| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 51801 | 2SB1085 | AUFGENOMMENES ENERGIE TRANSISTOR-PAKET FÜR GEBRAUCH MIT EINEM BESTÜCKUNGSAUTOMATEN | ROHM |
| 51802 | 2SB1085A | Epitaxial- Planarer PNP Silikon-Transistor | ROHM |
| 51803 | 2SB1085A | AUFGENOMMENES ENERGIE TRANSISTOR-PAKET FÜR GEBRAUCH MIT EINEM BESTÜCKUNGSAUTOMATEN | ROHM |
| 51804 | 2SB1091 | Transistor Des Silikon-PNP Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 51805 | 2SB1091 | Dreifaches Des Silikon-PNP Zerstreut | Hitachi Semiconductor |
| 51806 | 2SB1091 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 51807 | 2SB1093 | TRANSISTOR DES PNP SILIKON-DARLINGTON | NEC |
| 51808 | 2SB1094 | Silikontransistor | NEC |
| 51809 | 2SB1096 | Färben Sie Fernsehapparat Vertikalen Ablenkung Ausgang | Unknow |
| 51810 | 2SB1101 | NIEDERFREQUENZCENDVERSTÄRKER-ERGÄNZENDES PAAR MIT 2SD1601,2SD1602 | Hitachi Semiconductor |
| 51811 | 2SB1102 | NIEDERFREQUENZCENDVERSTÄRKER-ERGÄNZENDES PAAR MIT 2SD1601,2SD1602 | Hitachi Semiconductor |
| 51812 | 2SB1103 | Transistor Des Silikon-PNP Darlington | Hitachi Semiconductor |
| 51813 | 2SB1103 | Dreifaches Des Silikon-PNP Zerstreut | Hitachi Semiconductor |
| 51814 | 2SB1103 | Transistors>Switching/Bipolar | Renesas |
| 51815 | 2SB1108 | Mittlere Geschwindigkeit, die ergänzendes Paar mit 2SD1608 schaltet | Panasonic |
| 51816 | 2SB1109 | SILIKON PNP EPITAXIAL- (NIEDERFREQUENZHOCHSPANNUNGSVERSTÄRKER) | Hitachi Semiconductor |
| 51817 | 2SB1110 | SILIKON PNP EPITAXIAL- (NIEDERFREQUENZHOCHSPANNUNGSVERSTÄRKER) | Hitachi Semiconductor |
| 51818 | 2SB1114 | Silikontransistor | NEC |
| 51819 | 2SB1114-T1 | Silikontransistor | NEC |
| 51820 | 2SB1114-T2 | Silikontransistor | NEC |
| 51821 | 2SB1115 | PNP SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-ENERGIE MINIFORM | NEC |
| 51822 | 2SB1115 | 60 V, 2 A, 2 W Silizium-Transistor | EIC discrete Semiconductors |
| 51823 | 2SB1115-T1 | Silikontransistor | NEC |
| 51824 | 2SB1115-T2 | Silikontransistor | NEC |
| 51825 | 2SB1115A | PNP SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-ENERGIE MINIFORM | NEC |
| 51826 | 2SB1115A | 80 V, 2 A, 2 W Silizium-Transistor | EIC discrete Semiconductors |
| 51827 | 2SB1115A-T1 | Silikontransistor | NEC |
| 51828 | 2SB1115A-T2 | Silikontransistor | NEC |
| 51829 | 2SB1116 | Silikontransistor | NEC |
| 51830 | 2SB1116 | Audio Frequenz-Leistungsverstärker mittlerer Geschwindigkeit Umschaltung. Kollektor-Basis-Spannung: VCBO = -60V. Kollektor-Emitter-Spannung: Vceo = -50 V. Emitter-Basis-Spannung Vebo = -6V. Collector Ableitung: Pc (max) = 0,75W. | USHA India LTD |
| 51831 | 2SB1116(C)-T | Silikontransistor | NEC |
| 51832 | 2SB1116-T | Silikontransistor | NEC |
| 51833 | 2SB1116-T/JD | Silikontransistor | NEC |
| 51834 | 2SB1116-T/JM | Silikontransistor | NEC |
| 51835 | 2SB1116/JD | Silikontransistor | NEC |
| 51836 | 2SB1116/JM | Silikontransistor | NEC |
| 51837 | 2SB1116A | Silikontransistor | NEC |
| 51838 | 2SB1116A | Audio Frequenz-Leistungsverstärker mittlerer Geschwindigkeit Umschaltung. Kollektor-Basisspannung VCBO = -80 V. Kollektor-Emitter-Spannung Vceo = -60V. Emitter-Basis-Spannung Vebo = -6V. Kollektor-Verlust Pc (max) = 0,75W. | USHA India LTD |
| 51839 | 2SB1116A-T | Silikontransistor | NEC |
| 51840 | 2SB1116A-T/JD | Silikontransistor | NEC |
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