| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 501921 | HN2C10FT | EPITAXIAL- PLANARE ART VHF~UHF BAND-NIEDRIGE GERÄUSCH-VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN | TOSHIBA |
| 501922 | HN2C10FU | Rf 2-in-1 Mischling-Transistoren | TOSHIBA |
| 501923 | HN2C11FU | Rf 2-in-1 Mischling-Transistoren | TOSHIBA |
| 501924 | HN2C12FT | EPITAXIAL- PLANARE ART VHF~UHF BAND-NIEDRIGE GERÄUSCH-VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN | TOSHIBA |
| 501925 | HN2C12FU | Rf 2-in-1 Mischling-Transistoren | TOSHIBA |
| 501926 | HN2C13FT | Rf Neue Produkte | TOSHIBA |
| 501927 | HN2C14FT | Rf Neue Produkte | TOSHIBA |
| 501928 | HN2C26FS | Transistor für niederfrequente Kleinsignalverstärkung 2 in 1 | TOSHIBA |
| 501929 | HN2D01F | Diode Silikon-Epitaxial- Planare Art Ultra Schnellschaltung Anwendung | TOSHIBA |
| 501930 | HN2D01FU | Diode Silikon-Epitaxial- Planare Art Ultra Schnellschaltung Anwendung | TOSHIBA |
| 501931 | HN2D01JE | Schaltdiode | TOSHIBA |
| 501932 | HN2D02FU | Diode Silikon-Epitaxial- Planare Art Ultra Schnellschaltung Anwendung | TOSHIBA |
| 501933 | HN2D02FUTW1T1 | Ultra High Speed ??Switching Diodes | ON Semiconductor |
| 501934 | HN2D03F | Schaltdiode | TOSHIBA |
| 501935 | HN2E04F | Multi-Chip-diskretes Gerät (PNP + SW-Diode) | TOSHIBA |
| 501936 | HN2S01F | Diode Silikonepitaxial- Schottky Sperre Art Niederspannung Schnellschaltung Anwendung | TOSHIBA |
| 501937 | HN2S01FU | Diode Silikonepitaxial- Schottky Sperre Art Niederspannung Schnellschaltung Anwendung | TOSHIBA |
| 501938 | HN2S02FU | Kleinsignal-Schottky-Diode | TOSHIBA |
| 501939 | HN2S02JE | Kleinsignal-Schottky-Diode | TOSHIBA |
| 501940 | HN2S03FE | Kleinsignal-Schottky-Diode | TOSHIBA |
| 501941 | HN2S03FU | Kleinsignal-Schottky-Diode | TOSHIBA |
| 501942 | HN2S03T | Kleinsignal-Schottky-Diode | TOSHIBA |
| 501943 | HN2S04FU | Kleinsignal-Schottky-Diode | TOSHIBA |
| 501944 | HN2V02H | Variables Kapazitanz-Diode Morgens Radioband-Abstimmende Anwendungen | TOSHIBA |
| 501945 | HN327 | PNP Silikon-Epitaxial- Planarer Transistor | Honey Technology |
| 501946 | HN327 | PNP Silikon-Epitaxial- planarer Transistor für Schaltung und Verstärkeranwendungen | Semtech |
| 501947 | HN328 | PNP Silikon-Epitaxial- Planarer Transistor | Honey Technology |
| 501948 | HN328 | PNP Silikon-Epitaxial- planarer Transistor für Schaltung und Verstärkeranwendungen | Semtech |
| 501949 | HN337 | NPN Silikon-Epitaxial- Planarer Transistor | Honey Technology |
| 501950 | HN337 | NPN Silikon-Epitaxial- planarer Transistor für Schaltung und Verstärkeranwendungen | Semtech |
| 501951 | HN338 | NPN Silikon-Epitaxial- Planarer Transistor | Honey Technology |
| 501952 | HN338 | NPN Silikon-Epitaxial- planarer Transistor für Schaltung und Verstärkeranwendungen | Semtech |
| 501953 | HN3903 | NPN Silikon-Epitaxial- Planarer Transistor | Honey Technology |
| 501954 | HN3903 | NPN Silikon Expitaxial planarer Transistor für Schaltung und Verstärkeranwendungen | Semtech |
| 501955 | HN3904 | NPN Silikon-Epitaxial- Planarer Transistor | Honey Technology |
| 501956 | HN3904 | NPN Silikon Expitaxial planarer Transistor für Schaltung und Verstärkeranwendungen | Semtech |
| 501957 | HN3905 | PNP Silikon-Epitaxial- Planarer Transistor | Honey Technology |
| 501958 | HN3905 | NPN Silikon Expitaxial planarer Transistor für Schaltung und Verstärkeranwendungen | Semtech |
| 501959 | HN3906 | PNP Silikon-Epitaxial- Planarer Transistor | Honey Technology |
| 501960 | HN3906 | NPN Silikon Expitaxial planarer Transistor für Schaltung und Verstärkeranwendungen | Semtech |
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