| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 47161 | 2N5192 | 40.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 80V VCEO, 4.000A Ic, 7 hFE. | Continental Device India Limited |
| 47162 | 2N5193 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 47163 | 2N5194 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 47164 | 2N5194 | Energía  60V PNP | ON Semiconductor |
| 47165 | 2N5194-D | Transistores De Energía Del Silicio PNP | ON Semiconductor |
| 47166 | 2N5195 | TRANSISTOR DEL SILICIO DE PNP | ST Microelectronics |
| 47167 | 2N5195 | TRANSISTOR MEDIO DEL SILICIO DE LA ENERGÍA PNP | SGS Thomson Microelectronics |
| 47168 | 2N5195 | Fines generales Plomados Del Transistor De Energía | Central Semiconductor |
| 47169 | 2N5195 | Energía  80V PNP | ON Semiconductor |
| 47170 | 2N5196 | Fines generales Monolíticos | Vishay |
| 47171 | 2N5196 | Dual N-canal JFET amplificador de propósito general. | Intersil |
| 47172 | 2N5197 | Fines generales Monolíticos | Vishay |
| 47173 | 2N5197 | Dual N-canal JFET amplificador de propósito general. | Intersil |
| 47174 | 2N5198 | Fines generales Monolíticos | Vishay |
| 47175 | 2N5198 | Dual N-canal JFET amplificador de propósito general. | Intersil |
| 47176 | 2N5199 | Fines generales Monolíticos | Vishay |
| 47177 | 2N5199 | Dual N-canal JFET amplificador de propósito general. | Intersil |
| 47178 | 2N5202 | TRANSISTORES PLANAR EPITAXIAL DE ALTA VELOCIDAD DEL SILICIO NPN DEL COLECTOR | General Electric Solid State |
| 47179 | 2N5202 | TRANSISTORES PLANAR EPITAXIAL DE ALTA VELOCIDAD DEL SILICIO NPN DEL COLECTOR | General Electric Solid State |
| 47180 | 2N5204 | SCR del control de la fase de 600V 2À en un paquete de To-20åa (To-48) | International Rectifier |
| 47181 | 2N5204 | 25 y 35 amperios RMS SCRs | Knox Semiconductor Inc |
| 47182 | 2N5205 | SCR del control de la fase de 800V 2À en un paquete de To-20åa (To-48) | International Rectifier |
| 47183 | 2N5205 | 25 y 35 amperios RMS SCRs | Knox Semiconductor Inc |
| 47184 | 2N5206 | SCR del control de la fase de 1000V 2À en un paquete de To-20åa (To-48) | International Rectifier |
| 47185 | 2N5206 | 25 y 35 amperios RMS SCRs | Knox Semiconductor Inc |
| 47186 | 2N5207 | SCR del control de la fase de 1200V 2À en un paquete de To-20åa (To-48) | International Rectifier |
| 47187 | 2N5207 | 25 y 35 amperios RMS SCRs | Knox Semiconductor Inc |
| 47188 | 2N5208 | El CASO 29-04, labra 2 A -92(to-22ãa) | Motorola |
| 47189 | 2N5209 | TRANSISTORES PEQUEÑOS DE LA SEÑAL DEL RUIDO BAJO DEL AF DEL SILICIO DE NPN | Micro Electronics |
| 47190 | 2N5209 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 47191 | 2N5209 | Silicio De Transistors(NPN Del Amplificador) | ON Semiconductor |
| 47192 | 2N5209-D | Silicio De los Transistores NPN Del Amplificador | ON Semiconductor |
| 47193 | 2N5209RLRE | Amplificador de transistor NPN | ON Semiconductor |
| 47194 | 2N5210 | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
| 47195 | 2N5210 | TRANSISTORES PEQUEÑOS DE LA SEÑAL DEL RUIDO BAJO DEL AF DEL SILICIO DE NPN | Micro Electronics |
| 47196 | 2N5210 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal | Central Semiconductor |
| 47197 | 2N5210 | Silicio De Transistors(NPN Del Amplificador) | ON Semiconductor |
| 47198 | 2N5210 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Samsung Electronic |
| 47199 | 2N5210 | Transistores amplificador. Tensión de colector-emisor: 50V = VCEO. Tensión colector-base: 50V = VCBO. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW. | USHA India LTD |
| 47200 | 2N5210BU | Amplificador De los Fines generales de NPN | Fairchild Semiconductor |
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