Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
53201 | 2SC2131 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
53202 | 2SC2133 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
53203 | 2SC2134 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
53204 | 2SC2148 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE BAS DE BRUIT DE MICRO-onde SILICIUM DE L'CAmplificateur NPN | NEC |
53205 | 2SC2149 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE BAS DE BRUIT DE MICRO-onde SILICIUM DE L'CAmplificateur NPN | NEC |
53206 | 2SC2153 | Si NPN plane. amplificateur RF. | Panasonic |
53207 | 2SC2166 | TRANSISTOR DE PUISSANCE PLANAIRE ÉPITAXIAL DE NPN TYPE(rf) | Mitsubishi Electric Corporation |
53208 | 2SC2173 | Applications À FRÉQUENCE ULTRA-haute D'Amplificateur De Puissance De Bande | TOSHIBA |
53209 | 2SC2178 | Applications D'Amplificateur De Puissance De Bande de VHF | TOSHIBA |
53210 | 2SC2188 | Dispositif small-signal - transistor small-signal - amplificateurs à haute fréquence et d'autres | Panasonic |
53211 | 2SC2206 | Dispositif small-signal - transistor small-signal - amplificateurs à haute fréquence et d'autres | Panasonic |
53212 | 2SC2209 | Dispositif De Puissance - Transistors De Puissance - D'autres | Panasonic |
53213 | 2SC2210 | 2SC2210 | SANYO |
53214 | 2SC2210 | 2SC2210 | SANYO |
53215 | 2SC2216 | Image Finale Planaire Épitaxiale Du Type TV Du Silicium NPN De Transistor SI Applications D'Amplificateur | TOSHIBA |
53216 | 2SC22174 | TRANSISTOR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE NPN | NEC |
53217 | 2SC22174 | TRANSISTOR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE NPN | NEC |
53218 | 2SC2218 | TRANSISTOR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE NPN | NEC |
53219 | 2SC2218 | TRANSISTOR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE NPN | NEC |
53220 | 2SC2221 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | Unknow |
53221 | 2SC2221 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | Unknow |
53222 | 2SC2222 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | Unknow |
53223 | 2SC2222 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | Unknow |
53224 | 2SC2223 | MINI MOULE DE L'CAmplificateur NPN DE TRANSISTOR ÉPITAXIAL À HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM | NEC |
53225 | 2SC2223-L | Transistor de silicium | NEC |
53226 | 2SC2223-T1B | Transistor de silicium | NEC |
53227 | 2SC2223-T2B | Transistor de silicium | NEC |
53228 | 2SC2229 | RENDEMENT VISUEL NOIR ET BLANC de TYPE DIFFUS TRIPLE du SILICIUM NPN de TRANSISTOR de TV, Commutation À HAUTE TENSION, Applications Audio D'Amplificateur D'Étape De Conducteur | TOSHIBA |
53229 | 2SC2230 | AMPLIFICATEUR GÉNÉRAL À HAUTE TENSION Diffus Triple De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) ET APPLICATIONS SAINES de RENDEMENT de la CLASSE B de la COULEUR TV | TOSHIBA |
53230 | 2SC2230A | AMPLIFICATEUR GÉNÉRAL À HAUTE TENSION Diffus Triple De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) ET APPLICATIONS SAINES de RENDEMENT de la CLASSE B de la COULEUR TV | TOSHIBA |
53231 | 2SC2231 | SILICIUM NPN TYPE(PCT DIFFUS TRIPLE DE PROCESSUS) | TOSHIBA |
53232 | 2SC2231 | SILICIUM NPN TYPE(PCT DIFFUS TRIPLE DE PROCESSUS) | TOSHIBA |
53233 | 2SC2231A | SILICIUM NPN TYPE(PCT DIFFUS TRIPLE DE PROCESSUS) | TOSHIBA |
53234 | 2SC2231A | SILICIUM NPN TYPE(PCT DIFFUS TRIPLE DE PROCESSUS) | TOSHIBA |
53235 | 2SC2233 | Le débattement horizontal de TRANSISTOR(for TV de PUISSANCE de SILICIUM de NPN a produit des applications) | MOSPEC Semiconductor |
53236 | 2SC2233 | AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE ÉPITAXIAL DE FRÉQUENCE DU SILICIUM TRANSISTOR(low DE NPN) | Wing Shing Computer Components |
53237 | 2SC2233 | NPN silicium du transistor de puissance plastique. Conçu pour une utilisation en B W Sortie TV / de déviation horizontale. VCBO = 200V, DC gain en courant: 20 @ Ic = 4A. Pd = 40W. | USHA India LTD |
53238 | 2SC2235 | AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE AUDIO ÉPITAXIAL DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT), APPLICATIONS D'CAmplificateur D'CÉtape DE CONDUCTEUR | TOSHIBA |
53239 | 2SC2236 | APPLICATIONS AUDIO ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT) | TOSHIBA |
53240 | 2SC2237 | TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE RF NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
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