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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
531612SC2060LA PUISSANCE DU PAQUET 1.2W A ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIFAU TRANSISTOR CONÇU POUR L'USAGE AVEC UN PLACEMENT AUTOMATIQUE MECHINEROHM
531622SC2060TO-92MOD Plastique-Encapsulent Des TransistorsUnknow
531632SC2060TRANSISTORS À 92CL TO-92ls MRTROHM
531642SC2060LA PUISSANCE DU PAQUET 1.2W A ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIFAU TRANSISTOR CONÇU POUR L'USAGE AVEC UN PLACEMENT AUTOMATIQUE MECHINEROHM
531652SC2061TRANSISTORS À 92CL TO-92ls MRTROHM
531662SC2061LA PUISSANCE DU PAQUET 1.2W A ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIFAU TRANSISTOR CONÇU POUR L'USAGE AVEC UN PLACEMENT AUTOMATIQUE MECHINEROHM
531672SC2061TRANSISTORS À 92CL TO-92ls MRTROHM
531682SC2061LA PUISSANCE DU PAQUET 1.2W A ATTACHÉ DU RUBAN ADHÉSIFAU TRANSISTOR CONÇU POUR L'USAGE AVEC UN PLACEMENT AUTOMATIQUE MECHINEROHM
531692SC2062S> de transistors; Petit signal Transistors(up bipolaire à 0.6W)ROHM
531702SC2063Transistors Planaires Épitaxiaux De Silicium De l'Amplificateur NPN de RfROHM
531712SC2068SILICIUM NPN TYPE(PCT DIFFUS TRIPLE DE PROCESSUS)TOSHIBA
531722SC2068SILICIUM NPN TYPE(PCT DIFFUS TRIPLE DE PROCESSUS)TOSHIBA
531732SC2073PUISSANCE TRANSISTORS(1.ä, 150v, 25w)MOSPEC Semiconductor
531742SC2073AAMPLIFICATEUR DE PUISSANCE DIFFUS TRIPLE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) ET APPLICATIONS VERTICALES DE RENDEMENTTOSHIBA
531752SC2075PROCESSUS ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN TYPE(PCT)TOSHIBA
531762SC2075PROCESSUS ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPN TYPE(PCT)TOSHIBA
531772SC2076Planaire Épitaxial Du Silicium NPNUnknow
531782SC2076Planaire Épitaxial Du Silicium NPNUnknow



531792SC2076Si NPN épitaxiale planaire. amplificateur RF.Panasonic
531802SC2078Applications Planaires Épitaxiales D'Amplificateur De Puissance Du Transistor 27MHz Rf De Silicium de NPNSANYO
531812SC2085TYPE PLANAIRE DU SILICIUM PNP TRIPLE-DIFFUSEDUnknow
531822SC2085TYPE PLANAIRE DU SILICIUM PNP TRIPLE-DIFFUSEDUnknow
531832SC2085Transistor de puissance - Silicium PNP Triple-diffuse Planar typePanasonic
531842SC2086TRANSISTOR DE PUISSANCE DE MITSUBISHI RFMitsubishi Electric Corporation
531852SC2091AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE À HAUTE FRÉQUENCEUnknow
531862SC2091AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE À HAUTE FRÉQUENCEUnknow
531872SC2092AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE À HAUTE FRÉQUENCEUnknow
531882SC2092AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE À HAUTE FRÉQUENCEUnknow
531892SC2094TRANSISTOR DE PUISSANCE DE MITSUBISHI RFMitsubishi Electric Corporation
531902SC2097TRANSISTOR DE PUISSANCE DE MITSUBISHI RFMitsubishi Electric Corporation
531912SC2098PLANAIRE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPNTOSHIBA
531922SC2098PLANAIRE ÉPITAXIAL DU SILICIUM NPNTOSHIBA
531932SC2099TRANSISTOR (APPLICATIONS LINÉAIRES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE 2~30cMcHz SSB) (BASSE UTILISATION DE TENSION D'CAlimentation)TOSHIBA
531942SC2120Applications audio épitaxiales d'amplificateur de puissance de type du silicium NPN de transistor (processus de PCT)TOSHIBA
531952SC2125ATRANSISTOR DE PUISSANCEShindengen
531962SC2125ATRANSISTOR DE PUISSANCEShindengen
531972SC2127ATRANSISTOR DE PUISSANCEShindengen
531982SC2127ATRANSISTOR DE PUISSANCEShindengen
531992SC2128ATRANSISTOR DE PUISSANCEShindengen
532002SC2128ATRANSISTOR DE PUISSANCEShindengen
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