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Nr.TeilnameBeschreibungHersteller
254121BCR5AMDES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ARTMitsubishi Electric Corporation
254122BCR5AMVolt Amperes/400-600 Des TRIAC-5Powerex Power Semiconductors
254123BCR5AM-12Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254124BCR5AM-12Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-5Powerex Power Semiconductors
254125BCR5AM-12LVolt Amperes/400-600 Des TRIAC-5Powerex Power Semiconductors
254126BCR5AM-8Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254127BCR5AM-8Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-5Powerex Power Semiconductors
254128BCR5AM-8LVolt Amperes/400-600 Des TRIAC-5Powerex Power Semiconductors
254129BCR5ASDES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ARTMitsubishi Electric Corporation
254130BCR5ASOberflächenVolt Amperes/400-600 Des EINFASSUNG TRIAC-5Powerex Power Semiconductors
254131BCR5AS-12Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254132BCR5AS-12OberflächenVolt Amperes/400-600 Des EINFASSUNG TRIAC-5Powerex Power Semiconductors
254133BCR5AS-12LOberflächenVolt Amperes/400-600 Des EINFASSUNG TRIAC-5Powerex Power Semiconductors
254134BCR5AS-8Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254135BCR5AS-8LOberflächenVolt Amperes/400-600 Des EINFASSUNG TRIAC-5Powerex Power Semiconductors
254136BCR5KMIntegrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254137BCR5KMMITTLERER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, PLANARE PASSIVIERUNG-ARTMitsubishi Electric Corporation
254138BCR5PMNIEDRIGER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, PLANARE PASSIVIERUNG-ARTMitsubishi Electric Corporation
254139BCR5PMLokalisierte Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-5Powerex Power Semiconductors



254140BCR5PM-12Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254141BCR5PM-14Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254142BCR5PM-8Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254143BCR6MITTLERE ART PLANARE PASSIVIERUNG-ART DES ENERGIE GEBRAUCH-NON-INSULATEDMitsubishi Electric Corporation
254144BCR6Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-6Powerex Power Semiconductors
254145BCR6AMDES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ARTMitsubishi Electric Corporation
254146BCR6AMVolt Amperes/400-600 Des TRIAC-6Powerex Power Semiconductors
254147BCR6AM-12Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254148BCR6AM-12Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-6Powerex Power Semiconductors
254149BCR6AM-12LVolt Amperes/400-600 Des TRIAC-6Powerex Power Semiconductors
254150BCR6AM-8Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254151BCR6AM-8Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-6Powerex Power Semiconductors
254152BCR6AM-8LVolt Amperes/400-600 Des TRIAC-6Powerex Power Semiconductors
254153BCR8MITTLERE ART PLANARE PASSIVIERUNG-ART DES ENERGIE GEBRAUCH-NON-INSULATEDMitsubishi Electric Corporation
254154BCR8CMDES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ARTMitsubishi Electric Corporation
254155BCR8CMVolt Amperes/400-600 Des TRIAC-8Powerex Power Semiconductors
254156BCR8CM-12Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254157BCR8CM-8Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
254158BCR8CSDES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ARTMitsubishi Electric Corporation
254159BCR8CSMITTLERE ART DES ENERGIE GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ARTPowerex Power Semiconductors
254160BCR8CS-12Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
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