| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 54401 | 2SC3623A | Silikontransistor | NEC |
| 54402 | 2SC3623A(M)-T | Silikontransistor | NEC |
| 54403 | 2SC3623A-T | Silikontransistor | NEC |
| 54404 | 2SC3623A-T/JM | Silikontransistor | NEC |
| 54405 | 2SC3623A/JM | Silikontransistor | NEC |
| 54406 | 2SC3624 | TONFREQUENZ-VERSTÄRKER, ZUGESCHALTETE NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-ENERGIE MINIFORM | NEC |
| 54407 | 2SC3624-L | Silikontransistor | NEC |
| 54408 | 2SC3624-T1B | Silikontransistor | NEC |
| 54409 | 2SC3624-T2B | Silikontransistor | NEC |
| 54410 | 2SC3624A | TONFREQUENZ-VERSTÄRKER, ZUGESCHALTETE NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR-ENERGIE MINIFORM | NEC |
| 54411 | 2SC3624A-L | Silikontransistor | NEC |
| 54412 | 2SC3624A-T1B | Silikontransistor | NEC |
| 54413 | 2SC3624A-T2B | Silikontransistor | NEC |
| 54414 | 2SC3625 | 8A; 40W; V (CEO): 400V; NPN-Transistor ist. Zum Schalten von Regulierung | TOSHIBA |
| 54415 | 2SC3628 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 54416 | 2SC3629 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 54417 | 2SC3630 | EPITAXIAL- PLANARE ART DES RF ENERGIE TRANSISTOR-NPN | Mitsubishi Electric Corporation |
| 54418 | 2SC3631 | Silikontransistor | NEC |
| 54419 | 2SC3631-Z | NPN SILIKON-DREIERGRUPPE ZERSTREUTER TRANSISTOR MP-3 | NEC |
| 54420 | 2SC3632 | Silikontransistor | NEC |
| 54421 | 2SC3632-Z | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MP-3 | NEC |
| 54422 | 2SC3632Z | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MP-3 | NEC |
| 54423 | 2SC3632Z | NPN SILIKON-EPITAXIAL- TRANSISTOR MP-3 | NEC |
| 54424 | 2SC3636 | Sehr High-Definition Anzeige Horizontale Ablenkung Ausgang Anwendungen | SANYO |
| 54425 | 2SC3637 | Sehr High-Definition Anzeige Horizontale Ablenkung Ausgang Anwendungen | SANYO |
| 54426 | 2SC3638 | Sehr High-Definition Anzeige Horizontale Ablenkung Ausgang Anwendungen | SANYO |
| 54427 | 2SC3642 | Ultrahoch-Definition Anzeige Horizontale Ablenkung Ausgang Anwendungen | SANYO |
| 54428 | 2SC3643 | Sehr High-Definition Anzeige Horizontale Ablenkung Ausgang Anwendungen | SANYO |
| 54429 | 2SC3644 | Ultrahoch-Definition Anzeige Horizontale Ablenkung Ausgang Anwendungen | SANYO |
| 54430 | 2SC3645 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistoren Hoch-Spannung Schaltung, Predriver Anwendungen | SANYO |
| 54431 | 2SC3646 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistoren Hoch-Spannung Schaltung Anwendungen | SANYO |
| 54432 | 2SC3647 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistoren Hoch-Spannung Schaltung Anwendungen | SANYO |
| 54433 | 2SC3648 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistoren Hoch-Spannung Schaltung, Predriver Anwendungen | SANYO |
| 54434 | 2SC3649 | NPN Epitaxial- Planare Silikon-Transistoren Hoch-Spannung Schaltung Anwendungen | SANYO |
| 54435 | 2SC3650 | NPN Epitaxial- planarer Silikon-Transistor hohes hFE, Niedrig-Frequenz Allgemein-Zweck Verstärker-Anwendungen | SANYO |
| 54436 | 2SC3651 | NPN Epitaxial- planarer Silikon-Transistor hohes hFE, Niedrig-Frequenz Allgemein-Zweck Verstärker-Anwendungen | SANYO |
| 54437 | 2SC3651 | High Gain, Low Frequency, General Purpose NPN-Transistor-Verstärker | ON Semiconductor |
| 54438 | 2SC3652 | EPITAXIAL- HOCHFREQUENZVERSTÄRKER DES SILIKON-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 54439 | 2SC3652 | EPITAXIAL- HOCHFREQUENZVERSTÄRKER DES SILIKON-NPN | Hitachi Semiconductor |
| 54440 | 2SC3657 | DREIFACHE ZERSTREUTE ART DES TRANSISTOR-SILIKON-NPN. GETASTETES NETZTEIL UND HOCHSPANNUNG-SCHALTUNG ANWENDUNGEN. SCHNELLDC-DC KONVERTER-ANWENDUNGEN. | TOSHIBA |
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