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Nr.Nom de partieDescriptionFabricant
532012SC2131TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE RF NPNMitsubishi Electric Corporation
532022SC2133TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE RF NPNMitsubishi Electric Corporation
532032SC2134TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE RF NPNMitsubishi Electric Corporation
532042SC2148TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE BAS DE BRUIT DE MICRO-onde SILICIUM DE L'CAmplificateur NPNNEC
532052SC2149TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE BAS DE BRUIT DE MICRO-onde SILICIUM DE L'CAmplificateur NPNNEC
532062SC2153Si NPN plane. amplificateur RF.Panasonic
532072SC2166TRANSISTOR DE PUISSANCE PLANAIRE ÉPITAXIAL DE NPN TYPE(rf)Mitsubishi Electric Corporation
532082SC2173Applications À FRÉQUENCE ULTRA-haute D'Amplificateur De Puissance De BandeTOSHIBA
532092SC2178Applications D'Amplificateur De Puissance De Bande de VHFTOSHIBA
532102SC2188Dispositif small-signal - transistor small-signal - amplificateurs à haute fréquence et d'autresPanasonic
532112SC2206Dispositif small-signal - transistor small-signal - amplificateurs à haute fréquence et d'autresPanasonic
532122SC2209Dispositif De Puissance - Transistors De Puissance - D'autresPanasonic
532132SC22102SC2210SANYO
532142SC22102SC2210SANYO
532152SC2216Image Finale Planaire Épitaxiale Du Type TV Du Silicium NPN De Transistor SI Applications D'AmplificateurTOSHIBA
532162SC22174TRANSISTOR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE NPNNEC
532172SC22174TRANSISTOR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE NPNNEC
532182SC2218TRANSISTOR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE NPNNEC
532192SC2218TRANSISTOR DE HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUM DE NPNNEC



532202SC2221TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNUnknow
532212SC2221TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNUnknow
532222SC2222TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNUnknow
532232SC2222TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPNUnknow
532242SC2223MINI MOULE DE L'CAmplificateur NPN DE TRANSISTOR ÉPITAXIAL À HAUTE FRÉQUENCE DE SILICIUMNEC
532252SC2223-LTransistor de siliciumNEC
532262SC2223-T1BTransistor de siliciumNEC
532272SC2223-T2BTransistor de siliciumNEC
532282SC2229RENDEMENT VISUEL NOIR ET BLANC de TYPE DIFFUS TRIPLE du SILICIUM NPN de TRANSISTOR de TV, Commutation À HAUTE TENSION, Applications Audio D'Amplificateur D'Étape De ConducteurTOSHIBA
532292SC2230AMPLIFICATEUR GÉNÉRAL À HAUTE TENSION Diffus Triple De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) ET APPLICATIONS SAINES de RENDEMENT de la CLASSE B de la COULEUR TVTOSHIBA
532302SC2230AAMPLIFICATEUR GÉNÉRAL À HAUTE TENSION Diffus Triple De Type Du Silicium NPN De Transistor (Processus de PCT) ET APPLICATIONS SAINES de RENDEMENT de la CLASSE B de la COULEUR TVTOSHIBA
532312SC2231SILICIUM NPN TYPE(PCT DIFFUS TRIPLE DE PROCESSUS)TOSHIBA
532322SC2231SILICIUM NPN TYPE(PCT DIFFUS TRIPLE DE PROCESSUS)TOSHIBA
532332SC2231ASILICIUM NPN TYPE(PCT DIFFUS TRIPLE DE PROCESSUS)TOSHIBA
532342SC2231ASILICIUM NPN TYPE(PCT DIFFUS TRIPLE DE PROCESSUS)TOSHIBA
532352SC2233Le débattement horizontal de TRANSISTOR(for TV de PUISSANCE de SILICIUM de NPN a produit des applications)MOSPEC Semiconductor
532362SC2233AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE ÉPITAXIAL DE FRÉQUENCE DU SILICIUM TRANSISTOR(low DE NPN)Wing Shing Computer Components
532372SC2233NPN silicium du transistor de puissance plastique. Conçu pour une utilisation en B W Sortie TV / de déviation horizontale. VCBO = 200V, DC gain en courant: 20 @ Ic = 4A. Pd = 40W.USHA India LTD
532382SC2235AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE AUDIO ÉPITAXIAL DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT), APPLICATIONS D'CAmplificateur D'CÉtape DE CONDUCTEURTOSHIBA
532392SC2236APPLICATIONS AUDIO ÉPITAXIALES D'CAmplificateur DE PUISSANCE DE TYPE DU SILICIUM NPN DE TRANSISTOR (PROCESSUS DE PCT)TOSHIBA
532402SC2237TYPE PLANAIRE ÉPITAXIAL DU TRANSISTOR DE PUISSANCE DE RF NPNMitsubishi Electric Corporation
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