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Nr.Nombre de la ParteDescripciónFabricante
315801CM18198-2 Esquema circular del PWBSamsung Electronic
315802CM18298-2 Esquema circular del PWBSamsung Electronic
315803CM1829-1429Esquema circular del PWBSamsung Electronic
315804CM1901-7RConvertidores De C.C.-C.C. De 50 VatiosPower-One
315805CM20-12ATRANSISTOR DE ENERGÍA DEL RF DEL SILICIO DE NPNAdvanced Semiconductor
315806CM2006Puerto VGA Circuito Companion para monitoresON Semiconductor
315807CM2009Circuito Portuario Del Compañero de VGACalifornia Micro Devices Corp
315808CM2009Circuito Companion Puerto VGAON Semiconductor
315809CM2009-00QRCircuito Portuario Del Compañero de VGACalifornia Micro Devices Corp
315810CM2009-00QSCircuito Portuario Del Compañero de VGACalifornia Micro Devices Corp
315811CM2009-01QRCircuito Portuario Del Compañero de VGACalifornia Micro Devices Corp
315812CM2009-01QSCircuito Portuario Del Compañero de VGACalifornia Micro Devices Corp
315813CM2009-02QRCircuito Portuario Del Compañero de VGACalifornia Micro Devices Corp
315814CM2009-02QSCircuito Portuario Del Compañero de VGACalifornia Micro Devices Corp
315815CM200DU-12FMódulos de IGBT: 600VMitsubishi Electric Corporation
315816CM200DU-12FDiseño IGBTMOD¢â Dual De la Puerta Del Foso 200 Voltios Amperes/600Powerex Power Semiconductors
315817CM200DU-12HMódulos de IGBT: 600VMitsubishi Electric Corporation
315818CM200DU-12HTIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE IGBTMitsubishi Electric Corporation
315819CM200DU-12HVoltios Duales Amperes/600 de IGBTMOD 200Powerex Power Semiconductors



315820CM200DU-12NFHUSO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍAMitsubishi Electric Corporation
315821CM200DU-24FIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
315822CM200DU-24FUSO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
315823CM200DU-24FDiseño IGBTMOD¢â Dual De la Puerta Del Foso 200 Voltios Amperes/1200Powerex Power Semiconductors
315824CM200DU-24HIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
315825CM200DU-24HTIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE IGBTMitsubishi Electric Corporation
315826CM200DU-24HVoltios Duales Amperes/1200 de IGBTMOD 200Powerex Power Semiconductors
315827CM200DU-24NFHUSO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍAMitsubishi Electric Corporation
315828CM200DU-34KAIGBT Modules:1700VMitsubishi Electric Corporation
315829CM200DU-34KAVoltios Duales Amperes/1700 Del Módulo 200 De la Ka-Serie de IGBTMODPowerex Power Semiconductors
315830CM200DY-12HMódulos de IGBT: 600VMitsubishi Electric Corporation
315831CM200DY-12HMÓDULOS AISLADOS USO DEL TIPO IGBT DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍAMitsubishi Electric Corporation
315832CM200DY-12HVoltios Duales Amperes/600 de IGBTMOD 200Powerex Power Semiconductors
315833CM200DY-12NFUSO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍAMitsubishi Electric Corporation
315834CM200DY-24AUSO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍAMitsubishi Electric Corporation
315835CM200DY-24HIGBT Modules:1200VMitsubishi Electric Corporation
315836CM200DY-24HTIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
315837CM200DY-24HVoltios Duales Amperes/1200 de IGBTMOD 200Powerex Power Semiconductors
315838CM200DY-24NFMÓDULOS DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
315839CM200DY-28HIGBT Modules:1400VMitsubishi Electric Corporation
315840CM200DY-28HTIPO AISLADO USO DE LA CONMUTACIÓN DE LA ALTA ENERGÍA DE LOS MÓDULOS DE MITSUBISHI IGBTMitsubishi Electric Corporation
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