Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
250081 | BC33740BU | NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
250082 | BC33740TA | NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
250083 | BC337A | 0.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 60V Vceo, 0.800A Ic, 100-400 hFE | Continental Device India Limited |
250084 | BC337A | NPN-Transistor für allgemeine Zwecke | Philips |
250085 | BC337ABU | NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
250086 | BC337BU | NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
250087 | BC337RL1 | Transistor-Silikon-Plastik NPN | ON Semiconductor |
250088 | BC337TF | NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
250089 | BC337TFR | NPN Epitaxial- Silikon-Transistor | Fairchild Semiconductor |
250090 | BC337ZL1 | Transistor-Silikon-Plastik NPN | ON Semiconductor |
250091 | BC338 | Schaltung und Verstärker-Anwendungen | Fairchild Semiconductor |
250092 | BC338 | Universeller Transistor | Korea Electronics (KEC) |
250093 | BC338 | Kleine Signal-Transistoren (NPN) | Vishay |
250094 | BC338 | Kleine Signal-Transistoren (NPN) | General Semiconductor |
250095 | BC338 | NPN Silikon Af Transistor | Infineon |
250096 | BC338 | Tranzystor ma.ej cz?otliwo.ci ma.ej mocy | Ultra CEMI |
250097 | BC338 | NPN Silikon-Epitaxial- Planarer Transistor | Honey Technology |
250098 | BC338 | NPN SILIKONAF MITTLERE ENERGIE TRANSISTOREN | Micro Electronics |
250099 | BC338 | NPN Silikon AF Transistoren (hohe niedrige Spannung Sättigung Kollektor-Emitter des Stromverstärkung hohe Kollektorstroms) | Siemens |
250100 | BC338 | Verstärker-Transistor | Motorola |
250101 | BC338 | Silikon-Epitaxial- PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
250102 | BC338 | NPN Silikon-Epitaxial- planarer Transistor für Schaltung und Verstärkeranwendungen | Semtech |
250103 | BC338 | 0.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 25V Vceo, 0.800A Ic, 100-600 hFE | Continental Device India Limited |
250104 | BC338 | Transistor. Schalt- und ampplifier Anwendungen. Geeignet für AF-Fahrer stagees und Leistungsendstufen. Vces = 30V, Vceo = 25V, Vebo = 5V, Pc = 625mW, Ic = 800mA. | USHA India LTD |
250105 | BC338-16 | NPN Silikon AF Transistoren (hohe niedrige Spannung Sättigung Kollektor-Emitter des Stromverstärkung hohe Kollektorstroms) | Siemens |
250106 | BC338-16 | Verstärker-Transistor | Motorola |
250107 | BC338-16 | Transistoren, Rf U. Af | Vishay |
250108 | BC338-16 | Silikon-Epitaxial- PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
250109 | BC338-16 | Verstärker Transistors(NPN Silikon) | ON Semiconductor |
250110 | BC338-16 | Kleiner Signal-Transistor (NPN) | General Semiconductor |
250111 | BC338-25 | NPN Silikon AF Transistoren (hohe niedrige Spannung Sättigung Kollektor-Emitter des Stromverstärkung hohe Kollektorstroms) | Siemens |
250112 | BC338-25 | Verstärker-Transistor | Motorola |
250113 | BC338-25 | Transistor-Silikon-Plastik NPN | ON Semiconductor |
250114 | BC338-25 | Transistoren, Rf U. Af | Vishay |
250115 | BC338-25 | Silikon-Epitaxial- PlanarTransistors | Diotec Elektronische |
250116 | BC338-25 | 0.625W General Purpose NPN Plastic Leaded Transistor. 25V Vceo, 0.800A Ic, 160-400 hFE | Continental Device India Limited |
250117 | BC338-25 | Kleiner Signal-Transistor (NPN) | General Semiconductor |
250118 | BC338-25ZL1 | Transistor-Silikon-Plastik NPN | ON Semiconductor |
250119 | BC338-40 | NPN Silikon AF Transistoren (hohe niedrige Spannung Sättigung Kollektor-Emitter des Stromverstärkung hohe Kollektorstroms) | Siemens |
250120 | BC338-40 | Verstärker-Transistor | Motorola |
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