| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 53001 | 2SC1756 | NPN Dreifacher Diffued Silikon-Transistor | SANYO |
| 53002 | 2SC1757 | NPN Dreifacher Diffued Silikon-Transistor | SANYO |
| 53003 | 2SC1757 | NPN Dreifacher Diffued Silikon-Transistor | SANYO |
| 53004 | 2SC1760 | 2SC1728 | SONY |
| 53005 | 2SC1760 | 2SC1728 | SONY |
| 53006 | 2SC1775 | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
| 53007 | 2SC1775 | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53008 | 2SC1775 | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 53009 | 2SC1775A | Silikon NPN Epitaxial- | Hitachi Semiconductor |
| 53010 | 2SC1775A | Transistor Des Silikon-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 53011 | 2SC1775A | Transistors>Amplifiers/Bipolar | Renesas |
| 53012 | 2SC1778 | EPITAXIAL- PLANARER TRANSISTOR DES SILIKON-NPN | Panasonic |
| 53013 | 2SC1778 | EPITAXIAL- PLANARER TRANSISTOR DES SILIKON-NPN | Panasonic |
| 53014 | 2SC1779 | Silikon NPN Planar | Unknow |
| 53015 | 2SC1779 | Silikon NPN Planar | Unknow |
| 53016 | 2SC1781 | HOCHFREQUENZVERSTÄRKER-MITTLERE GESCHWINDIGKEIT SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 53017 | 2SC1781 | HOCHFREQUENZVERSTÄRKER-MITTLERE GESCHWINDIGKEIT SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 53018 | 2SC1781H | HOCHFREQUENZVERSTÄRKER-MITTLERE GESCHWINDIGKEIT SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 53019 | 2SC1781H | HOCHFREQUENZVERSTÄRKER-MITTLERE GESCHWINDIGKEIT SCHALTUNG | Hitachi Semiconductor |
| 53020 | 2SC1787 | SI NPN EPITAXIAL- PLANARES | Panasonic |
| 53021 | 2SC1787 | SI NPN EPITAXIAL- PLANARES | Panasonic |
| 53022 | 2SC1788 | Mittlere Endverstärker und Schalter | Unknow |
| 53023 | 2SC1788 | Mittlere Endverstärker und Schalter | Unknow |
| 53024 | 2SC1789 | Silikon NPN Epitaxial- Planares | Unknow |
| 53025 | 2SC1789 | Silikon NPN Epitaxial- Planares | Unknow |
| 53026 | 2SC1809 | Epitaxial- Planarer NPN Silikon-Transistor | ROHM |
| 53027 | 2SC1809 | Epitaxial- Planarer NPN Silikon-Transistor | ROHM |
| 53028 | 2SC1810 | SPEZIFIKATION TRANSISTOREN, Dioden | SONY |
| 53029 | 2SC1810 | SPEZIFIKATION TRANSISTOREN, Dioden | SONY |
| 53030 | 2SC1815 | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Tonfrequenz-universelle Verstärker-Anwendungen Treiberstufe Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 53031 | 2SC1815 | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR | Micro Electronics |
| 53032 | 2SC1815(L) | Epitaxial- Art des Transistor-Silikon-NPN (PCT Prozeß) Tonfrequenz-Spannung Verstärker-Anwendungen niedrige Geräusch-Verstärker-Anwendungen | TOSHIBA |
| 53033 | 2SC1815L | TRANSISTOR (TONFREQUENZ-SPANNUNG NIEDRIGE GERÄUSCH-VERSTÄRKER-ANWENDUNGEN) | TOSHIBA |
| 53034 | 2SC1816 | SPEZIFIKATION TRANSISTORSS, Dioden | Unknow |
| 53035 | 2SC1816 | SPEZIFIKATION TRANSISTORSS, Dioden | Unknow |
| 53036 | 2SC1817 | RP ENERGIE TRANSISTOR | SONY |
| 53037 | 2SC1817 | RP ENERGIE TRANSISTOR | SONY |
| 53038 | 2SC1819 | Silikon NPN Dreifaches Zerstreutes Planares | Unknow |
| 53039 | 2SC1819 | Silikon NPN Dreifaches Zerstreutes Planares | Unknow |
| 53040 | 2SC1827 | NPN EPITAXIAL- FREQUENZ-ENDVERSTÄRKER DES SILIKON-TRANSISTOR(LOW) | Wing Shing Computer Components |
| | | |
