| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 1175921 | STP21N06L | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175922 | STP21N06LFI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175923 | STP21N06LFI | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-NIEDRIGER SCHWELLE ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175924 | STP21N06LFI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175925 | STP21N65M5 | N-Kanal 650 V, 0.150 Ohm, 17 A MDmesh (TM) V-Leistungs-MOSFETs in TO-220 | ST Microelectronics |
| 1175926 | STP21N90K5 | N-Kanal 900 V, 0,25 Ohm, 18,5 A TO-220 Z-geschützten SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET | ST Microelectronics |
| 1175927 | STP21NM60ND | N-Kanal 600 V, 0,17 Ohm typ. 17 A, FDmesh (TM) II Power MOSFET (Whit schnelle Diode) im TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1175928 | STP22NE03 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-EINZELNER EIGENSCHAFT GRÖSSE ENERGIEMosfet | ST Microelectronics |
| 1175929 | STP22NE03 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-EINZELNER EIGENSCHAFT GRÖSSE ENERGIEMosfet | ST Microelectronics |
| 1175930 | STP22NE03L | N-CHANNEL VERBESSERUNG MODUS-EINZELNER EIGENSCHAFT GRÖSSE ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1175931 | STP22NE03L | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-"EINZELNE EIGENSCHAFT GRÖSSE" ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175932 | STP22NE10L | N-CHANNEL 55V - 0.07 OHM - 22A STRIPFET ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1175933 | STP22NE10L | N - FÜHRUNG 100V - 0.07 Ohm - 22A TO-220 STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175934 | STP22NF03L | N-CHANNEL 30V 0.038 ENERGIE MOSFET DES OHM-22A TO-220 STRIPFET | ST Microelectronics |
| 1175935 | STP22NF03L | N-CHANNEL 30V 0.038 ENERGIE MOSFET DES OHM-22A TO-220 STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175936 | STP22NM50 | N-CHANNEL 500 V - 0.16 OHM - 20 Ein TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESH ENERGIE Mosfet | ST Microelectronics |
| 1175937 | STP22NM50FP | N-CHANNEL 500 V - 0.16 OHM - 20 Ein TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESH ENERGIE Mosfet | ST Microelectronics |
| 1175938 | STP22NM60 | N-CHANNEL 600 V - 0.19 OHM - 22 Ein TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESH ENERGIE Mosfet | ST Microelectronics |
| 1175939 | STP22NM60FP | N-CHANNEL 600 V - 0.19 OHM - 22 Ein TO-220/FP/D2PAK/I2PAK MDMESH ENERGIE Mosfet | ST Microelectronics |
| 1175940 | STP22NM60N | N-Kanal 600 V, 0,2 Ohm, 16 A MDmesh (TM) II Power MOSFET in TO-220 | ST Microelectronics |
| 1175941 | STP22NS25Z | N-CHANNEL 250V 0.13 OHM 22A TO-220/D2PAK ZENER-PROTECTED INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET | ST Microelectronics |
| 1175942 | STP23NM50N | N-Kanal 500 V, 0.162 Ohm, 17 A, TO-220 MDmesh (TM) II Power MOSFET | ST Microelectronics |
| 1175943 | STP23NM60ND | N-Kanal 600 V, 0.150 Ohm, 19,5 A, FDmesh II Power MOSFET (mit schnellen Diode) TO-220 | ST Microelectronics |
| 1175944 | STP240N10F7 | N-Kanal 100 V, 2,5 mOhm typ., 180 A STripFET (TM) VI DeepGATE (TM) Power MOSFET in einem TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1175945 | STP24DP05 | 24-Bit-Konstantstrom-LED-Treiber mit Spüle Ausgang Fehlererkennung | ST Microelectronics |
| 1175946 | STP24DP05BTR | 24-Bit-Konstantstrom-LED-Treiber mit Spüle Ausgang Fehlererkennung | ST Microelectronics |
| 1175947 | STP24N60DM2 | N-Kanal 600 V, 0.175 Ohm typ. 18 A FDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1175948 | STP24N60M2 | N-Kanal 600 V, 0.168 Ohm typ. 18 A MDmesh II Plus (TM) niedriger Qg Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1175949 | STP24NF10 | N-CHANNEL 100V - 0.055 OHM - 26A TO-220/D2PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFET | ST Microelectronics |
| 1175950 | STP24NF10 | N - FÜHRUNG 100V - 0.07Ohm - 24A TO-220 NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STripFET ENERGIE Mosfet | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175951 | STP24NM60N | N-Kanal 600 V, 0.168 Ohm, 17 A MDmesh (TM) II Power MOSFET TO-220 | ST Microelectronics |
| 1175952 | STP25N06 | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175953 | STP25N06 | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175954 | STP25N06FI | ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN | ST Microelectronics |
| 1175955 | STP25N06FI | N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR | SGS Thomson Microelectronics |
| 1175956 | STP25N10F7 | N-Kanal 100 V, 0.027 Ohm typ., 25 A, STripFET (TM) VII DeepGATE (TM) Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1175957 | STP25N80K5 | N-Kanal 800 V, 0,19 Ohm typ. 19,5 A SuperMESH (TM) 5 Power MOSFET in TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| 1175958 | STP25NM50N | N-CHANNEL 550V @ TjMAX - 0.12 Ohm - 21.5 A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ZWEITES ERZEUGUNG MDmesh Mosfet | ST Microelectronics |
| 1175959 | STP25NM60N | N-CHANNEL 650 @Tjmax-0.140&-20A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 ZWEITES ERZEUGUNG MDmesh Mosfet | ST Microelectronics |
| 1175960 | STP25NM60ND | N-Kanal 600 V, 0,13 Ohm typ. 21 A FDmesh (TM) II Power MOSFET (mit schnellen Diode) im TO-220-Gehäuse | ST Microelectronics |
| | | |
