| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 249761 | BC298 | CONDUCTORES AUDIO | ST Microelectronics |
| 249762 | BC298 | V (CES): 30V; V (CEO): 25V; V (EBO): 5V; 1A; controlador de audio | SGS Thomson Microelectronics |
| 249763 | BC2I4 | AMPLIFICADORES Y CONDUCTORES PEQUEÑOS DE LA SEÑAL DEL AF DEL SILICIO COMPLEMENTARIO | Micro Electronics |
| 249764 | BC2I4L | AMPLIFICADORES Y CONDUCTORES PEQUEÑOS DE LA SEÑAL DEL AF DEL SILICIO COMPLEMENTARIO | Micro Electronics |
| 249765 | BC300 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MEDIOS DE ENERGÍA DEL AF DEL SILICIO DE NPN | Micro Electronics |
| 249766 | BC300 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 249767 | BC300 | Propósito General de 0.850W NPN metal puede transistor. 80V VCEO, 0.500A Ic, 40-240 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249768 | BC300-4 | Propósito General de 0.850W NPN metal puede transistor. 80V VCEO, 0.500A Ic, 40 - 80 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249769 | BC300-5 | Propósito General de 0.850W NPN metal puede transistor. 80V VCEO, 0.500A Ic, 70-140 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249770 | BC300-6 | Propósito General de 0.850W NPN metal puede transistor. 80V VCEO, 0.500A Ic, 120-240 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249771 | BC301 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MEDIOS DE ENERGÍA DEL AF DEL SILICIO DE NPN | Micro Electronics |
| 249772 | BC301 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 249773 | BC301 | Propósito General de 0.850W NPN metal puede transistor. 60V VCEO, 0.500A Ic, 40-240 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249774 | BC301-4 | Propósito General de 0.850W NPN metal puede transistor. 60V VCEO, 0.500A Ic, 40 - 80 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249775 | BC301-5 | Propósito General de 0.850W NPN metal puede transistor. 60V VCEO, 0.500A Ic, 70-140 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249776 | BC301-6 | Propósito General de 0.850W NPN metal puede transistor. 60V VCEO, 0.500A Ic, 120-240 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249777 | BC302 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MEDIOS DE ENERGÍA DEL AF DEL SILICIO DE NPN | Micro Electronics |
| 249778 | BC302 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 249779 | BC302 | Propósito General de 0.850W NPN metal puede transistor. 45V VCEO, 0.500A Ic, 40-240 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249780 | BC302-4 | Propósito General de 0.850W NPN metal puede transistor. 45V VCEO, 0.500A Ic, 40 - 80 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249781 | BC302-5 | Propósito General de 0.850W NPN metal puede transistor. 45V VCEO, 0.500A Ic, 70-140 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249782 | BC302-6 | Propósito General de 0.850W NPN metal puede transistor. 45V VCEO, 0.500A Ic, 120-240 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249783 | BC303 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MEDIOS DE ENERGÍA DEL AF DEL SILICIO DE PNP | Micro Electronics |
| 249784 | BC303 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 249785 | BC303 | Propósito General de 0.850W PNP metal puede transistor. 60V VCEO, 0.500A Ic, 40-240 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249786 | BC303-4 | Propósito General de 0.850W PNP metal puede transistor. 60V VCEO, 0.500A Ic, 40 - 80 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249787 | BC303-5 | Propósito General de 0.850W PNP metal puede transistor. 60V VCEO, 0.500A Ic, 70-140 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249788 | BC303-6 | Propósito General de 0.850W PNP metal puede transistor. 60V VCEO, 0.500A Ic, 120-240 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249789 | BC304 | AMPLIFICADORES E INTERRUPTORES MEDIOS DE ENERGÍA DEL AF DEL SILICIO DE PNP | Micro Electronics |
| 249790 | BC304 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 249791 | BC304 | Propósito General de 0.850W PNP metal puede transistor. 45V VCEO, 0.500A Ic, 40-240 hFE. | Continental Device India Limited |
| 249792 | BC307 | Usos de la conmutación y del amplificador | Fairchild Semiconductor |
| 249793 | BC307 | Transistor De fines generales | Korea Electronics (KEC) |
| 249794 | BC307 | Mocy del ma³ej del czêstotliwo¶ci del ma³ej de Tranzystor | Ultra CEMI |
| 249795 | BC307 | TRANSISTORES EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE PNP | Micro Electronics |
| 249796 | BC307 | Transistores de los fines generales de PNP | Philips |
| 249797 | BC307 | Amplificador Transistors(PNP) | Motorola |
| 249798 | BC307 | Amplificador de transistor PNP | ON Semiconductor |
| 249799 | BC307 | Propósito 0.350W general PNP Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 0.100A Ic, 120-800 hFE | Continental Device India Limited |
| 249800 | BC307 | Transistor. Conmutación y amplificadores aplicaciones. Tensión colector-base VCBO = -50V. Tensión de colector-emisor VCEO = -45V. Tensión emisor-base Vebo = -5V. Disipación del colector Pc (max) = 500 mW. Corriente de colector Ic = -1 | USHA India LTD |
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