Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
254121 | BCR5AM | DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
254122 | BCR5AM | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-5 | Powerex Power Semiconductors |
254123 | BCR5AM-12 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
254124 | BCR5AM-12 | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-5 | Powerex Power Semiconductors |
254125 | BCR5AM-12L | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-5 | Powerex Power Semiconductors |
254126 | BCR5AM-8 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
254127 | BCR5AM-8 | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-5 | Powerex Power Semiconductors |
254128 | BCR5AM-8L | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-5 | Powerex Power Semiconductors |
254129 | BCR5AS | DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
254130 | BCR5AS | OberflächenVolt Amperes/400-600 Des EINFASSUNG TRIAC-5 | Powerex Power Semiconductors |
254131 | BCR5AS-12 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
254132 | BCR5AS-12 | OberflächenVolt Amperes/400-600 Des EINFASSUNG TRIAC-5 | Powerex Power Semiconductors |
254133 | BCR5AS-12L | OberflächenVolt Amperes/400-600 Des EINFASSUNG TRIAC-5 | Powerex Power Semiconductors |
254134 | BCR5AS-8 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
254135 | BCR5AS-8L | OberflächenVolt Amperes/400-600 Des EINFASSUNG TRIAC-5 | Powerex Power Semiconductors |
254136 | BCR5KM | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
254137 | BCR5KM | MITTLERER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
254138 | BCR5PM | NIEDRIGER ENERGIE DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) GEBRAUCH ISOLIERART, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
254139 | BCR5PM | Lokalisierte Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-5 | Powerex Power Semiconductors |
254140 | BCR5PM-12 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
254141 | BCR5PM-14 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
254142 | BCR5PM-8 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
254143 | BCR6 | MITTLERE ART PLANARE PASSIVIERUNG-ART DES ENERGIE GEBRAUCH-NON-INSULATED | Mitsubishi Electric Corporation |
254144 | BCR6 | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-6 | Powerex Power Semiconductors |
254145 | BCR6AM | DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
254146 | BCR6AM | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-6 | Powerex Power Semiconductors |
254147 | BCR6AM-12 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
254148 | BCR6AM-12 | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-6 | Powerex Power Semiconductors |
254149 | BCR6AM-12L | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-6 | Powerex Power Semiconductors |
254150 | BCR6AM-8 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
254151 | BCR6AM-8 | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-6 | Powerex Power Semiconductors |
254152 | BCR6AM-8L | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-6 | Powerex Power Semiconductors |
254153 | BCR8 | MITTLERE ART PLANARE PASSIVIERUNG-ART DES ENERGIE GEBRAUCH-NON-INSULATED | Mitsubishi Electric Corporation |
254154 | BCR8CM | DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
254155 | BCR8CM | Volt Amperes/400-600 Des TRIAC-8 | Powerex Power Semiconductors |
254156 | BCR8CM-12 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
254157 | BCR8CM-8 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
254158 | BCR8CS | DES MITSUBISHI HALBLEITER-(TRIAC) MITTLERE ART ENERGIE DES GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Mitsubishi Electric Corporation |
254159 | BCR8CS | MITTLERE ART DES ENERGIE GEBRAUCH-NON-INSULATED, PLANARE PASSIVIERUNG-ART | Powerex Power Semiconductors |
254160 | BCR8CS-12 | Integrierte Module Des Gatter-Zweipolige Transistor-(IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
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