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Datenblaetter Gefunden :: 10329

Nr.	Teilname	Beschreibung	Hersteller
1	128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)	128Mx72 SDRAM DIMM mit PLL u. Register basiert auf Staplungs128Mx4, 4Banks 8K Verweis, 3.3V SDRAMs mit SPD Serienanwesenheit Detec	Samsung Electronic
2	128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)	128Mx72 SDRAM DIMM mit PLL u. Register basiert auf Staplungs128Mx4, 4Banks 8K Verweis, 3.3V SDRAMs mit SPD Leistungsblatt	Samsung Electronic
3	128MX72 SDRAM (INTEL 1.2 VER BASE)	128Mx72 SDRAM DIMM mit PLL u. Register basiert auf Staplungs128Mx4, 4Banks 8K Verweis, 3.3V SDRAMs mit SPD Leistungsblatt	Samsung Electronic
4	16L102DA4	VAKUUMLEUCHTSTOFFCANZEIGEBAUGRUPPE	Samsung Electronic
5	16T202DA1J	VAKUUMLEUCHTSTOFFCANZEIGEBAUGRUPPE	Samsung Electronic
6	20S207DA4	VAKUUMLEUCHTSTOFFCANZEIGEBAUGRUPPE	Samsung Electronic
7	256MBDDRSDRAM	DDRSDRAMSpecificationVersion0.3	Samsung Electronic
8	2N3903	npn Epitaxial- Silikontransistor	Samsung Electronic
9	2N3905	PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
10	2N4123	NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic

11	2N4124	NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
12	2N4125	PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
13	2N4126	PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
14	2N5086	PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
15	2N5089	NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
16	2N5210	NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
17	2N5400	PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
18	2N5401	PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
19	2N5550	NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
20	2N6427	NPN EPITAXIAL- TRANSISTOR DES SILIKON-DARLINGTON	Samsung Electronic
21	2N6428	NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
22	2N6428A	NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
23	2N6516	NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
24	2N6517	NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
25	2N6518	PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
26	2N6519	PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
27	2N6520	PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
28	62256	Spitze 32Kx8 niedriges Energie CMOS Static RAM	Samsung Electronic
29	B772	PNP (TONFREQUENZ-ENDVERSTÄRKER-LANGSAME SCHALTUNG)	Samsung Electronic
30	BCW30	PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
31	BCW32	NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
32	BCW33	NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
33	BCW60A	NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
34	BCW60B	NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
35	BCW60C	NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
36	BCW60D	NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
37	BCW61A	PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
38	BCW61B	PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
39	BCW61C	PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
40	BCW61D	PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
41	BCW69	PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
42	BCW70	PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
43	BCW71	NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
44	BCW72	NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
45	BCX70G	NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
46	BCX70H	NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
47	BCX70J	NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
48	BCX70K	NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
49	BCX71G	PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
50	BCX71H	PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
51	BCX71J	PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
52	BCX71K	PNP EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
53	BL8531H	12 Bit 10MSPS ADC	Samsung Electronic
54	BL8531H-ADC	12 Bit 10MSPS ADC	Samsung Electronic
55	BU406	400 V, 7 A, NPN Silizium-Epitaxie-Transistor	Samsung Electronic
56	BU406H	400 V, 7 A, NPN Silizium-Epitaxie-Transistor	Samsung Electronic
57	BU407	NPN EPITAXIAL- SILIKON-TRANSISTOR	Samsung Electronic
58	BU407H	330 V, 7 A, NPN Silizium-Epitaxie-Transistor	Samsung Electronic
59	BU408	400 V, 7 A, NPN Silizium-Epitaxie-Transistor	Samsung Electronic
60	BU806	400 V, 8 A, epitaktischen Silizium NPN Darlington-Transistor	Samsung Electronic
61	BU807	400 V, 8 A, epitaktischen Silizium NPN Darlington-Transistor	Samsung Electronic
62	C9658	MIKROCONTROLLER	Samsung Electronic
63	CL10B224	Mehrschichtiger Keramischer Kondensator	Samsung Electronic
64	CL21C220	Mehrschichtiger Keramischer Kondensator	Samsung Electronic
65	CM-1429	PWB Schaltplan	Samsung Electronic
66	CM-1829	PWB Schaltplan	Samsung Electronic
67	CM1419	8-2 PWB Schaltplan	Samsung Electronic
68	CM1429	8-2 PWB Schaltplan	Samsung Electronic
69	CM1819	8-2 PWB Schaltplan	Samsung Electronic
70	CM1829	8-2 PWB Schaltplan	Samsung Electronic
71	CM1829-1429	PWB Schaltplan	Samsung Electronic
72	CMOS DRAM	EDO Modus, Vorrichtung x4 und x8 zeitliche Regelung Diagramm	Samsung Electronic
73	CMOS SDRAM	Cmos SDRAM Vorrichtung Betriebe	Samsung Electronic
74	CW5322X	SDH104	Samsung Electronic
75	DA22497	FM VORDERES ENDE	Samsung Electronic
76	DA22497D	FM VORDERES ENDE	Samsung Electronic
77	DDRSDRAM	DDR SDRAM Spezifikation Version 0.61	Samsung Electronic
78	DDRSDRAM1111	DDR SDRAM Spezifikation Version 1.0	Samsung Electronic
79	DIRECT RDRAM	Direktes RDRAM. Vorrichtung Betrieb	Samsung Electronic
80	DS_K1S161611A	Spitze 1Mx16 Uni-Transistor RAM	Samsung Electronic
81	DS_K1S16161CA	Spitze 1Mx16 Seite Modus Uni-Transistor RAM	Samsung Electronic
82	DS_K4D263238D	1M x 32Bit x 4 Bänke verdoppeln Datenrate synchronen DRAM mit Umkehrdaten-Röhrenblitz und DLL	Samsung Electronic
83	DS_K4S161622D	1M x 16 SDRAM	Samsung Electronic
84	DS_K4S161622E	1M x 16 SDRAM	Samsung Electronic
85	DS_K6F1016U4C	64K x16 Spitze niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOSStatic RAM	Samsung Electronic
86	DS_K6F2008U2E	Spitze 256Kx8 niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAM	Samsung Electronic
87	DS_K6F2016U4E	128K x16 Spitze niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAM	Samsung Electronic
88	DS_K6F3216T6M	2M Spitze x16 niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAM	Samsung Electronic
89	DS_K6F4016U6G	Spitze 256Kx16 niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAM	Samsung Electronic
90	DS_K6F8016U6B	512K x16 Spitze niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAM	Samsung Electronic
91	DS_K6F8016U6C	512K x16 Spitze niedrige Superenergie und Niederspannung volles CMOS Static RAM	Samsung Electronic
92	DS_K6X8008C2B	Spitze 1Mx8 niedrige Energie und Niederspannung CMOS Static RAM	Samsung Electronic
93	DS_K6X8008TBN	CMOS SRAM	Samsung Electronic
94	DS_K6X8016C3B	64Kx36 U. 64Kx32-Bit Synchroner Durch Rohre geleiteter Stoß SRAM	Samsung Electronic
95	DS_K7A803600B	256Kx36	Samsung Electronic
96	DS_K7B803625B	256Kx36 U. 512Kx18-Bit Synchroner Stoß SRAM	Samsung Electronic
97	DS_K7M323625M	1Mx36 U. 2Mx18 Fließen-Durch NtRAM	Samsung Electronic
98	DS_K7M803625B	256Kx36 U. 512Kx18-Bit Fließen NtRAM Durch	Samsung Electronic
99	DS_K7N163601A	512Kx36 U. 1Mx18 Leiteten NtRAM Durch Rohre	Samsung Electronic
100	DS_K7N323601M	1Mx36 U. 2Mx18-Bit Leiteten NtRAM Durch Rohre	Samsung Electronic

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