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Nr.	Nombre de la Parte	Descripción	Fabricante
49161	2N6677	TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN	Boca Semiconductor Corporation
49162	2N6677	15 Un transistor de potencia SwitchMax. Alto voltaje tipo NPN.	General Electric Solid State
49163	2N6677	NPN transistor de potencia de silicio. 15 A, 350 V, 175 W.	Motorola
49164	2N6678	Transistor de NPN	Microsemi
49165	2N6678	ENERGÍA TRANSISTORS(1Ä, 175w)	MOSPEC Semiconductor
49166	2N6678	TRANSISTORES DE ENERGÍA DEL SILICIO DE NPN	Boca Semiconductor Corporation
49167	2N6678	15 Un transistor de potencia SwitchMax. Alto voltaje tipo NPN.	General Electric Solid State
49168	2N6678	NPN transistor de potencia de silicio. 15 A, 400 V, 175 W.	Motorola
49169	2N6686	Dispositivo Bipolar de NPN	SemeLAB
49170	2N6686	25 Un transistor de potencia SwitchMax. Tipo NPN.	General Electric Solid State
49171	2N6687	Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3	SemeLAB
49172	2N6687	Dispositivo bipolar de NPN en un paquete hermético sellado del metal TO3	SemeLAB
49173	2N6687	25 Un transistor de potencia SwitchMax. Tipo NPN.	General Electric Solid State
49174	2N6688	25 Un transistor de potencia SwitchMax. Tipo NPN.	General Electric Solid State
49175	2N6689	Transistor de NPN	Microsemi
49176	2N6690	TRANSISTOR DEL SILICIO DE LA ENERGÍA DE NPN	Microsemi
49177	2N6691	Transistor de NPN	Microsemi
49178	2N6693	Transistor de NPN	Microsemi
49179	2N6702	De alta corriente de silicio NPN VERSAWATT transistor.	General Electric Solid State

49180	2N6703	De alta corriente de silicio NPN VERSAWATT transistor.	General Electric Solid State
49181	2N6704	De alta corriente de silicio NPN VERSAWATT transistor.	General Electric Solid State
49182	2N6705	Propósito General de 0.850W NPN Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 1.500A Ic, 40 - hFE	Continental Device India Limited
49183	2N6707	Propósito General de 0.850W NPN Transistor Plástico con plomo. 80V VCEO, 1.500A Ic, 40 - hFE	Continental Device India Limited
49184	2N6708	Propósito 0.850W general PNP Transistor Plástico con plomo. 45V VCEO, 1.500A Ic, 40 - hFE	Continental Device India Limited
49185	2N6709	Propósito 0.850W general PNP Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 1.500A Ic, 40 - hFE	Continental Device India Limited
49186	2N6710	Propósito 0.850W general PNP Transistor Plástico con plomo. 80V VCEO, 1.500A Ic, 40 - hFE	Continental Device India Limited
49187	2N6714	TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS PLANAR DEL SILICIO DE NPN	Zetex Semiconductors
49188	2N6714	TRANSISTORES EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPN	Boca Semiconductor Corporation
49189	2N6714	Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal	Central Semiconductor
49190	2N6714	Propósito General de 0.750W NPN Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 1.000A Ic, 55 - hFE	Continental Device India Limited
49191	2N6714	NPN SILICON PLANAR TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS	Diodes
49192	2N6715	TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS PLANAR DEL SILICIO DE NPN	Zetex Semiconductors
49193	2N6715	TRANSISTORES EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPN	Boca Semiconductor Corporation
49194	2N6715	Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal	Central Semiconductor
49195	2N6715	Propósito General de 0.750W NPN Transistor Plástico con plomo. 40V VCEO, 1.500A Ic, 55 - hFE	Continental Device India Limited
49196	2N6715	NPN SILICON PLANAR TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS	Diodes
49197	2N6716	TRANSISTORES DE ENERGÍA MEDIOS PLANAR DEL SILICIO DE NPN	Zetex Semiconductors
49198	2N6716	TRANSISTORES EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPN	Boca Semiconductor Corporation
49199	2N6716	Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal	Central Semiconductor
49200	2N6716	Propósito General de 0.850W NPN Transistor Plástico con plomo. 60V VCEO, 1.500A Ic, 80 - hFE	Continental Device India Limited

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