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Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
5801KM416C1204CJ-501M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 5.0V, período de actualización = 16 msSamsung Electronic
5802KM416C1204CJ-65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
5803KM416C1204CJ-601M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 5.0V, período de actualización = 16 msSamsung Electronic
5804KM416C1204CJ-L455V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
5805KM416C1204CJ-L55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
5806KM416C1204CJ-L65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
5807KM416C1204CJL-451M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 5.0V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
5808KM416C1204CJL-501M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 5.0V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
5809KM416C1204CJL-601M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 5.0V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
5810KM416C1204CT-455V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
5811KM416C1204CT-55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
5812KM416C1204CT-501M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 5.0V, período de actualización = 16 msSamsung Electronic
5813KM416C1204CT-65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
5814KM416C1204CT-601M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 5.0V, período de actualización = 16 msSamsung Electronic
5815KM416C1204CT-L455V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45nsSamsung Electronic
5816KM416C1204CT-L55V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50nsSamsung Electronic
5817KM416C1204CT-L65V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60nsSamsung Electronic
5818KM416C1204CTL-451M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 5.0V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
5819KM416C1204CTL-501M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 5.0V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
5820KM416C1204CTL-601M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 5.0V, auto-actualizaciónSamsung Electronic
5821KM416C254DESPOLÓN dinámico de 256K x de 16Bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
5822KM416C254DJ-5256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 50ns, 8ms período de refrescoSamsung Electronic
5823KM416C254DJ-6256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 60ns, 8ms período de refrescoSamsung Electronic
5824KM416C254DJ-7256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 70ns, 8ms período de refrescoSamsung Electronic
5825KM416C254DJL-5256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 50ns, la auto-actualizaciónSamsung Electronic
5826KM416C254DJL-6256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 60ns, la auto-actualizaciónSamsung Electronic
5827KM416C254DJL-7256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 70ns, la auto-actualizaciónSamsung Electronic
5828KM416C254DT-5256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 50ns, 8ms período de refrescoSamsung Electronic
5829KM416C254DT-6256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 60ns, 8ms período de refrescoSamsung Electronic
5830KM416C254DT-7256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 70ns, 8ms período de refrescoSamsung Electronic
5831KM416C254DTL-5256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 50ns, la auto-actualizaciónSamsung Electronic
5832KM416C254DTL-6256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 60ns, la auto-actualizaciónSamsung Electronic
5833KM416C254DTL-7256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 70ns, la auto-actualizaciónSamsung Electronic
5834KM416C256DESPOLÓN dinámico de 256K x de 16Bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
5835KM416C256DJ-5256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 50ns, 5VSamsung Electronic
5836KM416C256DJ-6256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 60ns, 5VSamsung Electronic
5837KM416C256DJ-7256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 70ns, 5VSamsung Electronic
5838KM416C256DLJ-5256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 50ns, 5V, capacidad de auto-actualizaciónSamsung Electronic
5839KM416C256DLJ-6256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 60ns, 5V, capacidad de auto-actualizaciónSamsung Electronic
5840KM416C256DLJ-7256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 70ns, 5V, capacidad de auto-actualizaciónSamsung Electronic
5841KM416C256DLT-5256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 50ns, 5V, capacidad de auto-actualizaciónSamsung Electronic
5842KM416C256DLT-6256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 60ns, 5V, capacidad de auto-actualizaciónSamsung Electronic
5843KM416C256DLT-7256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 70ns, 5V, capacidad de auto-actualizaciónSamsung Electronic
5844KM416C256DT-5256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 50ns, 5VSamsung Electronic
5845KM416C256DT-6256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 60ns, 5VSamsung Electronic
5846KM416C256DT-7256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 70ns, 5VSamsung Electronic
5847KM416C4000BESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
5848KM416C4000BS-454M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 8K de refresco, 45nsSamsung Electronic
5849KM416C4000BS-54M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 8K de refresco, 50nsSamsung Electronic
5850KM416C4000BS-64M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 8K de refresco, 60nsSamsung Electronic
5851KM416C4000CESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
5852KM416C4000CS-54M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 8K de refresco, 50nsSamsung Electronic
5853KM416C4000CS-64M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 8K de refresco, 60nsSamsung Electronic
5854KM416C4004CESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
5855KM416C4004CS-54M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 5V, 8K de refresco, 50nsSamsung Electronic
5856KM416C4004CS-64M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 5V, 8K de refresco, 60nsSamsung Electronic



5857KM416C4100BESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
5858KM416C4100BS-454M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 4K de refresco, 45nsSamsung Electronic
5859KM416C4100BS-54M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 4K de refresco, 50nsSamsung Electronic
5860KM416C4100BS-64M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 4K de refresco, 60nsSamsung Electronic
5861KM416C4100CESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la páginaSamsung Electronic
5862KM416C4100CS-54M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 4K de refresco, 50nsSamsung Electronic
5863KM416C4100CS-64M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 4K de refresco, 60nsSamsung Electronic
5864KM416C4104CESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fueraSamsung Electronic
5865KM416C4104CS-54M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 5V, 4K de refresco, 50nsSamsung Electronic
5866KM416C4104CS-64M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 5V, 4K de refresco, 60nsSamsung Electronic
5867KM416L8031BT128CMb DDR SDRAMSamsung Electronic
5868KM416L8031BT-F0128 Mb DDR SDRAM. Versión 0.61, frecuencia de funcionamiento. 100 MHz, 10ns velocidad.Samsung Electronic
5869KM416L8031BT-FY128 Mb DDR SDRAM. Versión 0.61, frecuencia de funcionamiento. 133 MHz, 7.5ns velocidad.Samsung Electronic
5870KM416L8031BT-FZ128 Mb DDR SDRAM. Versión 0.61, frecuencia de funcionamiento. 133 MHz, 7.5ns velocidad.Samsung Electronic
5871KM416L8031BT-G(F)0Versión 0,61 De la Especificación de DDR SDRAMSamsung Electronic
5872KM416L8031BT-G(F)YVersión 0,61 De la Especificación de DDR SDRAMSamsung Electronic
5873KM416L8031BT-G(F)ZVersión 0,61 De la Especificación de DDR SDRAMSamsung Electronic
5874KM416L8031BT-G(L)0Versión 1,0 De la Especificación de DDR SDRAMSamsung Electronic
5875KM416L8031BT-G(L)YVersión 1,0 De la Especificación de DDR SDRAMSamsung Electronic
5876KM416L8031BT-G(L)ZVersión 1,0 De la Especificación de DDR SDRAMSamsung Electronic
5877KM416L8031BT-G0128 Mb DDR SDRAM. Versión 0.61, frecuencia de funcionamiento. 100 MHz, 10ns velocidad.Samsung Electronic
5878KM416L8031BT-GY128 Mb DDR SDRAM. Versión 0.61, frecuencia de funcionamiento. 133 MHz, velocidad de 7,5 ns.Samsung Electronic
5879KM416L8031BT-GZ128 Mb DDR SDRAM. Versión 0.61, frecuencia de funcionamiento. 133 MHz, velocidad de 7,5 ns.Samsung Electronic
5880KM416RD128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
5881KM416RD16AC128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
5882KM416RD16AD128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
5883KM416RD16C128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
5884KM416RD2AC128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
5885KM416RD2AD128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
5886KM416RD2C128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
5887KM416RD2D128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
5888KM416RD32AC128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
5889KM416RD32AD128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
5890KM416RD32C128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
5891KM416RD32D128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
5892KM416RD4AC128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
5893KM416RD4AD128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
5894KM416RD4C128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
5895KM416RD4D128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
5896KM416RD8AC128/144Mbit RDRAMSamsung Electronic
5897KM416RD8AC(D)-RK70128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
5898KM416RD8AC(D)-RK80128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
5899KM416RD8AC(DB)-RCG60128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTMSamsung Electronic
5900KM416RD8AC-RG60256K x 16 x 32s bancos dependientes RDRAM directa. Tiempo de acceso: 53,3 ns, velocidad: 600 Mbps (300 MHz).Samsung Electronic

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