| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 250081 | BC33740BU | NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 250082 | BC33740TA | NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 250083 | BC337A | 0.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 60V Vceo, 0.800A Ic, 100-400 hFE | Continental Device India Limited |
| 250084 | BC337A | NPN-Transistor für allgemeine Zwecke | Philips |
| 250085 | BC337ABU | NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 250086 | BC337BU | NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 250087 | BC337RL1 | Transistor-Silikon-Plastik NPN | ON Semiconductor |
| 250088 | BC337TF | NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 250089 | BC337TFR | NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
| 250090 | BC337ZL1 | Transistor-Silikon-Plastik NPN | ON Semiconductor |
| 250091 | BC338 | Schaltung und Verstärker-Anwendungen | Fairchild Semiconductor |
| 250092 | BC338 | Universeller Transistor | Korea Electronics (KEC) |
| 250093 | BC338 | Kleine Signal-Transistoren (NPN) | Vishay |
| 250094 | BC338 | Kleine Signal-Transistoren (NPN) | General Semiconductor |
| 250095 | BC338 | NPN Silikon Af Transistor | Infineon |
| 250096 | BC338 | Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci ma.ej mocy | Ultra CEMI |
| 250097 | BC338 | NPN Silikon-Epitaxial- Planarer Transistor | Honey Technology |
| 250098 | BC338 | NPN SILIKONAF MITTLERE ENERGIE TRANSISTOREN | Micro Electronics |
| 250099 | BC338 | NPN Silikon AF Transistoren (hohe niedrige Spannung Sättigung Kollektor-Emitter des Stromverstärkung hohe Kollektorstroms) | Siemens |
| 250100 | BC338 | Verstärker-Transistor | Motorola |
| 250101 | BC338 | Silikon-Epitaxial- PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| 250102 | BC338 | NPN Silikon-Epitaxial- planarer Transistor für Schaltung und Verstärkeranwendungen | Semtech |
| 250103 | BC338 | 0.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 25V Vceo, 0.800A Ic, 100-600 hFE | Continental Device India Limited |
| 250104 | BC338 | Transistor. Schalt- und ampplifier Anwendungen. Geeignet für AF-Fahrer stagees und Leistungsendstufen. Vces = 30V, Vceo = 25V, Vebo = 5V, Pc = 625mW, Ic = 800mA. | USHA India LTD |
| 250105 | BC338-16 | NPN Silikon AF Transistoren (hohe niedrige Spannung Sättigung Kollektor-Emitter des Stromverstärkung hohe Kollektorstroms) | Siemens |
| 250106 | BC338-16 | Verstärker-Transistor | Motorola |
| 250107 | BC338-16 | Transistoren, Rf U. Af | Vishay |
| 250108 | BC338-16 | Silikon-Epitaxial- PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| 250109 | BC338-16 | Verstärker Transistors(NPN Silikon) | ON Semiconductor |
| 250110 | BC338-16 | Kleiner Signal-Transistor (NPN) | General Semiconductor |
| 250111 | BC338-25 | NPN Silikon AF Transistoren (hohe niedrige Spannung Sättigung Kollektor-Emitter des Stromverstärkung hohe Kollektorstroms) | Siemens |
| 250112 | BC338-25 | Verstärker-Transistor | Motorola |
| 250113 | BC338-25 | Transistor-Silikon-Plastik NPN | ON Semiconductor |
| 250114 | BC338-25 | Transistoren, Rf U. Af | Vishay |
| 250115 | BC338-25 | Silikon-Epitaxial- PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
| 250116 | BC338-25 | 0.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 25V Vceo, 0.800A Ic, 160-400 hFE | Continental Device India Limited |
| 250117 | BC338-25 | Kleiner Signal-Transistor (NPN) | General Semiconductor |
| 250118 | BC338-25ZL1 | Transistor-Silikon-Plastik NPN | ON Semiconductor |
| 250119 | BC338-40 | NPN Silikon AF Transistoren (hohe niedrige Spannung Sättigung Kollektor-Emitter des Stromverstärkung hohe Kollektorstroms) | Siemens |
| 250120 | BC338-40 | Verstärker-Transistor | Motorola |
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