| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 248761 | BB-HJ333-C | Soft orange, Oberflächenmontage blink Chip LED-Lampe | Yellow Stone Corp |
| 248762 | BB-HK033-C | Super-gelb, Oberflächenmontage blink Chip LED-Lampe | Yellow Stone Corp |
| 248763 | BB-HW133-C | Reines Grün, Oberflächenmontage blink Chip LED-Lampe | Yellow Stone Corp |
| 248764 | BB-HX133-C | Hallo-eff grün, Oberflächenmontage blink Chip LED-Lampe | Yellow Stone Corp |
| 248765 | BB-HY033-C | Gelb, Oberflächenmontage blink Chip LED-Lampe | Yellow Stone Corp |
| 248766 | BB0502X7R104M16VNT9820 | Optischer Treiber Des Modulator-9.9-11.2Gb/s | TriQuint Semiconductor |
| 248767 | BB1 | Epitaxial- Transistor des ZUSAMMENGESETZTEN Silikons des TRANSISTOR Aufspan Widerstandes NPN für Mittlergeschwindigkeit Schaltung | NEC |
| 248768 | BB101C | Bau, wenn Stromkreis MOS FET IS-UHF Rf Verstärker beeinflußt wird | Hitachi Semiconductor |
| 248769 | BB101C | Schräge Kontrollierte Monolithische IS-UHF Rf Verstärker | Hitachi Semiconductor |
| 248770 | BB101C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248771 | BB101M | Bau, wenn Stromkreis MOS FET IS-UHF Rf Verstärker beeinflußt wird | Hitachi Semiconductor |
| 248772 | BB101M | Schräge Kontrollierte Monolithische IS-UHF Rf Verstärker | Hitachi Semiconductor |
| 248773 | BB101M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248774 | BB102C | Bau, wenn Stromkreis MOS FET IS-UHF Rf Verstärker beeinflußt wird | Hitachi Semiconductor |
| 248775 | BB102C | Schräge Kontrollierte Monolithische IS-UHF Rf Verstärker | Hitachi Semiconductor |
| 248776 | BB102M | Bau, wenn Stromkreis MOS FET IS-UHF Rf Verstärker beeinflußt wird | Hitachi Semiconductor |
| 248777 | BB102M | Schräge Kontrollierte Monolithische IS-UHF Rf Verstärker | Hitachi Semiconductor |
| 248778 | BB104 | Dioda pojemno.ciowa (warikap) | Ultra CEMI |
| 248779 | BB104B | Dioda pojemno.ciowa (warikap) | Ultra CEMI |
| 248780 | BB104G | Dioda pojemno.ciowa (warikap) | Ultra CEMI |
| 248781 | BB105 | Silikon-Planare Signal-Dioden | Iskra Semic |
| 248782 | BB105A | Warikap | Ultra CEMI |
| 248783 | BB105A | Dioda pojemno.ciowa (warikap) | Ultra CEMI |
| 248784 | BB105AD | Dioda pojemno.ciowa (warikap) | Ultra CEMI |
| 248785 | BB105B | Dioda pojemno.ciowa (warikap) | Ultra CEMI |
| 248786 | BB105G | Dioda pojemno.ciowa (warikap) | Ultra CEMI |
| 248787 | BB105G | Warikap | Ultra CEMI |
| 248788 | BB105GD | Dioda pojemno.ciowa (warikap) | Ultra CEMI |
| 248789 | BB109 | Dioda pojemno.ciowa (warikap) | Ultra CEMI |
| 248790 | BB1110B | DDR SDRAM ABSCHLUSSWIDERSTAND NETZE. | BI Technologies |
| 248791 | BB1110TB | DDR SDRAM ABSCHLUSSWIDERSTAND NETZE. | BI Technologies |
| 248792 | BB112 | Silikon-Variable Kapazitanz-Diode | Infineon |
| 248793 | BB112 | Silikon-variable Kapazitanz-Diode (für morgens abstimmende Anwendungen spezifizierte abstimmende Strecke 1. 8.0 V) | Siemens |
| 248794 | BB119 | Variable Kapazitanzdiode | Philips |
| 248795 | BB130 | Morgens variable Kapazitanzdiode | Philips |
| 248796 | BB131 | VHF variable Kapazitanzdiode | Philips |
| 248797 | BB131 | VHF Diode mit variabler Kapazität | NXP Semiconductors |
| 248798 | BB132 | VHF variable Kapazitanzdiode | Philips |
| 248799 | BB132 | VHF Variable Kapazitanz-Diode | Leshan Radio Company |
| 248800 | BB133 | VHF variable Kapazitanzdiode | Philips |
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