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Datenblaetter Gefunden :: 25532

Nr.	Teilname	Beschreibung	Hersteller
19901	STB19NB20	N-CHANNEL 200V - 0.150 OHM - 19A D2PAK POWERMESH MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19902	STB200NF03	N-Kanal 30V - 0,0032 Ohm - 120A D2PAK / I2PAK / TO-220-Leistungs-MOSFET STripFET II	SGS Thomson Microelectronics
19903	STB200NF03-1	N-Kanal 30V - 0,0032 Ohm - 120A D2PAK / I2PAK / TO-220-Leistungs-MOSFET STripFET II	SGS Thomson Microelectronics
19904	STB200NF03T4	N-Kanal 30V - 0,0032 Ohm - © ÷ 120A von Pak / I © ÷ PAK / TO-220-Leistungs-MOSFET STripFET A II	SGS Thomson Microelectronics
19905	STB20NE06	N-CHANNEL 60V -0.06 OHM - 20A D2PAK STRIPFET ENERGIE MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19906	STB20NE06	N - FÜHRUNG 60V - 0.06 Ohm - 20A D 2 PAK STripFET ENERGIE Mosfet	SGS Thomson Microelectronics
19907	STB20NE06L	N - FÜHRUNG 60V - 0.06 Ohm - 20A TO-263 STripFET ENERGIE Mosfet	SGS Thomson Microelectronics
19908	STB20NE06L	N-CHANNEL 60V - 0.06 OHM - 20A D2PAK STRIPFET ENERGIE MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19909	STB20NM50	N-CHANNEL 500V 0.20 ENERGIE MOSFET DES OHM-20A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDMESH	SGS Thomson Microelectronics
19910	STB20NM50-1	N-CHANNEL 500V 0.20 ENERGIE MOSFET DES OHM-20A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDMESH	SGS Thomson Microelectronics

19911	STB20NM50FD	N-CHANNEL 500V 0.20 ENERGIE MOSFET DES OHM-20A D2PAK FDMESH	SGS Thomson Microelectronics
19912	STB20NM50FD-1	N-CHANNEL 500V 0.22 ENERGIE MOSFET DES OHM-20A TO-220/I2PAK FDMESH	SGS Thomson Microelectronics
19913	STB20NM60	N-CHANNEL 600V 0.25 ENERGIE MOSFET DES OHM-20A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDMESH	SGS Thomson Microelectronics
19914	STB20NM60-1	N-CHANNEL 600V 0.25 ENERGIE MOSFET DES OHM-20A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDMESH	SGS Thomson Microelectronics
19915	STB210NF02	N-CHANNEL 20V - 0.0026 OHM - 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19916	STB210NF02-1	N-CHANNEL 20V - 0.0026 OHM - 120A D2PAK/I2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19917	STB22NE03L	N-CHANNEL 30V - 0.034 OHM - 22A D2PAK STRIPFET ENERGIE MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19918	STB22NE03L	N - FÜHRUNG 30V - 0.034 Ohm - 22A TO-263 STripFET ENERGIE Mosfet	SGS Thomson Microelectronics
19919	STB24NF10	N - FÜHRUNG 100V - 0.07Ohm - 24A TO-263 NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STripFET ENERGIE Mosfet	SGS Thomson Microelectronics
19920	STB24NF10	N-CHANNEL 100V - 0.07 OHM - 24A D2PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19921	STB3015L	N - FÜHRUNG 30V - 0.013 W - 40A - D 2 PAK/TO-220 STripFET ENERGIE Mosfet	SGS Thomson Microelectronics
19922	STB3015L	N-CHANNEL 30V - 0.013 OHM - 40A D2PAK/TO-220 STRIPFET ENERGIE MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19923	STB3020L	N - FÜHRUNG 30V - 0.019W - 40A - D 2 PAK STripFET ENERGIE Mosfet	SGS Thomson Microelectronics
19924	STB30N10	ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN	SGS Thomson Microelectronics
19925	STB30N10	N - FÜHRUNG 100V - 0.06Ohm - 30A - D 2 PAK ENERGIE MOS TRANSISTOR	SGS Thomson Microelectronics
19926	STB30NE06L	N-CHANNEL 60V - 0.35 OHM - 30A D2PAK STRIPFET ENERGIE MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19927	STB30NE06L	N - FÜHRUNG 60V - 0.35 Ohm - 30A - D 2 PAK STripFET ENERGIE Mosfet	SGS Thomson Microelectronics
19928	STB30NF10	N-CHANNEL 100V 0.038 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET DES OHM-35A TO-220/TO-220FP/D2PAK NIEDRIGER ENERGIE II MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19929	STB35NF10	N-CHANNEL 100V 0.030 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET DES OHM-40A TO-220/D2PAK NIEDRIGER	SGS Thomson Microelectronics
19930	STB36NF02L	N-CHANNEL 20V - 0.016 W - 36A D 2 PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STripFET ENERGIE Mosfet	SGS Thomson Microelectronics
19931	STB36NF03L	N - FÜHRUNG 30V - 0.015 Ohm - 36A D 2 PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STripFET ENERGIE Mosfet	SGS Thomson Microelectronics
19932	STB36NF03L	N-CHANNEL 30V - 0.015 OHM - 36A D2PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19933	STB3N60-1	ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN	SGS Thomson Microelectronics
19934	STB3NA60-1	N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTOR	SGS Thomson Microelectronics
19935	STB3NA80	N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTOR	SGS Thomson Microelectronics
19936	STB3NB60	N - FÜHRUNG 600V - 3.3 Ohm - 3.3A - D 2 PAK/I 2 PAK PowerMESH Mosfet	SGS Thomson Microelectronics
19937	STB3NC60	N - FÜHRUNG 600V - 3.3Ohm -3A-D 2 PAK/I 2 PAK PowerMESH II Mosfet	SGS Thomson Microelectronics
19938	STB3NC90Z	N-CHANNEL 900V 3.2 OHM3.5A D2PAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19939	STB3NC90Z-1	N-CHANNEL 900V 3.2 OHM3.5A TO-220/TO-220FP/I2PAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19940	STB40NE03L-20	N - EIGENSCHAFT GRÖSSE ] Des FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-?INGLE?OWER Mosfet	SGS Thomson Microelectronics
19941	STB40NE03L-20	ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN	SGS Thomson Microelectronics
19942	STB40NF03L	N-CHANNEL 30V - 0.020 OHM - 40A D2PAK STRIPFET ENERGIE MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19943	STB40NF03L	N - FÜHRUNG 30V - 0.020 Ohm - 40A D 2 PAK STripFET ENERGIE Mosfet	SGS Thomson Microelectronics
19944	STB40NF10	N-CHANNEL 100V - 0.025 OHM - 40A D2PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19945	STB40NF10	N - FÜHRUNG 100V - 0.030Ohm - 40A TO-263 NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STripFET ENERGIE Mosfet	SGS Thomson Microelectronics
19946	STB40NF10	N-CHANNEL 100V - 0.024 OHM - 50A TO-220/D2PAK NIEDRIGER GATTER-AUFLADUNG STRIPFET II ENERGIE MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19947	STB40NF10L	N-CHANNEL 100V 0.028 GATTER-AUFLADUNG STRIPFET ENERGIE MOSFET DES OHM-40A D2PAK NIEDRIGER	SGS Thomson Microelectronics
19948	STB40NS15	N-CHANNEL 150V 0.042 INEINANDERGREIFEN-TESTBLATTMOSFET DES OHM-40A D2PAK	SGS Thomson Microelectronics
19949	STB4395	CT2 RECEIVER/TRANSMITTER	SGS Thomson Microelectronics
19950	STB45N10L	ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN	SGS Thomson Microelectronics
19951	STB45N10L	N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR	SGS Thomson Microelectronics
19952	STB45NF06	N-CHANNEL 60V 0.022OHM 38A D2PAK STRIPFET ENERGIE MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19953	STB45NF06L	N-CHANNEL 60V - 0.022 OHM - 38A D2PAK STRIPFET II ENERGIE MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19954	STB45NF3LL	N-CHANNEL 30V 0.014 ENERGIE MOSFET DES OHM-45A D2PAK STRIPFET II	SGS Thomson Microelectronics
19955	STB4NB50	N - FÜHRUNG 500V - 2.5 Ohm - 3.8A - D2PAK/I2PAK PowerMESH Mosfet	SGS Thomson Microelectronics
19956	STB4NB80	N - FÜHRUNG 800V - 3 Ohm - 4A - PowerMESH Mosfet	SGS Thomson Microelectronics
19957	STB4NC50	N-CHANNEL 500V 2.2OHM 4A D2PAK POWERMESH II MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19958	STB4NC60	N-CHANNEL 600V 1.8 OHM4.2A D2PAK POWERMESH II MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19959	STB4NC60-1	N-CHANNEL 600V - 1.8 OHM - 4.2A TO-220/TO-220FP/I2PAK POWERMESH MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19960	STB4NC60A-1	N-CHANNEL 600V 1.8 OHM4.2A TO-220/TO-220FP/I2PAK POWERMESH II MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19961	STB4NC80Z-1	N-CHANNEL 800V 2.4 OHM4A TO-220 TO-220FP I2PAK ZENER GESCHÜTZTER POWERMESH III MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19962	STB50NE08	N - EIGENSCHAFT GRÖSSE?OWER Des FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-?INGLE Mosfet	SGS Thomson Microelectronics
19963	STB50NE10	N - FÜHRUNG 100V - 0.021Ohm - 50A - D 2 PAK STripFET ENERGIE Mosfet	SGS Thomson Microelectronics
19964	STB50NE10	N-CHANNEL 100V - 0.021 OHM - 50A - D2PAK STRIPFET ENERGIE MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19965	STB50NE10L	N - FÜHRUNG 100V - 0.020Ohm - 50A - D 2 PAK STripFET ENERGIE Mosfet	SGS Thomson Microelectronics
19966	STB55NE06	N - EIGENSCHAFT GRÖSSE?OWER Des FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-?INGLE Mosfet	SGS Thomson Microelectronics
19967	STB55NE06L	N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-"EINZELNE EIGENSCHAFT GRÖSSE" ENERGIE Mosfet	SGS Thomson Microelectronics
19968	STB55NF03L	N-CHANNEL 30V - 0.01 OHM - 55A D2PAK STRIPFET ENERGIE MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19969	STB55NF03L	N-CHANNEL 30V - 0.01 OHM - 55A TO220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II ENERGIE MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19970	STB55NF03L	N - FÜHRUNG 30V - 0.01 Ohm - 55A D 2 PAK STripFET ENERGIE Mosfet	SGS Thomson Microelectronics
19971	STB55NF03L-1	N-CHANNEL 30V - 0.01 OHM - 55A TO220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II ENERGIE MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19972	STB55NF06	N-CHANNEL 60V 0.018 ENERGIE MOSFET DES OHM-50A D2PAK STRIPFET	SGS Thomson Microelectronics
19973	STB55NF06-1	N-CHANNEL 60V 0.017 ENERGIE MOSFET DES OHM-50A TO-220/TO-220FP/I2PAK STRIPFET II	SGS Thomson Microelectronics
19974	STB55NF06L	N-CHANNEL 60V - 0.014 OHM - 55A T0-220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II ENERGIE MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19975	STB55NF06L-1	N-CHANNEL 60V - 0.014 OHM - 55A T0-220/D2PAK/I2PAK STRIPFET II ENERGIE MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19976	STB5600	GPS RF FRONT-END IS	SGS Thomson Microelectronics
19977	STB5610	GPS RF FRONT-END IS	SGS Thomson Microelectronics
19978	STB5NA50	ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN	SGS Thomson Microelectronics
19979	STB5NA50	N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-SCHNELLER ENERGIE MOS TRANSISTOR	SGS Thomson Microelectronics
19980	STB5NA80	ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN	SGS Thomson Microelectronics
19981	STB5NA80	N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR	SGS Thomson Microelectronics
19982	STB5NB60	N - FÜHRUNG 600V - 1.8 Ohm -5A - I 2 PAK/D 2 PAK PowerMESH Mosfet	SGS Thomson Microelectronics
19983	STB5NB80	N - FÜHRUNG 800V - 1.8 Ohm -5A - D 2 PAK PowerMESH Mosfet	SGS Thomson Microelectronics
19984	STB5NC70Z-1	N-CHANNEL 700V 1.8 OHM4.6A TO-220/TO-220FP/I2PAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19985	STB5NC90Z-1	N-CHANNEL 900V 2.1 OHM4.6A TO-220 TO-220FP I2PAK ZENER-PROTECTED POWERMESH III MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19986	STB60N03L-10	N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR	SGS Thomson Microelectronics
19987	STB60N06-14	N - FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-ENERGIE MOS TRANSISTOR	SGS Thomson Microelectronics
19988	STB60N06-14	ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN	SGS Thomson Microelectronics
19989	STB60NE03L-10	N - EIGENSCHAFT GRÖSSE ] Des FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-?INGLE?OWER Mosfet	SGS Thomson Microelectronics
19990	STB60NE03L-10	ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN	SGS Thomson Microelectronics
19991	STB60NE03L-12	N - FÜHRUNG 30V - 0.009 Ohm - 60A - D 2 PAK "EINZELNE EIGENSCHAFT GRÖSSE" ENERGIE Mosfet	SGS Thomson Microelectronics
19992	STB60NE03L-12	ALTES PRODUKT: NICHT VERWENDBAR FÜR NEUES DESIGN-IN	SGS Thomson Microelectronics
19993	STB60NE06-16	N - EIGENSCHAFT GRÖSSE?OWER Des FÜHRUNG VERBESSERUNG MODUS-?INGLE Mosfet	SGS Thomson Microelectronics
19994	STB60NE06-16	N-CHANNEL 60V - 0.013 OHM - 60A D2PAK STRIPFET II ENERGIE MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19995	STB60NE06L-16	N - FÜHRUNG 60V - 0.014 Ohm - 60A D 2 PAK STripFET ENERGIE Mosfet	SGS Thomson Microelectronics
19996	STB60NE06L-16	N-CHANNEL 60V - 0.014 OMH - 60A D2PAK STRIPFET II ENERGIE MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19997	STB60NF03L	N-CHANNEL 30V - 0.008 OHM - 60A D2PAK STRIPFET ENERGIE MOSFET	SGS Thomson Microelectronics
19998	STB60NF03L	N - FÜHRUNG 30V - 0.008 Ohm - 60A D 2 PAK STripFET ENERGIE Mosfet	SGS Thomson Microelectronics
19999	STB60NF06	N-CHANNEL 60V 0.014 ENERGIE MOSFET DES OHM-60A D2PAK STRIPFET	SGS Thomson Microelectronics
20000	STB60NF06L	N-CHANNEL 60V - 0.014 OHM - 60A D2PAK/TO-220 STRIPFET II ENERGIE MOSFET	SGS Thomson Microelectronics

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