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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
253641BCR108L3E6327Transistores Digital - R1 = kOhm 2.2; R2 = kOhm 47Infineon
253642BCR108SArsenal del transistor Digital del silicio de NPN (circuito de la conmutación, inversor, circuito de interfaz, circuito del conductor)Siemens
253643BCR108STransistor Digital Del Silicio de NPNInfineon
253644BCR108S E6327Transistores Incorporados Duales del Af Del Resistor; 2xNPN; Tipos industriales de Standars, Icmax de 100mA; Vceo de 50VInfineon
253645BCR108SE6327Transistores Digital - R1 = kOhm 2.2; R2 = 47 kOhm SOT363Infineon
253646BCR108TSolos AF-Transistores (complejos) digitales en el paquete SC75Infineon
253647BCR108TE6327Transistores Digital - R1 Los = 2,2kOhm; R2 los = 47kOhmInfineon
253648BCR108WTransistor Digital del silicio de NPN (circuito de la conmutación, inversor, circuito de interfaz, circuito del conductor)Siemens
253649BCR108WSolos AF-Transistores (complejos) digitales en el paquete SOT323Infineon
253650BCR108WE6327Transistores Digital - kOhm R1=2.2; KOhm R2=47Infineon
253651BCR10CMEl USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TRIAC) No-aislo' el TIPO, TIPO PLANAR de la PASIVACIÓNMitsubishi Electric Corporation
253652BCR10CMVoltios Amperes/400-600 Del Triac 10Powerex Power Semiconductors
253653BCR10CM-12Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
253654BCR10CM-12Voltios Amperes/400-600 Del Triac 10Powerex Power Semiconductors
253655BCR10CM-12LVoltios Amperes/400-600 Del Triac 10Powerex Power Semiconductors
253656BCR10CM-8Módulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
253657BCR10CM-8Voltios Amperes/400-600 Del Triac 10Powerex Power Semiconductors
253658BCR10CM-8LVoltios Amperes/400-600 Del Triac 10Powerex Power Semiconductors
253659BCR10CSMódulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation



253660BCR10CSEl USO MEDIO de la ENERGÍA del SEMICONDUCTOR de MITSUBISHI (TRIAC) No-aislo' el TIPO, TIPO PLANAR de la PASIVACIÓNMitsubishi Electric Corporation
253661BCR10CSTIPO MEDIO DEL USO NON-INSULATED DE LA ENERGÍA, TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓNPowerex Power Semiconductors
253662BCR10PMMódulos Bipolares Integrados Del Transistor De la Puerta (IGBT): 250VMitsubishi Electric Corporation
253663BCR10PMTIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANAR DE LA PASIVACIÓNMitsubishi Electric Corporation
253664BCR10PMVoltios Aislados Amperes/400-600 Del Triac 10Powerex Power Semiconductors
253665BCR10PM-12Voltios Aislados Amperes/400-600 Del Triac 10Powerex Power Semiconductors
253666BCR10PM-12LVoltios Aislados Amperes/400-600 Del Triac 10Powerex Power Semiconductors
253667BCR10PM-8Voltios Aislados Amperes/400-600 Del Triac 10Powerex Power Semiconductors
253668BCR10PM-8LVoltios Aislados Amperes/400-600 Del Triac 10Powerex Power Semiconductors
253669BCR10PNTransistores Digital - paquete SOT363Infineon
253670BCR10PNArsenal Digital Tansistor del silicio de NPN/PNP (circuito de la conmutación, inversor, circuito de interfaz, circuito de impulsión)Siemens
253671BCR10UMTIPO AISLADO USO MEDIO DE LA ENERGÍA DEL SEMICONDUCTOR DE MITSUBISHI (TRIAC), TIPO DE CRISTAL DE LA PASIVACIÓNMitsubishi Electric Corporation
253672BCR112Transistores Digital - kOhm R1=4.7; KOhm R2=4.7Infineon
253673BCR112Transistor Digital del silicio de NPN (circuito de la conmutación, inversor, circuito del inferface, circuito del conductor)Siemens
253674BCR112FSolos AF-Transistores digitales (del resistor incorporado) en el paquete Tsfp-3Infineon
253675BCR112FE6327Transistores Digital - R1 = kOhm 4.7; R2 = kOhm 4.7Infineon
253676BCR112L3Solos AF-Transistores digitales (del resistor incorporado) en el paquete Tslp-3Infineon
253677BCR112L3E6327Transistores Digital - R1 = kOhm 4.7; R2 = kOhm 4.7Infineon
253678BCR112TSolos AF-Transistores (complejos) digitales en el paquete SC75Infineon
253679BCR112TE6327Transistores Digital - kOhm R1=4.7; KOhm R2=4.7Infineon
253680BCR112UTransistor Digital Del Silicio de NPNInfineon
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