| Nr. | Nom de partie | Description | Fabricant |
| 1901 | CSD401Y | 25.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 150V VCEO, 2.000A Ic, 120-240 hFE. CSB546Y complémentaire | Continental Device India Limited |
| 1902 | CSD471A | 0.800W usage général NPN Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 1.000A Ic, 70-400 hFE | Continental Device India Limited |
| 1903 | CSD471AG | 0.800W usage général NPN Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 1.000A Ic, 200-400 hFE | Continental Device India Limited |
| 1904 | CSD471AO | 0.800W usage général NPN Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 1.000A Ic, 70-140 hFE | Continental Device India Limited |
| 1905 | CSD471AY | 0.800W usage général NPN Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 1.000A Ic, 120-240 hFE | Continental Device India Limited |
| 1906 | CSD471G | 0.800W usage général NPN Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 1.000A Ic, 200-400 hFE | Continental Device India Limited |
| 1907 | CSD471O | 0.800W usage général NPN Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 1.000A Ic, 70-140 hFE | Continental Device India Limited |
| 1908 | CSD471Y | 0.800W usage général NPN Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 1.000A Ic, 120-240 hFE | Continental Device India Limited |
| 1909 | CSD545 | 0.600W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 1.000A Ic, 60-560 hFE. | Continental Device India Limited |
| 1910 | CSD545D | 0.600W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 1.000A Ic, 60-120 hFE. | Continental Device India Limited |
| 1911 | CSD545E | 0.600W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 1.000A Ic, 100 - 200 hFE. | Continental Device India Limited |
| 1912 | CSD545F | 0.600W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 1.000A Ic, 160-320 hFE. | Continental Device India Limited |
| 1913 | CSD545G | 0.600W basse fréquence NPN Transistor plastique plomb. 25V VCEO, 1.000A Ic, 280-560 hFE. | Continental Device India Limited |
| 1914 | CSD611 | 2.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 110V VCEO, 6.000A Ic, 2-20000 hFE. | Continental Device India Limited |
| 1915 | CSD655 | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | Continental Device India Limited |
| 1916 | CSD655 | TRANSISTOR PLANAIRE ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE NPN | Continental Device India Limited |
| 1917 | CSD655D | 0.500W usage général NPN Transistor plastique plomb. 15V VCEO, 0.700A Ic, 250 - 500 hFE | Continental Device India Limited |
| 1918 | CSD655E | 0.500W usage général NPN Transistor plastique plomb. 15V VCEO, 0.700A Ic, 300-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 1919 | CSD655F | 0.500W usage général NPN Transistor plastique plomb. 15V VCEO, 0.700A Ic, 600-1200 hFE | Continental Device India Limited |
| 1920 | CSD667 | 0.900W usage général NPN Transistor plastique plomb. 80V VCEO, 1.000A Ic, 60-320 hFE | Continental Device India Limited |
| 1921 | CSD667A | 0.900W usage général NPN Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 1.000A Ic, 60-200 hFE | Continental Device India Limited |
| 1922 | CSD667AB | 0.900W usage général NPN Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 1.000A Ic, 60-120 hFE | Continental Device India Limited |
| 1923 | CSD667AC | 0.900W usage général NPN Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 1.000A Ic, 100 - 200 hFE | Continental Device India Limited |
| 1924 | CSD667B | 0.900W usage général NPN Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 1.000A Ic, 60-120 hFE | Continental Device India Limited |
| 1925 | CSD667C | 0.900W usage général NPN Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 1.000A Ic, 100 - 200 hFE | Continental Device India Limited |
| 1926 | CSD667D | 0.900W usage général NPN Transistor plastique plomb. 100V VCEO, 1.000A Ic, 160-320 hFE | Continental Device India Limited |
| 1927 | CSD669 | 20.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 120V VCEO, 1.500A Ic, 60-320 hFE. | Continental Device India Limited |
| 1928 | CSD669A | 20.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 160V VCEO, 1.500A Ic, 60-200 hFE. | Continental Device India Limited |
| 1929 | CSD669AB | 20.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 160V VCEO, 1.500A Ic, 60-120 hFE. | Continental Device India Limited |
| 1930 | CSD669AC | 20.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 160V VCEO, 1.500A Ic, 100 - 200 hFE. | Continental Device India Limited |
| 1931 | CSD669B | 20.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 120V VCEO, 1.500A Ic, 60-120 hFE. | Continental Device India Limited |
| 1932 | CSD669C | 20.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 120V VCEO, 1.500A Ic, 100 - 200 hFE. | Continental Device India Limited |
| 1933 | CSD669D | 20.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 120V VCEO, 1.500A Ic, 160-320 hFE. | Continental Device India Limited |
| 1934 | CSD794 | 10.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 3.000A Ic, 60-320 hFE. Complémentaire CSB744 | Continental Device India Limited |
| 1935 | CSD794A | 10.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 60-320 hFE. CSB744A complémentaire | Continental Device India Limited |
| 1936 | CSD794AO | 10.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 100 - 200 hFE. CSB744AO complémentaire | Continental Device India Limited |
| 1937 | CSD794AR | 10.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 60-120 hFE. CSB744AR complémentaire | Continental Device India Limited |
| 1938 | CSD794AY | 10.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 160-320 hFE. CSB744AY complémentaire | Continental Device India Limited |
| 1939 | CSD794O | 10.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 3.000A Ic, 100 - 200 hFE. CSB744O complémentaire | Continental Device India Limited |
| 1940 | CSD794R | 10.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 3.000A Ic, 60-120 hFE. CSB744R complémentaire | Continental Device India Limited |
| 1941 | CSD794Y | 10.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 45V VCEO, 3.000A Ic, 160-320 hFE. CSB744Y complémentaire | Continental Device India Limited |
| 1942 | CSD811 | 60.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 110V VCEO, 8.000A Ic, 1000 hFE. | Continental Device India Limited |
| 1943 | CSD880 | 30.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 60-300 hFE. Complémentaire CSB834 | Continental Device India Limited |
| 1944 | CSD880GR | 30.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 150-300 hFE. CSB834GR complémentaire | Continental Device India Limited |
| 1945 | CSD880O | 30.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 60-120 hFE. CSB834O complémentaire | Continental Device India Limited |
| 1946 | CSD880Y | 30.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 60V VCEO, 3.000A Ic, 100 - 200 hFE. CSB834Y complémentaire | Continental Device India Limited |
| 1947 | CSD882 | 10.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 3.000A Ic, 60-400 hFE. Complémentaire CSB772 | Continental Device India Limited |
| 1948 | CSD882E | 10.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 3.000A Ic, 200-400 hFE. CSB772E complémentaire | Continental Device India Limited |
| 1949 | CSD882P | 10.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 3.000A Ic, 160-320 hFE. CSB772P complémentaire | Continental Device India Limited |
| 1950 | CSD882Q | 10.000W moyenne puissance NPN Transistor plastique plomb. 30V VCEO, 3.000A Ic, 100 - 200 hFE. CSB772Q complémentaire | Continental Device India Limited |
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