| Nr. | Nombre de la Parte | Descripción | Fabricante |
| 501921 | HN2C10FT | USOS BAJOS DEL AMPLIFICADOR DEL RUIDO DE LA VENDA PLANAR EPITAXIAL DEL TIPO VHF~UHF DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR | TOSHIBA |
| 501922 | HN2C10FU | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 501923 | HN2C11FU | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 501924 | HN2C12FT | USOS BAJOS DEL AMPLIFICADOR DEL RUIDO DE LA VENDA PLANAR EPITAXIAL DEL TIPO VHF~UHF DEL SILICIO NPN DEL TRANSISTOR | TOSHIBA |
| 501925 | HN2C12FU | Rf 2-in-1 Híbrido Transistor | TOSHIBA |
| 501926 | HN2C13FT | Productos Nuevos del Rf | TOSHIBA |
| 501927 | HN2C14FT | Productos Nuevos del Rf | TOSHIBA |
| 501928 | HN2C26FS | Transistor de amplificación de baja frecuencia de pequeña señal 2 en 1 | TOSHIBA |
| 501929 | HN2D01F | Uso Ultra De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 501930 | HN2D01FU | Uso Ultra De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 501931 | HN2D01JE | Diodo de conmutación | TOSHIBA |
| 501932 | HN2D02FU | Uso Ultra De alta velocidad Planar Epitaxial De la Conmutación Del Tipo Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 501933 | HN2D02FUTW1T1 | Ultra High Speed ??Diodos de conmutación | ON Semiconductor |
| 501934 | HN2D03F | Diodo de conmutación | TOSHIBA |
| 501935 | HN2E04F | Multi-chip dispositivo discreto (PNP + diodo SW) | TOSHIBA |
| 501936 | HN2S01F | Uso De alta velocidad Epitaxial De la Conmutación De la Baja Tensión Del Tipo De la Barrera De Schottky Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 501937 | HN2S01FU | Uso De alta velocidad Epitaxial De la Conmutación De la Baja Tensión Del Tipo De la Barrera De Schottky Del Silicio Del Diodo | TOSHIBA |
| 501938 | HN2S02FU | Señal Pequeño diodo de barrera Schottky | TOSHIBA |
| 501939 | HN2S02JE | Señal Pequeño diodo de barrera Schottky | TOSHIBA |
| 501940 | HN2S03FE | Señal Pequeño diodo de barrera Schottky | TOSHIBA |
| 501941 | HN2S03FU | Señal Pequeño diodo de barrera Schottky | TOSHIBA |
| 501942 | HN2S03T | Señal Pequeño diodo de barrera Schottky | TOSHIBA |
| 501943 | HN2S04FU | Señal Pequeño diodo de barrera Schottky | TOSHIBA |
| 501944 | HN2V02H | Usos Que templan De la Capacitancia De la Venda De radio Variable Del Diodo | TOSHIBA |
| 501945 | HN327 | Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de PNP | Honey Technology |
| 501946 | HN327 | Transistor planar epitaxial del silicio de PNP para los usos de la conmutación y del amplificador | Semtech |
| 501947 | HN328 | Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de PNP | Honey Technology |
| 501948 | HN328 | Transistor planar epitaxial del silicio de PNP para los usos de la conmutación y del amplificador | Semtech |
| 501949 | HN337 | Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de NPN | Honey Technology |
| 501950 | HN337 | Transistor planar epitaxial del silicio de NPN para los usos de la conmutación y del amplificador | Semtech |
| 501951 | HN338 | Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de NPN | Honey Technology |
| 501952 | HN338 | Transistor planar epitaxial del silicio de NPN para los usos de la conmutación y del amplificador | Semtech |
| 501953 | HN3903 | Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de NPN | Honey Technology |
| 501954 | HN3903 | Transistor planar de Expitaxial del silicio de NPN para los usos de la conmutación y del amplificador | Semtech |
| 501955 | HN3904 | Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de NPN | Honey Technology |
| 501956 | HN3904 | Transistor planar de Expitaxial del silicio de NPN para los usos de la conmutación y del amplificador | Semtech |
| 501957 | HN3905 | Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de PNP | Honey Technology |
| 501958 | HN3905 | Transistor planar de Expitaxial del silicio de NPN para los usos de la conmutación y del amplificador | Semtech |
| 501959 | HN3906 | Transistor Planar Epitaxial Del Silicio de PNP | Honey Technology |
| 501960 | HN3906 | Transistor planar de Expitaxial del silicio de NPN para los usos de la conmutación y del amplificador | Semtech |
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