|   Primera página   |   Todos los fabricantes   |   Por la función   |  

Número de pieza, la descripción o el fabricante contener:  
Salto rápido a:   1N  2N  2SA  2SC  74  AD  BA  BC  BD  BF  BU  CXA  HCF  IRF  KA  KIA  LA  LM  MC  NE  ST  STK  TDA  TL  UA  



Hojas de datos encontradas :: 2124 English Version for this page Version française pour cette page Deutsche Version für diese Seite Versione italiana per questa pagina Versão portuguese para esta página Russian Version Romanian Version
Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
1851TFMAJ45ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 400 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1852TFMAJ48SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 400 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1853TFMAJ48ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 400 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1854TFMAJ50SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 400 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1855TFMAJ50ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 400 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1856TFMAJ51SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 400 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1857TFMAJ51ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 400 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1858TFMAJ54SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 400 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1859TFMAJ54ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 400 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1860TFMAJ58SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 400 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1861TFMAJ58ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 400 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1862TFMAJ60SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 400 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1863TFMAJ60ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 400 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1864TFMAJ64SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 400 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1865TFMAJ64ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 400 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1866TFMAJ65SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 400 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1867TFMAJ65ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 400 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1868TFMAJ70SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 400 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1869TFMAJ70ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 400 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1870TFMAJ75SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 400 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1871TFMAJ75ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 400 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1872TFMAJ78SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 400 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1873TFMAJ78ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 400 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1874TFMAJ80SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 400 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1875TFMAJ80ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 400 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1876TFMAJ85SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 400 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1877TFMAJ85ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 400 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1878TFMAJ90SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 400 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor



1879TFMAJ90ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 400 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1880TFMBG150ASUPRESOR TRANSITORIO SUPERFICIAL DEL VOLTAJE DEL MONTAJE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1881TFMBJSUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1882TFMBJ10SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1883TFMBJ100SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1884TFMBJ100ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1885TFMBJ10ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1886TFMBJ11SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1887TFMBJ110SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1888TFMBJ110ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1889TFMBJ11ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1890TFMBJ12SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1891TFMBJ120SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1892TFMBJ120ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1893TFMBJ12ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1894TFMBJ13SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1895TFMBJ130SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1896TFMBJ130ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1897TFMBJ13ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1898TFMBJ14SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1899TFMBJ14ASUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor
1900TFMBJ15SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS)Rectron Semiconductor

Página: | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 10 | 11 | 12 | 13 | 14 | 15 | 16 | 17 | 18 | 19 | 20 | 21 | 22 | 23 | 24 | 25 | 26 | 27 | 28 | 29 | 30 | 31 | 32 | 33 | 34 | 35 | 36 | 37 | 38 | 39 | 40 | 41 | 42 | 43 |


© 2023    www.datasheetcatalog.net/es/rectronsemiconductor/1/