Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
315801 | CM1819 | 8-2 Esquema circular del PWB | Samsung Electronic |
315802 | CM1829 | 8-2 Esquema circular del PWB | Samsung Electronic |
315803 | CM1829-1429 | Esquema circular del PWB | Samsung Electronic |
315804 | CM1901-7R | Convertidores De C.C.-C.C. De 50 Vatios | Power-One |
315805 | CM20-12A | TRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF DEL SILICIO DE NPN | Advanced Semiconductor |
315806 | CM2006 | Puerto VGA Circuito Companion para monitores | ON Semiconductor |
315807 | CM2009 | Circuito Portuario Del Compañero de VGA | California Micro Devices Corp |
315808 | CM2009 | Circuito Companion Puerto VGA | ON Semiconductor |
315809 | CM2009-00QR | Circuito Portuario Del Compañero de VGA | California Micro Devices Corp |
315810 | CM2009-00QS | Circuito Portuario Del Compañero de VGA | California Micro Devices Corp |
315811 | CM2009-01QR | Circuito Portuario Del Compañero de VGA | California Micro Devices Corp |
315812 | CM2009-01QS | Circuito Portuario Del Compañero de VGA | California Micro Devices Corp |
315813 | CM2009-02QR | Circuito Portuario Del Compañero de VGA | California Micro Devices Corp |
315814 | CM2009-02QS | Circuito Portuario Del Compañero de VGA | California Micro Devices Corp |
315815 | CM200DU-12F | Módulos de IGBT: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
315816 | CM200DU-12F | Diseño IGBTMOD¢â Dual De la Puerta Del Foso 200 Voltios Amperes/600 | Powerex Power Semiconductors |
315817 | CM200DU-12H | Módulos de IGBT: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
315818 | CM200DU-12H | TIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
315819 | CM200DU-12H | Voltios Duales Amperes/600 de IGBTMOD 200 | Powerex Power Semiconductors |
315820 | CM200DU-12NFH | USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA | Mitsubishi Electric Corporation |
315821 | CM200DU-24F | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
315822 | CM200DU-24F | USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE MITSUBISHI IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
315823 | CM200DU-24F | Diseño IGBTMOD¢â Dual De la Puerta Del Foso 200 Voltios Amperes/1200 | Powerex Power Semiconductors |
315824 | CM200DU-24H | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
315825 | CM200DU-24H | TIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
315826 | CM200DU-24H | Voltios Duales Amperes/1200 de IGBTMOD 200 | Powerex Power Semiconductors |
315827 | CM200DU-24NFH | USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA | Mitsubishi Electric Corporation |
315828 | CM200DU-34KA | IGBT Modules:1700V | Mitsubishi Electric Corporation |
315829 | CM200DU-34KA | Voltios Duales Amperes/1700 Del Módulo 200 De la Ka-Serie de IGBTMOD | Powerex Power Semiconductors |
315830 | CM200DY-12H | Módulos de IGBT: 600V | Mitsubishi Electric Corporation |
315831 | CM200DY-12H | MÓDULOS AISLADOS USO DEL TIPO IGBT DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA | Mitsubishi Electric Corporation |
315832 | CM200DY-12H | Voltios Duales Amperes/600 de IGBTMOD 200 | Powerex Power Semiconductors |
315833 | CM200DY-12NF | USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA | Mitsubishi Electric Corporation |
315834 | CM200DY-24A | USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA | Mitsubishi Electric Corporation |
315835 | CM200DY-24H | IGBT Modules:1200V | Mitsubishi Electric Corporation |
315836 | CM200DY-24H | TIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE MITSUBISHI IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
315837 | CM200DY-24H | Voltios Duales Amperes/1200 de IGBTMOD 200 | Powerex Power Semiconductors |
315838 | CM200DY-24NF | MÓDULOS DE MITSUBISHI IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
315839 | CM200DY-28H | IGBT Modules:1400V | Mitsubishi Electric Corporation |
315840 | CM200DY-28H | TIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE MITSUBISHI IGBT | Mitsubishi Electric Corporation |
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