| 28211 | MGP11N60ED-D | Isoliergatter-zweipoliger Transistor mit Anti-Parallelem Diode N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter | ON Semiconductor |
| 28212 | MGP14N60E-D | Isoliergatter-Zweipoliges Transistor N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter | ON Semiconductor |
| 28213 | MGP15N35CL | Zündung IGBT 15 Ampere, 350 Volt | ON Semiconductor |
| 28214 | MGP15N35CL-D | Zündung IGBT 15 Ampere, 350 Volt N-Führung TO-220 und D2PAK | ON Semiconductor |
| 28215 | MGP15N38CL | Innerlich Festgeklemmte N-Führung IGBT | ON Semiconductor |
| 28216 | MGP15N38CL-D | Zündung IGBT 15 Ampere, 380 Volt N-Führung TO-220 und D2PAK | ON Semiconductor |
| 28217 | MGP15N40CL | Zündung IGBT 15 Ampere, 410 Volt | ON Semiconductor |
| 28218 | MGP15N40CL-D | Zündung IGBT 15 Ampere, 410 Volt N-Führung TO-220 und D2PAK | ON Semiconductor |
| 28219 | MGP15N43CL | Innerlich Festgeklemmte N-Führung IGBT | ON Semiconductor |
| 28220 | MGP15N43CL-D | Zündung IGBT 15 Ampere, 430 Volt N-Führung TO-220 und D2PAK | ON Semiconductor |
| 28221 | MGP15N60U-D | Isoliergatter-Zweipoliges Transistor N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter | ON Semiconductor |
| 28222 | MGP19N35CL | Zündung IGBT 19 Ampere, 350 Volt | ON Semiconductor |
| 28223 | MGP19N35CL-D | Zündung IGBT 19 Ampere, 350 Volt N-Führung TO-220 und D2PAK | ON Semiconductor |
| 28224 | MGP20N14CL-D | SMARTDISCRETES Innerlich Festgeklemmt, N-Führung IGBT | ON Semiconductor |
| 28225 | MGP20N35CL-D | SMARTDISCRETES Innerlich Festgeklemmt, N-Führung IGBT | ON Semiconductor |
| 28226 | MGP20N40CL-D | SMARTDISCRETES Innerlich Festgeklemmt, N-Führung IGBT | ON Semiconductor |
| 28227 | MGP20N60U-D | Isoliergatter-Zweipoliges Transistor N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter | ON Semiconductor |
| 28228 | MGP21N60E-D | Isoliergatter-Zweipoliges Transistor N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter | ON Semiconductor |
| 28229 | MGP4N60E-D | Isoliergatter-Zweipoliges Transistor N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter | ON Semiconductor |
| 28230 | MGP4N60ED | Isoliergatter-zweipoliger Transistor mit Anti-Paralleler Diode | ON Semiconductor |
| 28231 | MGP4N60ED-D | Isoliergatter-zweipoliger Transistor mit Anti-Parallelem Diode N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter | ON Semiconductor |
| 28232 | MGP7N60E-D | Isoliergatter-Zweipoliges Transistor N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter | ON Semiconductor |
| 28233 | MGP7N60ED | Isoliergatter-zweipoliges Transistor withr Anti-Parallele Diode | ON Semiconductor |
| 28234 | MGP7N60ED-D | Isoliergatter-zweipoliger Transistor mit Anti-Parallelem Diode N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter | ON Semiconductor |
| 28235 | MGS05N60D-D | Isoliergatter-Zweipoliges Transistor N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter | ON Semiconductor |
| 28236 | MGS13002D | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Kanal | ON Semiconductor |
| 28237 | MGS13002D-D | Isoliergatter-Zweipoliges Transistor N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter | ON Semiconductor |
| 28238 | MGSF1N02EL | Energie MOSFET 750 mAmps, 20 Volt | ON Semiconductor |
| 28239 | MGSF1N02ELT1 | Energie MOSFET 750 mAmps, 20 Volt | ON Semiconductor |
| 28240 | MGSF1N02ELT1-D | Energie MOSFET 750 mAmps, 20 Volt N-Führung SOT-23 | ON Semiconductor |
| 28241 | MGSF1N02ELT1G | Energie MOSFET 750 mAmps, 20 Volt | ON Semiconductor |
| 28242 | MGSF1N02ELT3 | Energie MOSFET 750 mAmps, 20 Volt | ON Semiconductor |
| 28243 | MGSF1N02L | Energie MOSFET 750 mAmps, 20 Volt | ON Semiconductor |
| 28244 | MGSF1N02LT1 | Energie MOSFET 750 mAmps, 20 Volt | ON Semiconductor |
| 28245 | MGSF1N02LT1-D | Energie MOSFET 750 mAmps, 20 Volt N-Führung SOT-23 | ON Semiconductor |
| 28246 | MGSF1N02LT1G | Energie MOSFET 750 mAmps, 20 Volt | ON Semiconductor |
| 28247 | MGSF1N02LT3 | Energie MOSFET 750 mAmps, 20 Volt | ON Semiconductor |
| 28248 | MGSF1N03L | Energie MOSFET 750 mAmps, 30 Volt | ON Semiconductor |
| 28249 | MGSF1N03LT1 | Energie MOSFET 750 mAmps, 30 Volt | ON Semiconductor |
| 28250 | MGSF1N03LT1G | Energie MOSFET 750 mAmps, 30 Volt | ON Semiconductor |
| 28251 | MGSF1N03LT3 | Energie MOSFET 750 mAmps, 30 Volt | ON Semiconductor |
| 28252 | MGSF1N03LT3G | Energie MOSFET 750 mAmps, 30 Volt | ON Semiconductor |
| 28253 | MGSF1P02EL | Energie MOSFET 750 mAmps, 20 Volt | ON Semiconductor |
| 28254 | MGSF1P02EL | Energie MOSFET 750 mAmps, 20 Volt | ON Semiconductor |
| 28255 | MGSF1P02ELT1 | Energie MOSFET 750 mAmps, 20 Volt | ON Semiconductor |
| 28256 | MGSF1P02ELT1 | Energie MOSFET 750 mAmps, 20 Volt | ON Semiconductor |
| 28257 | MGSF1P02ELT1-D | Energie MOSFET 750 mAmps, 20 Volt P-Führung SOT-23 | ON Semiconductor |
| 28258 | MGSF1P02ELT3 | Energie MOSFET 750 mAmps, 20 Volt | ON Semiconductor |
| 28259 | MGSF1P02ELT3 | Energie MOSFET 750 mAmps, 20 Volt | ON Semiconductor |
| 28260 | MGSF1P02L | Energie MOSFET 750 mAmps, 20 Volt | ON Semiconductor |
| 28261 | MGSF1P02LT1 | Energie MOSFET 750 mAmps, 20 Volt | ON Semiconductor |
| 28262 | MGSF1P02LT1-D | Energie MOSFET 750 mAmps, 20 Volt P-Führung SOT-23 | ON Semiconductor |
| 28263 | MGSF1P02LT1G | Energie MOSFET 750 mAmps, 20 Volt | ON Semiconductor |
| 28264 | MGSF1P02LT3 | Energie MOSFET 750 mAmps, 20 Volt | ON Semiconductor |
| 28265 | MGSF1P02LT3G | Energie MOSFET 750 mAmps, 20 Volt | ON Semiconductor |
| 28266 | MGSF2N02E | 2.8 Ampere, 20 Volt, N | ON Semiconductor |
| 28267 | MGSF2N02EL | Energie Mosfet 2.8 Ampere, 20 Volt | ON Semiconductor |
| 28268 | MGSF2N02EL-D | Energie Mosfet 2.8 Ampere, 20 Volt N-Führung SOT-23 | ON Semiconductor |
| 28269 | MGSF2N02ELT1 | Energie Mosfet 2.8 Ampere, 20 Volt | ON Semiconductor |
| 28270 | MGSF2N02ELT1G | Energie Mosfet 2.8 Ampere, 20 Volt | ON Semiconductor |
| 28271 | MGSF2N02ELT3 | Energie Mosfet 2.8 Ampere, 20 Volt | ON Semiconductor |
| 28272 | MGSF2N02ELT3G | Energie Mosfet 2.8 Ampere, 20 Volt | ON Semiconductor |
| 28273 | MGSF2P02HD | Energie Mosfet 2 Ampere, 20 Volt | ON Semiconductor |
| 28274 | MGSF2P02HD-D | Energie Mosfet 2 Ampere, 20 Volt P-Führung TSOP-6 | ON Semiconductor |
| 28275 | MGSF2P02HDT1 | Energie Mosfet 2 Ampere, 20 Volt | ON Semiconductor |
| 28276 | MGSF2P02HDT3 | Energie Mosfet 2 Ampere, 20 Volt | ON Semiconductor |
| 28277 | MGSF3441VT1 | VERALTET - ERSATZ P / N # - NTGS3441T1 | ON Semiconductor |
| 28278 | MGSF3441VT1-D | Niedrige Rds(on) Klein-Signal MOSFETs TMOS Einzelne P-Führung Fangen Effekt-Transistoren auf | ON Semiconductor |
| 28279 | MGSF3441XT1 | VERALTET - ERSATZ P / N # - NTGS3441T1 | ON Semiconductor |
| 28280 | MGSF3441XT1-D | Niedrige Rds(on) Klein-Signal MOSFETs TMOS Einzelne P-Führung Fangen Effekt-Transistoren auf | ON Semiconductor |
| 28281 | MGSF3442VT1 | VERALTET - Power MOSFET 4 Ampere, 20 Volt | ON Semiconductor |
| 28282 | MGSF3442VT1-D | Energie Mosfet 4 Ampere, 20 Volt N-Führung TSOP-6 | ON Semiconductor |
| 28283 | MGSF3442XT1 | Einzel-MOSFET-N-Kanal | ON Semiconductor |
| 28284 | MGSF3442XT1-D | Niedrige Rds(on) Klein-Signal MOSFETs TMOS Einzelne N-Führung Fangen Effekt-Transistoren auf | ON Semiconductor |
| 28285 | MGSF3454VT1-D | Niedrige Rds(on) Klein-Signal MOSFETs TMOS Einzelne N-Führung Fangen Effekt-Transistoren auf | ON Semiconductor |
| 28286 | MGSF3454XT1 | Einzel-MOSFET-N-Kanal | ON Semiconductor |
| 28287 | MGSF3454XT1-D | Niedrige Rds(on) Klein-Signal MOSFETs TMOS Einzelne N-Führung Fangen Effekt-Transistoren auf | ON Semiconductor |
| 28288 | MGSF3455VT1-D | Niedrige Rds(on) Klein-Signal MOSFETs TMOS Einzelne P-Führung Fangen Effekt-Transistoren auf | ON Semiconductor |
| 28289 | MGSF3455XT1 | Einzel-MOSFET-P-Kanal | ON Semiconductor |
| 28290 | MGSF3455XT1-D | Niedrige Rds(on) Klein-Signal MOSFETs TMOS Einzelne P-Führung Fangen Effekt-Transistoren auf | ON Semiconductor |
| 28291 | MGW12N120 | Insulated Gate Bipolar Transistor N-Kanal | ON Semiconductor |
| 28292 | MGW12N120-D | Isoliergatter-Zweipoliges Transistor N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter | ON Semiconductor |
| 28293 | MGW12N120D | Insulated Gate Bipolar Transistor mit antiparallelen Dioden N-Kanal | ON Semiconductor |
| 28294 | MGW12N120D-D | Isoliergatter-zweipoliger Transistor mit Anti-Parallelem Diode N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter | ON Semiconductor |
| 28295 | MGW14N60ED | Isoliergatter-Zweipoliger Transistor | ON Semiconductor |
| 28296 | MGW14N60ED-D | Isoliergatter-Zweipoliges Transistor N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter | ON Semiconductor |
| 28297 | MGW20N120 | VERALTET - Insulated Gate Bipolar Transistor N-Kanal | ON Semiconductor |
| 28298 | MGW20N120-D | Isoliergatter-Zweipoliges Transistor N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter | ON Semiconductor |
| 28299 | MGW21N60ED-D | Isoliergatter-Zweipoliges Transistor N-Führung Verbesserung-Modus Silikon-Gatter | ON Semiconductor |
| 28300 | MGY20N120D | Insulated Gate Bipolar Transistor mit antiparallelen Dioden N-Kanal | ON Semiconductor |
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