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| 2N4123 Fabricado cerca: | 
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 | Transistor de propósito general. Tensión de colector-emisor: 30V = VCEO. Tensión colector-base: 40V = VCBO. Disipación del colector: Pc (máx) = 625MW. | Transferencia Directa 2N4123 datasheet de USHA India LTD |
pdf 50 kb |
 | Fines generales Pequeños Plomados Del Transistor De la Señal Otros con el mismo archivo para el datasheet: 2N4124, 2N4125, 2N4126, |
Transferencia Directa 2N4123 datasheet de Central Semiconductor |
pdf 85 kb |
 | Silicio De fines generales De Transistors(PNP) | Transferencia Directa 2N4123 datasheet de ON Semiconductor |
pdf 167 kb |
 | TRANSISTOR EPITAXIAL DEL SILICIO DE NPN | Transferencia Directa 2N4123 datasheet de Samsung Electronic |
pdf 35 kb |
 | TRANSISTOR EPITAXIAL PLANAR DEL SILICIO DE NPN | Transferencia Directa 2N4123 datasheet de Micro Electronics |
pdf 91 kb |
 | Planar epitaxial transistor NPN de silicio pasivado. 30V, 200mA. | Transferencia Directa 2N4123 datasheet de General Electric Solid State |
pdf 179 kb |
 | Transistor De fines generales 625mW Del Silicio de NPN | Transferencia Directa 2N4123 datasheet de Micro Commercial Components |
pdf 749 kb |
 | Amplificador De los Fines generales de NPN | Transferencia Directa 2N4123 datasheet de Fairchild Semiconductor |
pdf 345 kb |
 | Ic = 200mA, Vce = 1.0V transistor | Transferencia Directa 2N4123 datasheet de MCC |
pdf 749 kb |
| 2N4119A | Vista 2N4123 a nuestro catálogo | 2N4123-D |