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| MTB4N80E1-D construit près: | 
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 | Porte De Silicium Droite Élevée De Perfectionnement-Mode De N-Canal De Fil du FET D2pak-sl De Puissance D'Énergie D'E-FET de TMOS | Téléchargement MTB4N80E1-D datasheet de ON Semiconductor |
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| MTB4N80E1 | Vue MTB4N80E1-D à notre catalogue | MTB5000-G |