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Nr.Nombre de la parteDescripciónFabricante
20001STB6LNC60Mosfet del OHMIO 5.Å D2PAK POWERMESH II Del N-canal 600V 1SGS Thomson Microelectronics
20002STB6NA60N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics
20003STB6NA60VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enSGS Thomson Microelectronics
20004STB6NA80N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics
20005STB6NA80VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enSGS Thomson Microelectronics
20006STB6NB50N - CANAL 500V - 1,35 Ohmios - 5.Å - Mosfet de D2PAK/I2PAK PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
20007STB6NB90N - CANAL 900V - 1,7 Ohmios - 5.Å - Mosfet De D 2 PAK PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
20008STB6NC60-1N-canal 600V 1,0 OHMIOS - Ã - Mosfet del ACOPLAMIENTO II de la ENERGÍA De To-220/to220fp/i2pakSGS Thomson Microelectronics
20009STB6NC80Z-1El N-canal 800V el 1.ÖHM 5. To-220/to-220fp/i2pak/Zener-protegio' el Mosfet de POWERMESH IIISGS Thomson Microelectronics
20010STB6NC90Z-1el OHMIO 5. To-220/to-200fp/i2pak Del N-canal 900V 1,55 Zener-protegio' el Mosfet de POWERMESH IIISGS Thomson Microelectronics
20011STB6NK60Zel OHMIO Ã To-220/to-220fp/d2pak Del N-canal 600V 1 Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de SUPERMESHSGS Thomson Microelectronics
20012STB7001900 NIVEL LNA DEL AUMENTO DEL MEGACICLO TRESSGS Thomson Microelectronics
20013STB70021,8 NIVEL LNA DEL AUMENTO DEL GIGAHERTZ TRESSGS Thomson Microelectronics
20014STB7002TR1.8 GHZ TRES GANANCIA NIVEL LNASGS Thomson Microelectronics
20015STB7003Tri-venda GSM/DCS/PCS LNASGS Thomson Microelectronics
20016STB70NF02LN-canal 20V - 0,006 W - Mosfet BAJO de la ENERGÍA De STripFET de la CARGA de la PUERTA De 70A D 2 PAKSGS Thomson Microelectronics
20017STB70NF02LN-canal 20V - 0,006 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA De 70A D2PAKSGS Thomson Microelectronics
20018STB70NF03LN - CANAL 30V - 0,008 Ohmios - Mosfet BAJO de la ENERGÍA De STripFET de la CARGA de la PUERTA De 70A D 2 PAKSGS Thomson Microelectronics
20019STB70NF03LN-canal 30V - 0,008 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA De 70A D2PAKSGS Thomson Microelectronics
20020STB70NF03L-1N-canal 30V - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA De 0,008 OHMIOS -70A To-220/i2pakSGS Thomson Microelectronics
20021STB70NF3LLN-canal 30V - 0,008 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA De 70A D2PAKSGS Thomson Microelectronics
20022STB70NF3LLN-canal 30V - 0,008 Ohmios - Mosfet BAJO de la ENERGÍA De STripFET de la CARGA de la PUERTA De 70A D 2 PAKSGS Thomson Microelectronics
20023STB70NFS03LN - CANAL 30V - 0,008 Ohmios - Mosfet De 70A D 2 PAK STripFET MÁS EL RECTIFICADOR de SCHOTTKYSGS Thomson Microelectronics
20024STB70NFS03LN-canal 30V - 0,008 OHMIOS - Mosfet De 70A D2PAK STRIPFET MÁS EL RECTIFICADOR de SCHOTTKYSGS Thomson Microelectronics
20025STB7101AMPLIO AMPLIFICADOR Del Pre-power de la VENDA 0.9/1.9GHZSGS Thomson Microelectronics
20026STB7101TR0.9 / 1.9GHZ BANDA ANCHA PRE-AMPLIFICADOR DE POTENCIASGS Thomson Microelectronics
20027STB71020,5/2,5 AMPLIFICADOR BAJO DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA DEL ALMACENADOR INTERMEDIARIO DEL GIGAHERTZSGS Thomson Microelectronics
20028STB7102TR0.1 / 2.5 GHZ SI AMPLIFICADOR MMIC BUFFERSGS Thomson Microelectronics
20029STB71030.1 / 2.5 GHZ SI AMPLIFICADOR MMIC BUFFERSGS Thomson Microelectronics
20030STB71040.1 / 2.5 GHZ SI AMPLIFICADOR MMIC BUFFERSGS Thomson Microelectronics
20031STB75NE75N - CANAL 75V - 0,01 Ohmios - 7Ä - Mosfet de la ENERGÍA De D 2 PAK STripFETSGS Thomson Microelectronics
20032STB75NF75N-canal 75V - 0,01 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 7Ä D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20033STB75NF75-1N-canal 75V - 0,01 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 7Ä D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20034STB75NF75LN-canal 75V - 0,009 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 7Ä D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20035STB75NF75L-1N-canal 75V - 0,009 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 7Ä D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20036STB7NA40VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enSGS Thomson Microelectronics
20037STB7NA40N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics
20038STB7NB40N - Mosfet De PowerMESH del MODO del REALCE del CANALSGS Thomson Microelectronics
20039STB7NB60N - CANAL 600V - 1,0 OMH - 7.À - Mosfet De I 2 PAK/D 2 PAK PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
20040STB7NC70Z-1El N-canal 700V el 1.1OHM Ã To-220 To-220fp I2PAK ZENER PROTEGIÓ EL Mosfet de POWERMESH IIISGS Thomson Microelectronics
20041STB80NE03L-06N - CANAL 30V - 0.005W - 80A - Mosfet de la ENERGÍA De D 2 PAK STripFETSGS Thomson Microelectronics
20042STB80NE06-10N - Mosfet De la ENERGÍA Del ö Del TAMAÑO De la CARACTERÍSTICA Del ö Del MODO Del REALCE Del CANAL SOLOSGS Thomson Microelectronics
20043STB80NF03L-04N-canal 30V - 0,0035 Ohmios - Mosfet de la ENERGÍA De 80A To-262/to-263 STripFETSGS Thomson Microelectronics
20044STB80NF03L-04N-canal 30V - 0,0035 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 80A D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20045STB80NF03L-04-1N-canal 30V - 0,0035 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 80A D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20046STB80NF10N-canal 100V - 0,012 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA De 80A I2PAK/D2PAKSGS Thomson Microelectronics
20047STB80NF10N - CANAL 100V - Los 0.01Ôhm - 80A I 2 Mosfet BAJO de la ENERGÍA de PAK/D 2 PAK Qg STripFETSGS Thomson Microelectronics
20048STB80NF55-06N - CANAL 55V - 0,005 Ohmios - Mosfet de la ENERGÍA De 80A To-262/to-263 STripFETSGS Thomson Microelectronics
20049STB80NF55-06Mosfet de la ENERGÍA del OHMIO 80A D2PAK STRIPFET II Del N-canal 55V 0,005SGS Thomson Microelectronics
20050STB80NF55-06N-canal 55V - 0,005 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 80A To-262 STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
20051STB80NF55-06-1Mosfet de la ENERGÍA del OHMIO 80A To-220/to-220fp/i2pak STRIPFET II Del N-canal 55V 0,005SGS Thomson Microelectronics
20052STB80NF55-06-1N-canal 55V - 0,005 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 80A To-220/to-220fp/i2pak STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
20053STB80NF55-08N-canal 55V - 0,0065 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 80A D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20054STB80NF55-08N-canal 55V - 0,0065 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA de 8OA D2PAK/I2PAK STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
20055STB80NF55-08-1N-canal 55V - 0,0065 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 80A D2pak/i2pak/to-220 STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20056STB80NF55L-06N - CANAL 55V - 0,005 Ohmios - Mosfet de la ENERGÍA De 80A D 2 PAK STripFETSGS Thomson Microelectronics
20057STB80NF75LMosfet de la ENERGÍA del OHMIO 80A D2PAK STRIPFET Del N-canal 75V 0,008SGS Thomson Microelectronics
20058STB80NF75LN-canal 75V - 0,008 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 80A To-220/d2pak/i2pak STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20059STB80NF75L-1N-canal 75V - 0,008 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 80A To-220/d2pak/i2pak STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20060STB80PF55P-canal 55V - 0,016 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 80A D2PAK STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20061STB85NF3LLMosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA del OHMIO 8Ä D2PAK Del N-canal 30V 0,006SGS Thomson Microelectronics
20062STB85NF3LL-1Mosfet BAJO de la CARGA STRIPFET de la PUERTA del OHMIO 8Ä To-220/i2pak Del N-canal 30V 0,006SGS Thomson Microelectronics
20063STB85NF55N-canal 55V - 0,0062 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 80A D2pak/to-220 STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20064STB85NF55LN-canal 55V - 0,0060 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 80A D2pak/to-220 STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20065STB8NA50VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enSGS Thomson Microelectronics
20066STB8NA50N - TRANSISTOR RÁPIDO Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics
20067STB8NC50Mosfet del OHMIO Å D2PAK POWERMESH II Del N-canal 500V 0,7SGS Thomson Microelectronics
20068STB8NC50-1N-canal 500V - 0,7 OHMIOS - Mosfet De Å To-220/to-220fp/i2pak POWERMESH IISGS Thomson Microelectronics
20069STB8NC70Z-1el OHMIO 6.Å To-220/to-220fp/i2pak Del N-canal 700V 0,90 Zener-protegio' el Mosfet de POWERMESH IIISGS Thomson Microelectronics



20070STB8NS25Mosfet del RECUBRIMIENTO del ACOPLAMIENTO del OHMIO Å D2PAK Del N-canal 250V 0,38SGS Thomson Microelectronics
20071STB90NF03LMosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA del OHMIO 90A D2PAK Del N-canal 30V 0,0056SGS Thomson Microelectronics
20072STB90NF03L-1Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA del OHMIO 90A To-220/i2pak Del N-canal 30V 0,0056SGS Thomson Microelectronics
20073STB9NB50N-canal 500V - 0,75 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 8.Ã D2PAK STRIPFETSGS Thomson Microelectronics
20074STB9NB50N - Mosfet del ACOPLAMIENTO De la Energía del MODO del REALCE del CANALSGS Thomson Microelectronics
20075STB9NB60N - CANAL 600V - Mosfet De los 0.7Ohm -9a-i 2 PAK/D 2 PAK PowerMESHSGS Thomson Microelectronics
20076STB9NC60N - CANAL 600V - Mosfet De los 0.Öhm -9A D 2 PAK/I 2 PAK PowerMESH IISGS Thomson Microelectronics
20077STB9NK50Zel OHMIO To-220/to-220fp/d2pak Del N-canal 500V 0,72 Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de SUPERMESHSGS Thomson Microelectronics
20078STBR406PUENTE DE LA RECTIFICACIÓN 50-60hzSGS Thomson Microelectronics
20079STBR408PUENTE DE LA RECTIFICACIÓN 50-60hzSGS Thomson Microelectronics
20080STBR606PUENTE DE LA RECTIFICACIÓN 50-60hzSGS Thomson Microelectronics
20081STBR608PUENTE DE LA RECTIFICACIÓN 50-60hzSGS Thomson Microelectronics
20082STBV32TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPNSGS Thomson Microelectronics
20083STBV32TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPNSGS Thomson Microelectronics
20084STBV42TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPNSGS Thomson Microelectronics
20085STBV45TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPNSGS Thomson Microelectronics
20086STBV68TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPNSGS Thomson Microelectronics
20087STC5NF20VN-canal 20V - 0.030 OHMIO - Mosfet de la ENERGÍA De Ä TSSOP8 2.7v-drive STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20088STC6NF30VN-canal 30V - 0,020 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De à TSSOP8 2.5v-drive STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20089STD100NH02LN-canal 24V - MOSFET de potencia 60A DPAK / IPAK STripFET III - 0,0042 OhmSGS Thomson Microelectronics
20090STD10NF06LMosfet de la ENERGÍA del OHMIO 10A DPAK STRIPFET II Del N-canal 60V 0,1SGS Thomson Microelectronics
20091STD10NF10N-canal 100V - 0,115 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA Del 1Á IPAK/DPAKSGS Thomson Microelectronics
20092STD10PF06P - CANAL 60V - 0,18 Ohmios - Mosfet de la ENERGÍA De 10A To-252 STripFETSGS Thomson Microelectronics
20093STD10PF06P-canal 60V - 0,18 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 10A IPAK/DPAK STRIPFET IISGS Thomson Microelectronics
20094STD110NH02LN-canal 24V - MOSFET de potencia 80A DPAK STripFET III - 0,0044 OhmSGS Thomson Microelectronics
20095STD12N05VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enSGS Thomson Microelectronics
20096STD12N05N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics
20097STD12N05LVIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enSGS Thomson Microelectronics
20098STD12N05LN - TRANSISTOR BAJO Del MOS De la ENERGÍA Del UMBRAL Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics
20099STD12N06VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-enSGS Thomson Microelectronics
20100STD12N06N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANALSGS Thomson Microelectronics

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