Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
1901 | TFMBJ150 | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1902 | TFMBJ150A | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1903 | TFMBJ15A | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1904 | TFMBJ16 | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1905 | TFMBJ160 | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1906 | TFMBJ160A | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1907 | TFMBJ16A | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1908 | TFMBJ17 | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1909 | TFMBJ170 | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1910 | TFMBJ170A | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1911 | TFMBJ17A | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1912 | TFMBJ18 | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1913 | TFMBJ18A | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1914 | TFMBJ20 | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1915 | TFMBJ20A | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1916 | TFMBJ22 | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1917 | TFMBJ22A | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1918 | TFMBJ24 | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1919 | TFMBJ24A | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1920 | TFMBJ26 | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1921 | TFMBJ26A | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1922 | TFMBJ28 | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1923 | TFMBJ28A | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1924 | TFMBJ30 | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1925 | TFMBJ30A | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1926 | TFMBJ33 | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1927 | TFMBJ33A | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1928 | TFMBJ36 | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1929 | TFMBJ36A | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1930 | TFMBJ40 | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1931 | TFMBJ40A | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1932 | TFMBJ43 | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1933 | TFMBJ43A | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1934 | TFMBJ45 | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1935 | TFMBJ45A | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1936 | TFMBJ48 | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1937 | TFMBJ48A | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1938 | TFMBJ50 | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1939 | TFMBJ50A | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1940 | TFMBJ51 | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1941 | TFMBJ51A | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1942 | TFMBJ54 | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1943 | TFMBJ54A | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1944 | TFMBJ58 | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1945 | TFMBJ58A | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1946 | TFMBJ60 | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1947 | TFMBJ60A | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1948 | TFMBJ64 | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1949 | TFMBJ64A | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
1950 | TFMBJ65 | SUPRESOR TRANSITORIO DEL VOLTAJE DE GPP (ENERGÍA MÁXIMA DE 600 VATIOS ESTADO CONSTANTE DE 1,0 VATIOS) | Rectron Semiconductor |
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