Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
5801 | KM416C1204CJ-50 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 5.0V, período de actualización = 16 ms | Samsung Electronic |
5802 | KM416C1204CJ-6 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60ns | Samsung Electronic |
5803 | KM416C1204CJ-60 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 5.0V, período de actualización = 16 ms | Samsung Electronic |
5804 | KM416C1204CJ-L45 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45ns | Samsung Electronic |
5805 | KM416C1204CJ-L5 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50ns | Samsung Electronic |
5806 | KM416C1204CJ-L6 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60ns | Samsung Electronic |
5807 | KM416C1204CJL-45 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 5.0V, auto-actualización | Samsung Electronic |
5808 | KM416C1204CJL-50 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 5.0V, auto-actualización | Samsung Electronic |
5809 | KM416C1204CJL-60 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 5.0V, auto-actualización | Samsung Electronic |
5810 | KM416C1204CT-45 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45ns | Samsung Electronic |
5811 | KM416C1204CT-5 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50ns | Samsung Electronic |
5812 | KM416C1204CT-50 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 5.0V, período de actualización = 16 ms | Samsung Electronic |
5813 | KM416C1204CT-6 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60ns | Samsung Electronic |
5814 | KM416C1204CT-60 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 5.0V, período de actualización = 16 ms | Samsung Electronic |
5815 | KM416C1204CT-L45 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 45ns | Samsung Electronic |
5816 | KM416C1204CT-L5 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 50ns | Samsung Electronic |
5817 | KM416C1204CT-L6 | 5V, 1 M x 16 bit CMOS DRAM con datos extendidos hacia fuera, 60ns | Samsung Electronic |
5818 | KM416C1204CTL-45 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 45ns, VCC = 5.0V, auto-actualización | Samsung Electronic |
5819 | KM416C1204CTL-50 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 50ns, VCC = 5.0V, auto-actualización | Samsung Electronic |
5820 | KM416C1204CTL-60 | 1M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 60ns, VCC = 5.0V, auto-actualización | Samsung Electronic |
5821 | KM416C254D | ESPOLÓN dinámico de 256K x de 16Bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
5822 | KM416C254DJ-5 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 50ns, 8ms período de refresco | Samsung Electronic |
5823 | KM416C254DJ-6 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 60ns, 8ms período de refresco | Samsung Electronic |
5824 | KM416C254DJ-7 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 70ns, 8ms período de refresco | Samsung Electronic |
5825 | KM416C254DJL-5 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 50ns, la auto-actualización | Samsung Electronic |
5826 | KM416C254DJL-6 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 60ns, la auto-actualización | Samsung Electronic |
5827 | KM416C254DJL-7 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 70ns, la auto-actualización | Samsung Electronic |
5828 | KM416C254DT-5 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 50ns, 8ms período de refresco | Samsung Electronic |
5829 | KM416C254DT-6 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 60ns, 8ms período de refresco | Samsung Electronic |
5830 | KM416C254DT-7 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 70ns, 8ms período de refresco | Samsung Electronic |
5831 | KM416C254DTL-5 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 50ns, la auto-actualización | Samsung Electronic |
5832 | KM416C254DTL-6 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 60ns, la auto-actualización | Samsung Electronic |
5833 | KM416C254DTL-7 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, Vcc = 5.0V, 70ns, la auto-actualización | Samsung Electronic |
5834 | KM416C256D | ESPOLÓN dinámico de 256K x de 16Bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
5835 | KM416C256DJ-5 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 50ns, 5V | Samsung Electronic |
5836 | KM416C256DJ-6 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 60ns, 5V | Samsung Electronic |
5837 | KM416C256DJ-7 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 70ns, 5V | Samsung Electronic |
5838 | KM416C256DLJ-5 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 50ns, 5V, capacidad de auto-actualización | Samsung Electronic |
5839 | KM416C256DLJ-6 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 60ns, 5V, capacidad de auto-actualización | Samsung Electronic |
5840 | KM416C256DLJ-7 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 70ns, 5V, capacidad de auto-actualización | Samsung Electronic |
5841 | KM416C256DLT-5 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 50ns, 5V, capacidad de auto-actualización | Samsung Electronic |
5842 | KM416C256DLT-6 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 60ns, 5V, capacidad de auto-actualización | Samsung Electronic |
5843 | KM416C256DLT-7 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 70ns, 5V, capacidad de auto-actualización | Samsung Electronic |
5844 | KM416C256DT-5 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 50ns, 5V | Samsung Electronic |
5845 | KM416C256DT-6 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 60ns, 5V | Samsung Electronic |
5846 | KM416C256DT-7 | 256K x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 70ns, 5V | Samsung Electronic |
5847 | KM416C4000B | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
5848 | KM416C4000BS-45 | 4M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 8K de refresco, 45ns | Samsung Electronic |
5849 | KM416C4000BS-5 | 4M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 8K de refresco, 50ns | Samsung Electronic |
5850 | KM416C4000BS-6 | 4M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 8K de refresco, 60ns | Samsung Electronic |
5851 | KM416C4000C | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
5852 | KM416C4000CS-5 | 4M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 8K de refresco, 50ns | Samsung Electronic |
5853 | KM416C4000CS-6 | 4M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 8K de refresco, 60ns | Samsung Electronic |
5854 | KM416C4004C | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
5855 | KM416C4004CS-5 | 4M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 5V, 8K de refresco, 50ns | Samsung Electronic |
5856 | KM416C4004CS-6 | 4M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 5V, 8K de refresco, 60ns | Samsung Electronic |
5857 | KM416C4100B | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
5858 | KM416C4100BS-45 | 4M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 4K de refresco, 45ns | Samsung Electronic |
5859 | KM416C4100BS-5 | 4M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 4K de refresco, 50ns | Samsung Electronic |
5860 | KM416C4100BS-6 | 4M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 4K de refresco, 60ns | Samsung Electronic |
5861 | KM416C4100C | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con modo rápido de la página | Samsung Electronic |
5862 | KM416C4100CS-5 | 4M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 4K de refresco, 50ns | Samsung Electronic |
5863 | KM416C4100CS-6 | 4M x 16 bit CMOS RAM dinámica con el modo de página rápida, 5V, 4K de refresco, 60ns | Samsung Electronic |
5864 | KM416C4104C | ESPOLÓN dinámico de los 4M x 16bit Cmos con datos extendidos hacia fuera | Samsung Electronic |
5865 | KM416C4104CS-5 | 4M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 5V, 4K de refresco, 50ns | Samsung Electronic |
5866 | KM416C4104CS-6 | 4M x 16 bit CMOS RAM dinámica con datos extendidos hacia fuera, 5V, 4K de refresco, 60ns | Samsung Electronic |
5867 | KM416L8031BT | 128CMb DDR SDRAM | Samsung Electronic |
5868 | KM416L8031BT-F0 | 128 Mb DDR SDRAM. Versión 0.61, frecuencia de funcionamiento. 100 MHz, 10ns velocidad. | Samsung Electronic |
5869 | KM416L8031BT-FY | 128 Mb DDR SDRAM. Versión 0.61, frecuencia de funcionamiento. 133 MHz, 7.5ns velocidad. | Samsung Electronic |
5870 | KM416L8031BT-FZ | 128 Mb DDR SDRAM. Versión 0.61, frecuencia de funcionamiento. 133 MHz, 7.5ns velocidad. | Samsung Electronic |
5871 | KM416L8031BT-G(F)0 | Versión 0,61 De la Especificación de DDR SDRAM | Samsung Electronic |
5872 | KM416L8031BT-G(F)Y | Versión 0,61 De la Especificación de DDR SDRAM | Samsung Electronic |
5873 | KM416L8031BT-G(F)Z | Versión 0,61 De la Especificación de DDR SDRAM | Samsung Electronic |
5874 | KM416L8031BT-G(L)0 | Versión 1,0 De la Especificación de DDR SDRAM | Samsung Electronic |
5875 | KM416L8031BT-G(L)Y | Versión 1,0 De la Especificación de DDR SDRAM | Samsung Electronic |
5876 | KM416L8031BT-G(L)Z | Versión 1,0 De la Especificación de DDR SDRAM | Samsung Electronic |
5877 | KM416L8031BT-G0 | 128 Mb DDR SDRAM. Versión 0.61, frecuencia de funcionamiento. 100 MHz, 10ns velocidad. | Samsung Electronic |
5878 | KM416L8031BT-GY | 128 Mb DDR SDRAM. Versión 0.61, frecuencia de funcionamiento. 133 MHz, velocidad de 7,5 ns. | Samsung Electronic |
5879 | KM416L8031BT-GZ | 128 Mb DDR SDRAM. Versión 0.61, frecuencia de funcionamiento. 133 MHz, velocidad de 7,5 ns. | Samsung Electronic |
5880 | KM416RD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTM | Samsung Electronic |
5881 | KM416RD16AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTM | Samsung Electronic |
5882 | KM416RD16AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTM | Samsung Electronic |
5883 | KM416RD16C | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTM | Samsung Electronic |
5884 | KM416RD2AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTM | Samsung Electronic |
5885 | KM416RD2AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTM | Samsung Electronic |
5886 | KM416RD2C | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTM | Samsung Electronic |
5887 | KM416RD2D | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTM | Samsung Electronic |
5888 | KM416RD32AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTM | Samsung Electronic |
5889 | KM416RD32AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTM | Samsung Electronic |
5890 | KM416RD32C | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTM | Samsung Electronic |
5891 | KM416RD32D | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTM | Samsung Electronic |
5892 | KM416RD4AC | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTM | Samsung Electronic |
5893 | KM416RD4AD | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTM | Samsung Electronic |
5894 | KM416RD4C | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTM | Samsung Electronic |
5895 | KM416RD4D | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTM | Samsung Electronic |
5896 | KM416RD8AC | 128/144Mbit RDRAM | Samsung Electronic |
5897 | KM416RD8AC(D)-RK70 | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTM | Samsung Electronic |
5898 | KM416RD8AC(D)-RK80 | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTM | Samsung Electronic |
5899 | KM416RD8AC(DB)-RCG60 | 128/144Mbit RDRAM 256K x 16/18 los bancos dependientes del pedacito x 2*16 dirigen RDRAMTM | Samsung Electronic |
5900 | KM416RD8AC-RG60 | 256K x 16 x 32s bancos dependientes RDRAM directa. Tiempo de acceso: 53,3 ns, velocidad: 600 Mbps (300 MHz). | Samsung Electronic |
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