Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
505281 | HSC277 | Commutation À haute fréquence | Hitachi Semiconductor |
505282 | HSC277 | Diodes>Switching | Renesas |
505283 | HSC278 | Diodes de barrière de Schottky pour la détection et le mélangeur | Hitachi Semiconductor |
505284 | HSC278 | Diodes>Switching | Renesas |
505285 | HSC285 | Diodes>Switching | Renesas |
505286 | HSC3417 | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE NPN | Hi-Sincerity Microelectronics |
505287 | HSC3953 | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE NPN | Hi-Sincerity Microelectronics |
505288 | HSC3953S | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE NPN | Hi-Sincerity Microelectronics |
505289 | HSC4242 | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE NPN | Hi-Sincerity Microelectronics |
505290 | HSC5094 | TRANSISTOR BIPOLAIRE DE SILICIUM DE NPN | Hi-Sincerity Microelectronics |
505291 | HSC88 | Diodes de barrière de Schottky pour la détection et le mélangeur | Hitachi Semiconductor |
505292 | HSC88 | Diodes>Switching | Renesas |
505293 | HSC945 | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE NPN | Hi-Sincerity Microelectronics |
505294 | HSC945SP | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE NPN | Hi-Sincerity Microelectronics |
505295 | HSCH-3486 | DIODE POLARISÉE ZÉRO DE SCHOTTKY | Advanced Semiconductor |
505296 | HSCH-9101 | Hsch-9101 · Diodes de barrière de Beamlead GaAs Schottky | Agilent (Hewlett-Packard) |
505297 | HSCH-9161 | Hsch-9161 · Diode polarisée de la vague zéro GaAs Schottky de millimètre | Agilent (Hewlett-Packard) |
505298 | HSCH-9201 | Hsch-9201 · Diodes de barrière de Beamlead GaAs Schottky | Agilent (Hewlett-Packard) |
505299 | HSCH-9251 | Hsch-9251 · Diodes de barrière de Beamlead GaAs Schottky | Agilent (Hewlett-Packard) |
505300 | HSCH-9301 | Hsch-9301 · Diodes de barrière de Beamlead GaAs Schottky | Agilent (Hewlett-Packard) |
505301 | HSCH-9401 | Hsch-9401 · Diodes de barrière de Bondable GaAs Schottky | Agilent (Hewlett-Packard) |
505302 | HSCH-9501 | Hsch-9501 · Diodes de barrière de Bondable GaAs Schottky | Agilent (Hewlett-Packard) |
505303 | HSCH-9551 | Hsch-9551 · Diodes de barrière de Bondable GaAs Schottky | Agilent (Hewlett-Packard) |
505304 | HSCH5531 | DIODE DE SCHOTTKY DE FIL DE FAISCEAU | Advanced Semiconductor |
505305 | HSCJ-HRFCJ-B | Le Sc Dactylographient À Fibre Les Connecteurs Optiques | Hirose Electric |
505306 | HSCJ-HRFCJ-B(51) | Connecteurs Optiques De Fibre De Type de FC | Hirose Electric |
505307 | HSCJ-HRFCJ-C | Le Sc Dactylographient À Fibre Les Connecteurs Optiques | Hirose Electric |
505308 | HSCJ-HSTJ-B | Le Sc Dactylographient À Fibre Les Connecteurs Optiques | Hirose Electric |
505309 | HSCP-HRFCJ-1 | Le Sc Dactylographient À Fibre Les Connecteurs Optiques | Hirose Electric |
505310 | HSCP-HRFCJ-1(51) | Connecteurs Optiques De Fibre De Type de FC | Hirose Electric |
505311 | HSCP-HRFCJ-1AS | Le Sc Dactylographient À Fibre Les Connecteurs Optiques | Hirose Electric |
505312 | HSCP-HRFCJ-1AS(51) | Connecteurs Optiques De Fibre De Type de FC | Hirose Electric |
505313 | HSCP-HRFCJ-2 | Le Sc Dactylographient À Fibre Les Connecteurs Optiques | Hirose Electric |
505314 | HSCP-HRFCJ-2(51) | Connecteurs Optiques De Fibre De Type de FC | Hirose Electric |
505315 | HSCP-HRFCJ-2AS | Le Sc Dactylographient À Fibre Les Connecteurs Optiques | Hirose Electric |
505316 | HSCP-HRFCJ-2AS(51) | Connecteurs Optiques De Fibre De Type de FC | Hirose Electric |
505317 | HSD1159 | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE NPN | Hi-Sincerity Microelectronics |
505318 | HSD1609 | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE NPN | Hi-Sincerity Microelectronics |
505319 | HSD1609S | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE NPN | Hi-Sincerity Microelectronics |
505320 | HSD1616A | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE NPN | Hi-Sincerity Microelectronics |
| | | |