| Nr. | Teilname | Beschreibung | Hersteller |
| 569281 | IRFD9110 | 0.7A/ 100V/ 1.200 Ohm P-Führung Energie Mosfet | Intersil |
| 569282 | IRFD9120 | -100V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem HEXDIP Paket | International Rectifier |
| 569283 | IRFD9120 | 1.0A/ 100V/ 0.6 Ohm P-Führung Energie Mosfet | Intersil |
| 569284 | IRFD9210 | -200V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem HEXDIP Paket | International Rectifier |
| 569285 | IRFD9220 | -200V Single P-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem HEXDIP Paket | International Rectifier |
| 569286 | IRFD9220 | 0.6A/ 200V/ 1.500 Ohm P-Führung Energie Mosfet | Intersil |
| 569287 | IRFDC20 | 600V Single N-Führung HEXFET Energie MOSFET in einem HEXDIP Paket | International Rectifier |
| 569288 | IRFE024 | 60V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem 18-Stift LCC Paket | International Rectifier |
| 569289 | IRFE024 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFET | SemeLAB |
| 569290 | IRFE110 | 100V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem 18-Stift LCC Paket | International Rectifier |
| 569291 | IRFE120 | 100V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem 18-Stift LCC Paket | International Rectifier |
| 569292 | IRFE130 | 100V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem 18-Stift LCC Paket | International Rectifier |
| 569293 | IRFE130 | N-CHANNEL ENERGIE MOSFET | SemeLAB |
| 569294 | IRFE210 | 200V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem 18-Stift LCC Paket | International Rectifier |
| 569295 | IRFE220 | 200V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem 18-Stift LCC Paket | International Rectifier |
| 569296 | IRFE230 | 200V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem 18-Stift LCC Paket | International Rectifier |
| 569297 | IRFE230 | 200V Vdss N-Kanal-FET (Feldeffekttransistor) | SemeLAB |
| 569298 | IRFE310 | 400V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem 18-Stift LCC Paket | International Rectifier |
| 569299 | IRFE320 | 400V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem 18-Stift LCC Paket | International Rectifier |
| 569300 | IRFE330 | 400V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem 18-Stift LCC Paket | International Rectifier |
| 569301 | IRFE420 | 500V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem 18-Stift LCC Paket | International Rectifier |
| 569302 | IRFE430 | 500V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem 18-Stift LCC Paket | International Rectifier |
| 569303 | IRFE9024 | -60V Single P-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem 18-Stift LCC Paket | International Rectifier |
| 569304 | IRFE9110 | -100V Single P-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem 18-Stift LCC Paket | International Rectifier |
| 569305 | IRFE9110 | P-CHANNEL ENERGIE MOSFET | SemeLAB |
| 569306 | IRFE9120 | -100V Single P-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem 18-Stift LCC Paket | International Rectifier |
| 569307 | IRFE9130 | -100V Single P-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem 18-Stift LCC Paket | International Rectifier |
| 569308 | IRFE9130 | P-CHANNEL ENERGIE MOSFET | SemeLAB |
| 569309 | IRFE9210 | -200V Single P-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem 18-Stift LCC Paket | International Rectifier |
| 569310 | IRFE9220 | -200V Single P-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem 18-Stift LCC Paket | International Rectifier |
| 569311 | IRFE9230 | -200V Single P-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem 18-Stift LCC Paket | International Rectifier |
| 569312 | IRFE9230 | P-CHANNEL ENERGIE MOSFET | SemeLAB |
| 569313 | IRFEA240 | 200V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in 28-Stiften LCC Paket | International Rectifier |
| 569314 | IRFF024 | 60V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-205AF Paket | International Rectifier |
| 569315 | IRFF110 | 100V Single N-Führung Hallo-Rel MOSFET in einem TO-205AF Paket | International Rectifier |
| 569316 | IRFF110 | 3.5A/ 100V/ 0.600 Ohm N-Führung Energie Mosfet | Intersil |
| 569317 | IRFF110 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom 3,5A. | General Electric Solid State |
| 569318 | IRFF110 | N-Kanal-Anreicherungsmode-Silizium-Gate TMOS Kleinsignal-Feldeffekttransistor. | Motorola |
| 569319 | IRFF111 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 60V. Drain-Gleichstrom 3,5A. | General Electric Solid State |
| 569320 | IRFF112 | N-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-Feldeffekttransistor ist. Drain-Spannung sourge 100V. Drain-Gleichstrom 3.0A. | General Electric Solid State |
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