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| | Première page | Tous les fabricants | Par fonction | |
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| 2N6519 construit près: | 
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 | Transistor Épitaxial De Silicium de PNP - Transistor À haute tension | Téléchargement 2N6519 datasheet de Fairchild Semiconductor |
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 | Les transistors à haute tension. Tension collecteur-émetteur: VCEO = -300V. Tension collecteur-base: VCBO = -300V. Collector dissipation: Pc (max) = 0.625W. | Téléchargement 2N6519 datasheet de USHA India LTD |
pdf 55 kb |
 | TRANSISTOR ÉPITAXIAL DE SILICIUM DE PNP | Téléchargement 2N6519 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 42 kb |
 | Transistors À haute tension | Téléchargement 2N6519 datasheet de ON Semiconductor |
pdf 234 kb |
 | Petit Usage universel Plombé De Transistor De Signal D'autres avec le même dossier pour le fiche technique: 2N6520, 2N6518, 2N6517, 2N6515, 2N6516, |
Téléchargement 2N6519 datasheet de Central Semiconductor |
pdf 93 kb |
 | Ic = 500mA, transistor Vce = 10V | Téléchargement 2N6519 datasheet de MCC |
pdf 430 kb |
 | 0.625W usage général PNP Transistor plastique plomb. 300V VCEO, 0,500A Ic, 30 HFE - | Téléchargement 2N6519 datasheet de Continental Device India Limited |
pdf 162 kb |
 | Transistor À haute tension 625mW | Téléchargement 2N6519 datasheet de Micro Commercial Components |
pdf 430 kb |
| 2N6518TA | Vue 2N6519 à notre catalogue | 2N6519BU |