Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
251 | 2N3499 | 1.000W RF NPN metal puede transistor. 100V VCEO, 0.500A Ic, 35 hFE. | Continental Device India Limited |
252 | 2N3500 | 1.000W RF NPN metal puede transistor. 150V VCEO, 0.300A Ic, 20 hFE. | Continental Device India Limited |
253 | 2N3501 | 1.000W RF NPN metal puede transistor. 150V VCEO, 0.300A Ic, 35 hFE. | Continental Device India Limited |
254 | 2N3635 | 1.000W RF PNP metal puede transistor. 140V VCEO, 1.000A Ic, 80 hFE. | Continental Device India Limited |
255 | 2N3636 | 1.000W RF PNP metal puede transistor. 175V VCEO, 1.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
256 | 2N3637 | 1.000W RF PNP metal puede transistor. 175V VCEO, 1.000A Ic, 80 hFE. | Continental Device India Limited |
257 | 2N3700 | Propósito General de 0.500W NPN metal puede transistor. 80V VCEO, 1.000A Ic, 100-300 hFE. | Continental Device India Limited |
258 | 2N3702 | Propósito 0.625W general PNP Transistor Plástico con plomo. 25V VCEO, 0.600A Ic, 60-300 hFE | Continental Device India Limited |
259 | 2N3704 | Propósito General de 0.625W NPN Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 0.600A Ic, 100-300 hFE | Continental Device India Limited |
260 | 2N3705 | Propósito General de 0.625W NPN Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 0.600A Ic, 50-150 hFE | Continental Device India Limited |
261 | 2N3707 | Propósito General de 0.360W NPN Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 0.200A Ic, 100-400 hFE | Continental Device India Limited |
262 | 2N3724 | 1.000W conmutación NPN Transistor metal Can. 30V VCEO, 1.000A Ic, 60-150 hFE. | Continental Device India Limited |
263 | 2N3725 | 1.000W conmutación NPN Transistor metal Can. 50V VCEO, 1.000A Ic, 60-150 hFE. | Continental Device India Limited |
264 | 2N3772 | 150.000W Potencia NPN metal puede transistor. 60V VCEO, 20.000A Ic, 15-60 hFE. | Continental Device India Limited |
265 | 2N3773 | 150.000W Potencia NPN metal puede transistor. 140V VCEO, 16.000A Ic, 5 hFE. | Continental Device India Limited |
266 | 2N3867 | Propósito 1.000W general PNP metal puede transistor. 40V VCEO, 3.000A Ic, 40-200 hFE. | Continental Device India Limited |
267 | 2N3903 | Propósito General de 0.625W NPN Transistor Plástico con plomo. 40V VCEO, 0.200A Ic, 20 - hFE | Continental Device India Limited |
268 | 2N3904 | Propósito General de 0.625W NPN Transistor Plástico con plomo. 40V VCEO, 0.200A Ic, 40 - hFE | Continental Device India Limited |
269 | 2N3905 | Propósito 0.625W general PNP Transistor Plástico con plomo. 40V VCEO, 0.200A Ic, 30 - hFE | Continental Device India Limited |
270 | 2N3906 | Propósito 0.625W general PNP Transistor Plástico con plomo. 40V VCEO, 0.200A Ic, 60 - hFE | Continental Device India Limited |
271 | 2N4030 | 0.800W RF PNP metal puede transistor. 60V VCEO, 1.000A Ic, 40-120 hFE. | Continental Device India Limited |
272 | 2N4031 | 0.800W RF PNP metal puede transistor. 80V VCEO, 1.000A Ic, 40-120 hFE. | Continental Device India Limited |
273 | 2N4032 | 0.800W RF PNP metal puede transistor. 60V VCEO, 1.000A Ic, 100-300 hFE. | Continental Device India Limited |
274 | 2N4033 | 0.800W RF PNP metal puede transistor. 80V VCEO, 1.000A Ic, 100-300 hFE. | Continental Device India Limited |
275 | 2N4036 | Propósito 1.000W general PNP metal puede transistor. 65V VCEO, 1.000A Ic, 20 hFE. | Continental Device India Limited |
276 | 2N4037 | Propósito 1.000W general PNP metal puede transistor. 40V VCEO, 1.000A Ic, 50-250 hFE. | Continental Device India Limited |
277 | 2N4234 | Propósito General de 6.000W PNP metal puede transistor. 40V VCEO, 1.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
278 | 2N4235 | Propósito General de 6.000W PNP metal puede transistor. 60V VCEO, 1.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
279 | 2N4236 | Propósito General de 6.000W PNP metal puede transistor. 80V VCEO, 1.000A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
280 | 2N4237 | Propósito General de 1.000W NPN metal puede transistor. 40V VCEO, 1.000A Ic, 15 hFE. | Continental Device India Limited |
281 | 2N4238 | Propósito General de 6.000W NPN metal puede transistor. 60V VCEO, 1.000A Ic, 30 hFE. | Continental Device India Limited |
282 | 2N4239 | Propósito General de 1.000W NPN metal puede transistor. 80V VCEO, 1.000A Ic, 15 hFE. | Continental Device India Limited |
283 | 2N4400 | 0.625W conmutación NPN Transistor de plástico con plomo. 40V VCEO, 0.600A Ic, 20 hFE. | Continental Device India Limited |
284 | 2N4401 | 0.625W conmutación NPN Transistor de plástico con plomo. 40V VCEO, 0.600A Ic, 40 hFE. | Continental Device India Limited |
285 | 2N4402 | 0.625W conmutación PNP Transistor Plástico con plomo. 40V VCEO, 0.600A Ic, 20 hFE. | Continental Device India Limited |
286 | 2N4403 | 0.625W conmutación PNP Transistor Plástico con plomo. 40V VCEO, 0.600A Ic, 20 hFE. | Continental Device India Limited |
287 | 2N4409 | Propósito General de 0.625W NPN Transistor Plástico con plomo. 50V VCEO, 0.250A Ic, 60-400 hFE | Continental Device India Limited |
288 | 2N4923 | 30.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. VCEO 80V, 3.000A Ic, 30-150 hFE. | Continental Device India Limited |
289 | 2N5086 | Propósito 0.625W general PNP Transistor Plástico con plomo. 50V VCEO, 0.050A Ic, 150 - hFE | Continental Device India Limited |
290 | 2N5087 | Propósito 0.625W general PNP Transistor Plástico con plomo. 50V VCEO, 0.050A Ic, 250 - hFE | Continental Device India Limited |
291 | 2N5088 | Propósito General de 0.625W NPN Transistor Plástico con plomo. 30V VCEO, 0.050A Ic, 300-900 hFE | Continental Device India Limited |
292 | 2N5089 | Propósito General de 0.625W NPN Transistor Plástico con plomo. 25V VCEO, 0.050A Ic, 400-1200 hFE | Continental Device India Limited |
293 | 2N5172 | Propósito General de 0.400W NPN Transistor Plástico con plomo. 25V VCEO, 0.150A Ic, 100 - 500 hFE | Continental Device India Limited |
294 | 2N5179 | Propósito General de 0.200W NPN metal puede transistor. 12V VCEO, 0.050A Ic, 25-250 hFE. | Continental Device India Limited |
295 | 2N5191 | 40.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 60V VCEO, 4.000A Ic, 25-100 hFE. | Continental Device India Limited |
296 | 2N5192 | 40.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 80V VCEO, 4.000A Ic, 7 hFE. | Continental Device India Limited |
297 | 2N5232 | Propósito General de 0.625W NPN Transistor Plástico con plomo. 50V VCEO, 0.050A Ic, 250-500 hFE | Continental Device India Limited |
298 | 2N5232A | Propósito General de 0.625W NPN Transistor Plástico con plomo. 50V VCEO, 0.050A Ic, 250-500 hFE | Continental Device India Limited |
299 | 2N5294 | 36.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. 70V VCEO, 4.000A Ic, 30-120 hFE. | Continental Device India Limited |
300 | 2N5296 | 36.000W Mediana Potencia NPN Transistor de plástico con plomo. VCEO 40V, 4.000A Ic, 30-120 hFE. | Continental Device India Limited |
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