PNP métal peut transistor. 120V VCEO, 0.100A Ic, 35 hFE. | Continental Device India Limited |
45292 | 2N3498 | Transistor de NPN | Microsemi |
45293 | 2N3498 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
45294 | 2N3498 | Polarité NPN De la Géométrie 5620 Du Type 2C3501 De Morceau | Semicoa Semiconductor |
45295 | 2N3498 | 1.000W RF NPN métal peut transistor. 100V VCEO, 0,500A Ic, 20 hFE. | Continental Device India Limited |
45296 | 2N3498L | Transistor de NPN | Microsemi |
45297 | 2N3498L | Polarité NPN De la Géométrie 5620 Du Type 2C3501 De Morceau | Semicoa Semiconductor |
45298 | 2N3499 | Transistor de NPN | Microsemi |
45299 | 2N3499 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
45300 | 2N3499 | Polarité NPN De la Géométrie 5620 Du Type 2C3501 De Morceau | Semicoa Semiconductor |
45301 | 2N3499 | 1.000W RF NPN métal peut transistor. 100V VCEO, 0,500A Ic, 35 hFE. | Continental Device India Limited |
45302 | 2N3499L | Transistor de NPN | Microsemi |
45303 | 2N3499L | Polarité NPN De la Géométrie 5620 Du Type 2C3501 De Morceau | Semicoa Semiconductor |
45304 | 2N3500 | Transistor de NPN | Microsemi |
45305 | 2N3500 | TRANSISTOR TOUT USAGE (SILICIUM DE NPN) | Boca Semiconductor Corporation |
45306 | 2N3500 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
45307 | 2N3500 | Polarité NPN De la Géométrie 5620 Du Type 2C3501 De Morceau | Semicoa Semiconductor |
45308 | 2N3500 | 1.000W RF NPN métal peut transistor. 150V VCEO, 0.300A Ic, 20 hFE. | Continental Device India Limited |
45309 | 2N3500L | Transistor de NPN | Microsemi |
45310 | 2N3500L | Polarité NPN De la Géométrie 5620 Du Type 2C3501 De Morceau | Semicoa Semiconductor |
45311 | 2N3501 | Transistor de NPN | Microsemi |
45312 | 2N3501 | Transistor de NPN | Microsemi |
45313 | 2N3501 | TRANSISTOR TOUT USAGE (SILICIUM DE NPN) | Boca Semiconductor Corporation |
45314 | 2N3501 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal | Central Semiconductor |
45315 | 2N3501 | Polarité NPN De la Géométrie 5620 Du Type 2C3501 De Morceau | Semicoa Semiconductor |
45316 | 2N3501 | 1.000W RF NPN métal peut transistor. 150V VCEO, 0.300A Ic, 35 hFE. | Continental Device India Limited |
45317 | 2N3501CSM4 | HAUTE TENSION, PUISSANCE MOYENNE, TRANSISTOR De NPN DANS Un PAQUET EXTÉRIEUR EN CÉRAMIQUE HERMÉTIQUEMENT SCELLÉ De BÂTI POUR Des APPLICATIONS ÉLEVÉES De FIABILITÉ | SemeLAB |
45318 | 2N3501L | Transistor de NPN | Microsemi |
45319 | 2N3501L | Polarité NPN De la Géométrie 5620 Du Type 2C3501 De Morceau | Semicoa Semiconductor |
45320 | 2N3502 | TRANSISTORS ÉPITAXIAUX PLANAIRES DE SILICIUM DE PNP | SemeLAB |
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