| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 44961 | 2N3032 | Silikon-Kontrollierter Gleichrichter | Microsemi |
| 44962 | 2N3043 | DOPPELVERSTÄRKER-TRANSISTOR | Motorola |
| 44963 | 2N3043 | DOPPELVERSTÄRKER-TRANSISTOR | Motorola |
| 44964 | 2N3044 | DOPPELVERSTÄRKER-TRANSISTOR | Motorola |
| 44965 | 2N3044 | DOPPELVERSTÄRKER-TRANSISTOR | Motorola |
| 44966 | 2N3045 | DOPPELVERSTÄRKER-TRANSISTOR | Motorola |
| 44967 | 2N3045 | DOPPELVERSTÄRKER-TRANSISTOR | Motorola |
| 44968 | 2N3048 | DOPPELVERSTÄRKER-TRANSISTOR | Motorola |
| 44969 | 2N3048 | DOPPELVERSTÄRKER-TRANSISTOR | Motorola |
| 44970 | 2N3053 | SILIKON-TRANSISTOREN | Micro Electronics |
| 44971 | 2N3053 | UNIVERSELLES TRANSISTOR(NPN SILIKON) | Boca Semiconductor Corporation |
| 44972 | 2N3053 | MITTLERER PLANARER TRANSISTOR DES ENERGIE SILIKON-NPN | SemeLAB |
| 44973 | 2N3053 | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 44974 | 2N3053 | 5.000W General Purpose NPN Metall kann der Transistor. 40V Vceo, 0.700A Ic, 50-250 hFE. | Continental Device India Limited |
| 44975 | 2N3053 | NPN Kleinsignalverstärker für allgemeine Zwecke. | Fairchild Semiconductor |
| 44976 | 2N3053 | Allgemeine Zweck mittlerer Leistung Silizium NPN Planartransistor. | General Electric Solid State |
| 44977 | 2N3053A | UNIVERSELLES TRANSISTOR(NPN SILIKON) | Boca Semiconductor Corporation |
| 44978 | 2N3053A | Verbleiter Kleiner Signal-Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 44979 | 2N3053A | 7.000W General Purpose NPN Metall kann der Transistor. 60V Vceo, 0.700A Ic, 25 hFE. | Continental Device India Limited |
| 44980 | 2N3053A | Allgemeine Zweck mittlerer Leistung Silizium NPN Planartransistor. | General Electric Solid State |
| 44981 | 2N3054 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 44982 | 2N3054A | NPN ENERGIE TRANSISTOR IN Einem HERMETISCHEN PAKET | SemeLAB |
| 44983 | 2N3054A | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 44984 | 2N3055 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | ST Microelectronics |
| 44985 | 2N3055 | NPN Transistor | Microsemi |
| 44986 | 2N3055 | NPN Transistor | Microsemi |
| 44987 | 2N3055 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 44988 | 2N3055 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | SGS Thomson Microelectronics |
| 44989 | 2N3055 | NPN TRANSISTOR FÜR LEISTUNGSFÄHIGE AF OUTPUT-STADIEN | Siemens |
| 44990 | 2N3055 | ENERGIE TRANSISTORS(15A, 50v, 115w) | MOSPEC Semiconductor |
| 44991 | 2N3055 | ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN | Boca Semiconductor Corporation |
| 44992 | 2N3055 | 15 AMPERE-ENERGIE TRANSISTOR-ERGÄNZENDES SILIKON 60 VOLT 115 WATT | Motorola |
| 44993 | 2N3055 | 15 AMPERE-ERGÄNZENDE SILIKON-ENERGIE TRANSISTOREN 60, 120 VOLT 115, 180 WATT | Motorola |
| 44994 | 2N3055 | Verbleiter Energie Transistor-Universeller Zweck | Central Semiconductor |
| 44995 | 2N3055 | Energie 15A 60V Getrenntes NPN | ON Semiconductor |
| 44996 | 2N3055 | 115.000W Leistung NPN Metall kann der Transistor. 60V Vceo, 15.000A Ic, 5 hFE. | Continental Device India Limited |
| 44997 | 2N3055 | Allzweck-Leistungstransistor. | General Electric Solid State |
| 44998 | 2N3055 | NPN-Leistungstransistor, 100V, 15A | SemeLAB |
| 44999 | 2N3055 | Hohe Leistung NPN-Transistor. Allzweck-Schalt- und Verstärkeranwendung. Vceo = 60Vdc, Vcer = 70Vdc, Vcb = 100VDC VEB = 15Vdc, Ic = 7Adc, Ib = 7Adc, PD = 115W. | USHA India LTD |
| 45000 | 2N3055-D | Ergänzende Silikon Hoch-Energie Transistoren | ON Semiconductor |
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