| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 253721 | BCR129T | Digital Transistoren - R1 = kOhm 10 | Infineon |
| 253722 | BCR129W | Einzelne digitale (komplizierte) AF-Transistoren im Paket SOT323 | Infineon |
| 253723 | BCR129WE6327 | Digital Transistoren - R1 = kOhm 10 | Infineon |
| 253724 | BCR12CM | DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253725 | BCR12CM | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253726 | BCR12CM-12 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253727 | BCR12CM-12 | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253728 | BCR12CM-12L | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253729 | BCR12CM-8 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253730 | BCR12CM-8 | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253731 | BCR12CM-8L | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253732 | BCR12CS | DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253733 | BCR12CS | MITTLERE ART DES ENERGIE GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Powerex Power Semiconductors |
| 253734 | BCR12CS-12 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253735 | BCR12CS-8 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253736 | BCR12KM-14 | MITTLERER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253737 | BCR12PM | MITTLERER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253738 | BCR12PM | Lokalisierte Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253739 | BCR12PM-12 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253740 | BCR12PM-12 | Lokalisierte Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253741 | BCR12PM-12L | Lokalisierte Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253742 | BCR12PM-14 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253743 | BCR12PM-14 | MITTLERER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253744 | BCR12PM-8 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253745 | BCR12PM-8 | Lokalisierte Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253746 | BCR12PM-8L | Lokalisierte Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-12 | Powerex Power Semiconductors |
| 253747 | BCR12UM | MITTLERER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, GLASPASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253748 | BCR133 | Digital Transistoren - kOhm R1=10; KOhm R2=10 | Infineon |
| 253749 | BCR133 | NPN Silikon-Digital Transistor (Schaltung Stromkreis, Inverter, Schnittstellenleitung, Treiberstromkreis) | Siemens |
| 253750 | BCR133F | Einzelne digitale (Errichten- im Widerstand) AF-Transistoren im Paket TSFP-3 | Infineon |
| 253751 | BCR133FE6327 | Digital Transistoren - R1 = kOhm 10; R2 = kOhm 10 | Infineon |
| 253752 | BCR133L3 | Einzelne digitale (Errichten- im Widerstand) AF-Transistoren im Paket TSLP-3 | Infineon |
| 253753 | BCR133L3E6327 | Digital Transistoren - R1 = kOhm 10; R2 = kOhm 10 | Infineon |
| 253754 | BCR133S | Digital Transistoren - R1 = kOhm 10; R2 = 10 kOhm SOT363 | Infineon |
| 253755 | BCR133S | NPN Silikon-Digital Transistor-Reihe (Schaltung Stromkreis, Inverter, Schnittstellenleitung, Treiberstromkreis) | Siemens |
| 253756 | BCR133T | Digital Transistoren - R1 = kOhm 10; R2 = kOhm 10 | Infineon |
| 253757 | BCR133U | Digital Transistoren - R1 = kOhm 10; R2 = 10 kOhm SC74 | Infineon |
| 253758 | BCR133W | Digital Transistoren - kOhm R1=10; KOhm R2=10 | Infineon |
| 253759 | BCR133W | NPN Silikon-Digital Transistor (Schaltung Stromkreis, Inverter, Schnittstellenleitung, Treiberstromkreis) | Siemens |
| 253760 | BCR135 | Digital Transistoren - R1 = kOhm 10; R2 = kOhm 47 | Infineon |
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