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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
1138161SPI07N60C3para el & más bajo de las pérdidas de la conducción; la conmutación más rápidaInfineon
1138162SPI07N60S5para las pérdidas más bajas de la conducciónInfineon
1138163SPI07N65C3para el & más bajo de las pérdidas de la conducción; la conmutación más rápidaInfineon
1138164SPI08N50C3para el & más bajo de las pérdidas de la conducción; la conmutación más rápidaInfineon
1138165SPI08N80C3para el & más bajo de las pérdidas de la conducción; la nota más rápida de SwitchingPlease: Infineon ha cambiado el CoolMOS 800V C2 que marcaba a C3. 800V C2...Infineon
1138166SPI100N03S2-03MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De la Energía De OptiMOS, 30V, D2PAK, RDSon Los = 3.3mOhm, 100A, NLInfineon
1138167SPI100N03S2L-03MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De la Energía De OptiMOS, 30V, To-262, RDSon Los = 3mOhm, 100A, LLInfineon
1138168SPI10N10Los MOSFETs De la Baja Tensión - Accione Mosfet, 100V, To-262, RDSon=180mOhm, 10A, NLInfineon
1138169SPI10N10Transistor De Energía Del N-Canal SIPMOSInfineon
1138170SPI10N10LAccione Mosfet, 100V, To-262, RDSon=154mOhm, 10A, LLInfineon
1138171SPI11N60C3para el & más bajo de las pérdidas de la conducción; la conmutación más rápidaInfineon
1138172SPI11N60S5para las pérdidas más bajas de la conducciónInfineon
1138173SPI11N65C3para el & más bajo de las pérdidas de la conducción; la conmutación más rápidaInfineon
1138174SPI12N50C3para el & más bajo de las pérdidas de la conducción; la conmutación más rápidaInfineon
1138175SPI15N60C3para el & más bajo de las pérdidas de la conducción; la conmutación más rápidaInfineon
1138176SPI16N50C3para el & más bajo de las pérdidas de la conducción; la conmutación más rápidaInfineon
1138177SPI20N60C3para el & más bajo de las pérdidas de la conducción; la conmutación más rápidaInfineon
1138178SPI20N65C3para el & más bajo de las pérdidas de la conducción; la conmutación más rápidaInfineon
1138179SPI21N10Los MOSFETs De la Baja Tensión - Accione Mosfet, 100V, To-262, RDSon=85mOhm, 21A, NLInfineon



1138180SPI21N50C3para el & más bajo de las pérdidas de la conducción; la conmutación más rápidaInfineon
1138181SPI304-04FotosensorSANYO
1138182SPI35N10Los MOSFETs De la Baja Tensión - Accione Mosfet, 100V, To-262, RDSon=45mOhm, 3Ä, NLInfineon
1138183SPI35N10Transistor De Energía Del N-Canal SIPMOSInfineon
1138184SPI42N03S2L-13MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De la Energía De OptiMOS, 30V, To-262, RDSon El = 12.9mOhm, 4À, LLInfineon
1138185SPI47N10Los MOSFETs De la Baja Tensión - Accione Mosfet, 100V, To-262, RDSon=33mOhm, 47A, NLInfineon
1138186SPI47N10LLos MOSFETs De la Baja Tensión - Accione Mosfet, 100V, To-262, RDSon=33mOhm, 47A, LLInfineon
1138187SPI5342-HDiodo De la FotoAUK Corp
1138188SPI5842DIODO DE LA FOTOAUK Corp
1138189SPI5842-HDiodo De la FotoAUK Corp
1138190SPI70N10LLos MOSFETs De la Baja Tensión - Accione Mosfet, 100V, To-262, RDSon=16mOhm, 70A, LLInfineon
1138191SPI73N03S2L-08MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De la Energía De OptiMOS, 30V, To-262, RDSon Los = 8.4mOhm, 7Á, LLInfineon
1138192SPI80N03S2-03MOSFETs de la baja tensión - MOSFET de la energía de OptiMOS, 30V, To-262, RDSon = 3,4 mOhm, 80A, NLInfineon
1138193SPI80N03S2L-03MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De la Energía De OptiMOS, 30V, To-262, RDSon Los = 3.1mOhm, 80A, LLInfineon
1138194SPI80N03S2L-04MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De la Energía De OptiMOS, 30V, To-262, RDSon Los = 4.2mOhm, 80A, LLInfineon
1138195SPI80N03S2L-05MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De la Energía De OptiMOS, 30V, To-262, RDSon Los = 5.2mOhm, 80A, LLInfineon
1138196SPI80N03S2L-06MOSFETs De la Baja Tensión - Mosfet De la Energía De OptiMOS, 30V, To-262, RDSon Los = 6.2mOhm, 80A, LLInfineon
1138197SPI80N08S2-07RMOSFETs De la Baja Tensión - TO262; 80 A; 75V; NL; mOhm 7,3; Rg integradoInfineon
1138198SPI80N10LLos MOSFETs De la Baja Tensión - Accione Mosfet, 100V, To-262, RDSon=14mOhm, 80A, LLInfineon
1138199SPIMD20Módulo Integrated Drive MotorST Microelectronics
1138200SPIMD20PKMódulo Integrated Drive MotorST Microelectronics
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