| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 186001 | AM108S | 1.0 Ein Silizium Miniatur einphasigen Brücke. Max einmaligen Spitzensperrspannung 800 V. | Comchip Technology |
| 186002 | AM119 | Doppel-Band WLAN Verdoppeln Weiche | etc |
| 186003 | AM119 | Doppel-Band WLAN Verdoppeln Weiche | etc |
| 186004 | AM1214-100 | L-BAND RADAR-ANWENDUNGEN RF U. MIKROWELLE TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 186005 | AM1214-100 | L-BAND RADAR-ANWENDUNGEN, RF U. MIKROWELLE TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 186006 | AM1214-130 | RADAR-ANWENDUNGEN DER RF ENERGIE TRANSISTOR-L-BAND | ST Microelectronics |
| 186007 | AM1214-130 | HF-Leistungstransistoren L-Band-Radaranwendungen | SGS Thomson Microelectronics |
| 186008 | AM1214-175 | L-BAND RADAR-ANWENDUNGEN RF U. MIKROWELLE TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 186009 | AM1214-200 | L-BAND RADAR-ANWENDUNGEN, RF U. MIKROWELLE TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 186010 | AM1214-200 | L-BAND RADAR-ANWENDUNGEN RF U. MIKROWELLE TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 186011 | AM1214-250 | RADAR-ANWENDUNGEN DER RF ENERGIE TRANSISTOR-L-BAND | ST Microelectronics |
| 186012 | AM1214-250 | RADAR-ANWENDUNGEN DER RF ENERGIE TRANSISTOR-L-BAND | SGS Thomson Microelectronics |
| 186013 | AM1214-300 | L-BAND RADAR-ANWENDUNGEN, RF U. MIKROWELLE TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 186014 | AM1214-325 | L-BAND RADAR-ANWENDUNGEN RF U. MIKROWELLE TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 186015 | AM1214-325 | L-BAND RADAR-ANWENDUNGEN RF U. MIKROWELLE TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 186016 | AM1301-7R | Konverter 50 Watt-DC-DC | Power-One |
| 186017 | AM1402 | SE-AM1402 | etc |
| 186018 | AM1402 | SE-AM1402 | etc |
| 186019 | AM150 | Silikon MiniEinzeln-phase Brücke | Comchip Technology |
| 186020 | AM150 | 1.0 AMPERE-SILIKON-MINICEinphasiges BRIDGES(VOLTAGE - 50 bis 1000 Volt STROM - 1.5 Ampere) | Panjit International Inc |
| 186021 | AM150 | 50 V, 1,5 A, Silizium Miniatur einphasigen Brücke | TRANSYS Electronics Limited |
| 186022 | AM150 | 50 V, 1,5 A, Silizium Miniatur einphasigen Brücke | TRSYS |
| 186023 | AM1501-7R | Konverter 50 Watt-DC-DC | Power-One |
| 186024 | AM150S | 1.5 Ein Silizium Miniatur einphasigen Brücke. Max einmaligen Spitzensperrspannung 50 V. | Comchip Technology |
| 186025 | AM151 | Silikon MiniEinzeln-phase Brücke | Comchip Technology |
| 186026 | AM151 | 1.0 AMPERE-SILIKON-MINICEinphasiges BRIDGES(VOLTAGE - 50 bis 1000 Volt STROM - 1.5 Ampere) | Panjit International Inc |
| 186027 | AM151 | 100 V, 1,5 A, Silizium Miniatur einphasigen Brücke | TRANSYS Electronics Limited |
| 186028 | AM151 | 100 V, 1,5 A, Silizium Miniatur einphasigen Brücke | TRSYS |
| 186029 | AM1510 | Silikon MiniEinzeln-phase Brücke | Comchip Technology |
| 186030 | AM1510 | 1.0 AMPERE-SILIKON-MINICEinphasiges BRIDGES(VOLTAGE - 50 bis 1000 Volt STROM - 1.5 Ampere) | Panjit International Inc |
| 186031 | AM1510 | 1.0 1.5 MINISINGLE-PHASE DER BRÜCKE ZU DES AMPERE-SILIKON- | TRSYS |
| 186032 | AM1510 | 1000 V, 1,5 A, Silizium Miniatur einphasigen Brücke | TRANSYS Electronics Limited |
| 186033 | AM1510S | 1.5 Ein Silizium Miniatur einphasigen Brücke. Max einmaligen Spitzensperrspannung 1000 V | Comchip Technology |
| 186034 | AM1517-012 | VERBINDUNG- ÜBER SATELLITANWENDUNGEN RF U. MIKROWELLE TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 186035 | AM1517-012 | VERBINDUNG- ÜBER SATELLITANWENDUNGEN RF U. MIKROWELLE TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 186036 | AM1517-025 | RF U. MIKROWELLE TRANSISTOR-VERBINDUNG- ÜBER SATELLITANWENDUNGEN | SGS Thomson Microelectronics |
| 186037 | AM151S | 1.5 Ein Silizium Miniatur einphasigen Brücke. Max einmaligen Spitzensperrspannung 100 V. | Comchip Technology |
| 186038 | AM152 | Silikon MiniEinzeln-phase Brücke | Comchip Technology |
| 186039 | AM152 | 1.0 AMPERE-SILIKON-MINICEinphasiges BRIDGES(VOLTAGE - 50 bis 1000 Volt STROM - 1.5 Ampere) | Panjit International Inc |
| 186040 | AM152 | 200 V, 1,5 A, Silizium Miniatur einphasigen Brücke | TRANSYS Electronics Limited |
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