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Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
1901CSD401Y25.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 150V VCEO, 2.000A Ic, 120-240 hFE. CSB546Y ComplementariaContinental Device India Limited
1902CSD471APropósito General de 0.800W NPN Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 1.000A Ic, 70-400 hFEContinental Device India Limited
1903CSD471AGPropósito General de 0.800W NPN Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 1.000A Ic, 200-400 hFEContinental Device India Limited
1904CSD471AOPropósito General de 0.800W NPN Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 1.000A Ic, 70-140 hFEContinental Device India Limited
1905CSD471AYPropósito General de 0.800W NPN Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 1.000A Ic, 120-240 hFEContinental Device India Limited
1906CSD471GPropósito General de 0.800W NPN Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 1.000A Ic, 200-400 hFEContinental Device India Limited
1907CSD471OPropósito General de 0.800W NPN Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 1.000A Ic, 70-140 hFEContinental Device India Limited
1908CSD471YPropósito General de 0.800W NPN Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 1.000A Ic, 120-240 hFEContinental Device India Limited
1909CSD5450.600W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 25V VCEO, 1.000A Ic, 60-560 hFE.Continental Device India Limited
1910CSD545D0.600W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 25V VCEO, 1.000A Ic, 60-120 hFE.Continental Device India Limited
1911CSD545E0.600W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 25V VCEO, 1.000A Ic, 100-200 hFE.Continental Device India Limited
1912CSD545F0.600W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 25V VCEO, 1.000A Ic, 160-320 hFE.Continental Device India Limited
1913CSD545G0.600W de baja frecuencia NPN Transistor de plástico con plomo. 25V VCEO, 1.000A Ic, 280-560 hFE.Continental Device India Limited
1914CSD6112.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 110V VCEO, 6.000A Ic, 2-20000 hFE.Continental Device India Limited
1915CSD655TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNContinental Device India Limited
1916CSD655TRANSISTOR PLANAR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPNContinental Device India Limited
1917CSD655DPropósito General de 0.500W NPN Transistor Plástico con plomo. VCEO 15V, 0.700A Ic, 250-500 hFEContinental Device India Limited
1918CSD655EPropósito General de 0.500W NPN Transistor Plástico con plomo. 15V VCEO, 0.700A Ic, 300-800 hFEContinental Device India Limited
1919CSD655FPropósito General de 0.500W NPN Transistor Plástico con plomo. 15V VCEO, 0.700A Ic, 600-1200 hFEContinental Device India Limited
1920CSD667Propósito General de 0.900W NPN Transistor Plástico con plomo. 80V VCEO, 1.000A Ic, 60-320 hFEContinental Device India Limited
1921CSD667APropósito General de 0.900W NPN Transistor Plástico con plomo. 100V VCEO, 1.000A Ic, 60-200 hFEContinental Device India Limited
1922CSD667ABPropósito General de 0.900W NPN Transistor Plástico con plomo. 100V VCEO, 1.000A Ic, 60-120 hFEContinental Device India Limited
1923CSD667ACPropósito General de 0.900W NPN Transistor Plástico con plomo. 100V VCEO, 1.000A Ic, 100-200 hFEContinental Device India Limited
1924CSD667BPropósito General de 0.900W NPN Transistor Plástico con plomo. 100V VCEO, 1.000A Ic, 60-120 hFEContinental Device India Limited
1925CSD667CPropósito General de 0.900W NPN Transistor Plástico con plomo. 100V VCEO, 1.000A Ic, 100-200 hFEContinental Device India Limited
1926CSD667DPropósito General de 0.900W NPN Transistor Plástico con plomo. 100V VCEO, 1.000A Ic, 160-320 hFEContinental Device India Limited
1927CSD66920.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 120V VCEO, 1.500A Ic, 60-320 hFE.Continental Device India Limited
1928CSD669A20.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 160V VCEO, 1.500A Ic, 60-200 hFE.Continental Device India Limited
1929CSD669AB20.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 160V VCEO, 1.500A Ic, 60-120 hFE.Continental Device India Limited



1930CSD669AC20.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 160V VCEO, 1.500A Ic, 100-200 hFE.Continental Device India Limited
1931CSD669B20.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 120V VCEO, 1.500A Ic, 60-120 hFE.Continental Device India Limited
1932CSD669C20.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 120V VCEO, 1.500A Ic, 100-200 hFE.Continental Device India Limited
1933CSD669D20.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 120V VCEO, 1.500A Ic, 160-320 hFE.Continental Device India Limited
1934CSD79410.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 45V VCEO, 3.000A Ic, 60-320 hFE. Complementaria CSB744Continental Device India Limited
1935CSD794A10.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 3.000A Ic, 60-320 hFE. CSB744A ComplementariaContinental Device India Limited
1936CSD794AO10.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 3.000A Ic, 100-200 hFE. CSB744AO ComplementariaContinental Device India Limited
1937CSD794AR10.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 3.000A Ic, 60-120 hFE. CSB744AR ComplementariaContinental Device India Limited
1938CSD794AY10.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 3.000A Ic, 160-320 hFE. CSB744AY ComplementariaContinental Device India Limited
1939CSD794O10.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 45V VCEO, 3.000A Ic, 100-200 hFE. CSB744O ComplementariaContinental Device India Limited
1940CSD794R10.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 45V VCEO, 3.000A Ic, 60-120 hFE. CSB744R ComplementariaContinental Device India Limited
1941CSD794Y10.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 45V VCEO, 3.000A Ic, 160-320 hFE. CSB744Y ComplementariaContinental Device India Limited
1942CSD81160.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 110V VCEO, 8.000A Ic, 1000 hFE.Continental Device India Limited
1943CSD88030.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 3.000A Ic, 60-300 hFE. Complementaria CSB834Continental Device India Limited
1944CSD880GR30.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 3.000A Ic, 150-300 hFE. CSB834GR ComplementariaContinental Device India Limited
1945CSD880O30.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 3.000A Ic, 60-120 hFE. CSB834O ComplementariaContinental Device India Limited
1946CSD880Y30.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 3.000A Ic, 100-200 hFE. CSB834Y ComplementariaContinental Device India Limited
1947CSD88210.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 30V VCEO, 3.000A Ic, 60-400 hFE. Complementaria CSB772Continental Device India Limited
1948CSD882E10.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 30V VCEO, 3.000A Ic, 200-400 hFE. CSB772E ComplementariaContinental Device India Limited
1949CSD882P10.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 30V VCEO, 3.000A Ic, 160-320 hFE. CSB772P ComplementariaContinental Device India Limited
1950CSD882Q10.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 30V VCEO, 3.000A Ic, 100-200 hFE. CSB772Q ComplementariaContinental Device India Limited

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