| Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
| 20101 | STD12N06L | N - TRANSISTOR BAJO Del MOS De la ENERGÍA Del UMBRAL Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 20102 | STD12N06L | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 20103 | STD12N10L | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 20104 | STD12N10L | N - CANAL 100V - 0,12 Ohmios - TRANSISTOR BAJO del MOS de la ENERGÍA del UMBRAL Del 1À To-252 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20105 | STD12NE06 | N - CANAL 60V - 0,08 Ohmios - 1À - IPAK/DPAK ESCOGE EL Mosfet de la ENERGÍA del TAMAÑO de la CARACTERÍSTICA | SGS Thomson Microelectronics |
| 20106 | STD12NE06L | N-canal 60V - 0,09 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À IPAK/DPAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20107 | STD12NE06L | N - CANAL 60V - 0,09 Ohmios - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À To-251/to-252 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20108 | STD12NF06 | N-canal 60V - 0,08 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À IPAK/DPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20109 | STD12NF06L | N-canal 60V - 0,08 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA Del 1À IPAK/DPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20110 | STD13003 | TRANSISTOR de ENERGÍA DE ALTO VOLTAJE De la Ra'pido-conmutacio'n NPN | SGS Thomson Microelectronics |
| 20111 | STD150NH02L | N-canal 24V - 150A MOSFET CLIPPAK / IPAK STripFET III PARA CONVERSIÓN DC-DC - 0,0033 OHM | SGS Thomson Microelectronics |
| 20112 | STD15N06 | N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 20113 | STD15N06 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 20114 | STD15N06L | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 20115 | STD15N06L | N - TRANSISTOR BAJO Del MOS De la ENERGÍA Del UMBRAL Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 20116 | STD15NF10 | N-canal 100V - 0,060 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA De 2Á DPAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 20117 | STD15NF10 | N - CANAL 100V - Los 0.07Óhm - Mosfet BAJO de la ENERGÍA De STripFET de la CARGA de la PUERTA Del 1Ä To-252 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20118 | STD16NE06 | N - CANAL 60V - 0,07 Ohmios - Mosfet de la ENERGÍA De 1Ã DPAK/IPAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20119 | STD16NE06L | N - CANAL 60V - 0,07 Ohmios - 1Ã - Mosfet de la ENERGÍA de DPAK STripFET " | SGS Thomson Microelectronics |
| 20120 | STD16NE06L-1 | N - CANAL 60V - 0,07 Ohmios - 1Ã - Mosfet de la ENERGÍA De To-251 STripFET " | SGS Thomson Microelectronics |
| 20121 | STD16NE10 | N - CANAL 100V - Los 0.07Ohm - 1Ã - Mosfet de IPAK/DPAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20122 | STD16NE10L | N - CANAL 100V - 0,07 Ohmios - Mosfet de la ENERGÍA De 1Ã DPAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20123 | STD17N05 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 20124 | STD17N05 | N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 20125 | STD17N05L | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 20126 | STD17N05L | N - TRANSISTOR BAJO Del MOS De la ENERGÍA Del UMBRAL Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 20127 | STD17N06 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 20128 | STD17N06 | N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 20129 | STD17N06L | N - TRANSISTOR BAJO Del MOS De la ENERGÍA Del UMBRAL Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 20130 | STD17N06L | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 20131 | STD17NE03L | N - CANAL 30V - 0.03Ôhms - 17A - Mosfet de la ENERGÍA de DPAK/IPAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20132 | STD17NF03L | Mosfet de la ENERGÍA del OHMIO 17A DPAK/IPAK STRIFET Del N-canal 30V 0,038 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20133 | STD17NF03L-1 | Mosfet de la ENERGÍA del OHMIO 17A DPAK/IPAK STRIFET Del N-canal 30V 0,038 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20134 | STD19NE06 | N-canal 60V - 0,042 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 19A IPAK/DPAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20135 | STD19NE06L | N-canal 60V - 0,038 OHMIOS - 19A - Mosfet de la ENERGÍA De To-251/to-252 STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20136 | STD19NE06L | N - CANAL 60V - 0,038 Ohmios - 19A - Mosfet de la ENERGÍA De To-251/to-252 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20137 | STD1HNC60 | N-canal 600V 4 Mosfet De À DPAK/IPAK POWERMESH II del OHMIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 20138 | STD1HNC60-1 | N-canal 600V 4 Mosfet De À DPAK/IPAK POWERMESH II del OHMIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 20139 | STD1LNC60 | N-canal 600V 12 Mosfet Del 1A DPAK/IPAK POWERMESH II del OHMIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 20140 | STD1LNC60-1 | N-canal 600V 12 Mosfet Del 1A DPAK/IPAK POWERMESH II del OHMIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 20141 | STD1NA60 | N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 20142 | STD1NA60 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 20143 | STD1NB50 | N - CANAL 500V - Los 7.Öhm - Mosfet De 1. IPAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 20144 | STD1NB60 | N - CANAL 600V - Los 7.Ôhm - 1A - Mosfet de IPAK/DPAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 20145 | STD1NB80 | N - CANAL 800V - 16 Ohmios - 1A - Mosfet de DPAK/IPAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 20146 | STD1NB80-1 | N - CANAL 800V - 16 Ohmios - 1A - Mosfet de IPAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 20147 | STD1NC40-1 | N - CANAL 400V - Los 8Ohm - 1A - Mosfet de IPAK PowerMESH II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20148 | STD1NC60 | Mosfet del OHMIO 1. DPAK/IPAK POWERMESH II Del N-canal 600V 7 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20149 | STD1NC70Z | el OHMIO 1. To-220/to-220fp/dpak/ipak Del N-canal 700V 7,3 Zener-protegio' el Mosfet de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
| 20150 | STD1NC70Z-1 | el OHMIO 1. To-220/to-220fp/dpak/ipak Del N-canal 700V 7,3 Zener-protegio' el Mosfet de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
| 20151 | STD20NE03L | N - Mosfet De la ENERGÍA Del ö Del TAMAÑO De la CARACTERÍSTICA Del ö Del MODO Del REALCE Del CANAL SOLO ] | SGS Thomson Microelectronics |
| 20152 | STD20NE03L | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 20153 | STD20NE06 | N - Mosfet De la ENERGÍA Del ö Del TAMAÑO De la CARACTERÍSTICA Del ö Del MODO Del REALCE Del CANAL SOLO | SGS Thomson Microelectronics |
| 20154 | STD20NF10 | N-canal 100V - 0,038 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA De 30A IPAK/DPAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 20155 | STD25NE03L | N - CANAL 30V - 0,019 Ohmios - 2Ä - Mosfet de la ENERGÍA De To-251/to-252 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20156 | STD25NF10 | Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET de la PUERTA del OHMIO 2Ä DPAK Del N-canal 100V 0,033 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20157 | STD29NF03L | N - CANAL 30V - 0,018 Ohmios - Mosfet BAJO de la ENERGÍA De STripFET de la CARGA de la PUERTA De 29A DPAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 20158 | STD29NF03L | N-canal 30V - 0,015 OHMIOS - Mosfet BAJO de la ENERGÍA de la CARGA STRIPFET II de la PUERTA De 29A IPAK/DPAK | SGS Thomson Microelectronics |
| 20159 | STD2N50 | N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 20160 | STD2N50-1 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 20161 | STD2NA50 | N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 20162 | STD2NA50-1 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 20163 | STD2NA50T4 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 20164 | STD2NA60 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 20165 | STD2NA60 | N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 20166 | STD2NB25 | N - CANAL 250V - El 1.7Ohm - À - Mosfet de IPAK/DPAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 20167 | STD2NB40 | N - CANAL 400V - Los 3.Öhm - À - Mosfet de IPAK/DPAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 20168 | STD2NB60 | N - Mosfet De PowerMESH del MODO del REALCE del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 20169 | STD2NB80 | N - CANAL 800V - 4,6 Ohmios - 1.9A - Mosfet de IPAK/DPAK PowerMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 20170 | STD2NC40-1 | N-canal 400V - Los 4.7Ohm - Mosfet De 1.Ä IPAK PowerMesh II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20171 | STD2NC40-1 | N-canal 400V - Los 4.7Ohm - Mosfet De 1.Ä IPAK PowerMesh II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20172 | STD2NC40-1 | Mosfet del OHMIO 1.Ä IPAK POWERMESH II Del N-canal 400V 4,7 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20173 | STD2NC50 | Mosfet Del N-canal 500V ÓHM 2.À DPAK/IPAK POWERMESH II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20174 | STD2NC50-1 | Mosfet Del N-canal 500V ÓHM 2.À DPAK/IPAK POWERMESH II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20175 | STD2NC60 | N-canal 600V 3,3 Mosfet De À DPAK/IPAK POWERMESH II del OHMIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 20176 | STD2NC60-1 | N-canal 600V 3,3 Mosfet De À DPAK/IPAK POWERMESH II del OHMIO | SGS Thomson Microelectronics |
| 20177 | STD2NC70Z | el OHMIO 2.Á DPAK/IPAK Del N-canal 700V 4,1 Zener-protegio' el Mosfet de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
| 20178 | STD2NC70Z-1 | el OHMIO 2.Á DPAK/IPAK Del N-canal 700V 4,1 Zener-protegio' el Mosfet de POWERMESH III | SGS Thomson Microelectronics |
| 20179 | STD2NM60 | el OHMIO À DPAK/IPAK Del N-canal 600V 2,8 Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de MDMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 20180 | STD2NM60-1 | el OHMIO À DPAK/IPAK Del N-canal 600V 2,8 Zener-protegio' el Mosfet de la ENERGÍA de MDMESH | SGS Thomson Microelectronics |
| 20181 | STD30NE06 | N - CANAL 60V - 0,025 Ohmios - 30A - Mosfet de la ENERGÍA de DPAK STripFET " | SGS Thomson Microelectronics |
| 20182 | STD30NE06L | N - CANAL 60V - 0,025 Ohmios - Mosfet de la ENERGÍA De 30A To-252 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20183 | STD30NF03L | N - CANAL 30V - 0,020 Ohmios - Mosfet de la ENERGÍA De 30A DPAK STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20184 | STD30NF03L | N-canal 30V - 0,020 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 30A DPAK/IPAK STRIPFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20185 | STD30NF06 | N-canal 60V - 0,020 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 2Å IPAK/DPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20186 | STD30NF06L | OHMIO 3Ä DPAK Del N-canal 60V 0,022/Mosfet de la ENERGÍA de IPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20187 | STD30PF03L | Mosfet de la ENERGÍA del OHMIO 2Â DPAK/IPAK STRIPFET II Del P-canal 30V 0,025 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20188 | STD30PF03L-1 | Mosfet de la ENERGÍA del OHMIO 2Â DPAK/IPAK STRIPFET II Del P-canal 30V 0,025 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20189 | STD35NF06 | OHMIO 5Ä - DPAK Del N-canal 60V 0,018 - Mosfet de la ENERGÍA de STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20190 | STD35NF06L | Mosfet del OHMIO 3Ä DPAK STRIPFET II Del N-canal 60V 0,014 | SGS Thomson Microelectronics |
| 20191 | STD35NF3LL | N-canal 30V - 0,014 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 3Ä IPAK/DPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20192 | STD35NF3LL-1 | N-canal 30V - 0,014 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 3Ä IPAK/DPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20193 | STD38NF03L | N - CANAL 30V - 0,013 Ohmios - Mosfet de la ENERGÍA De 3Å To-252 STripFET | SGS Thomson Microelectronics |
| 20194 | STD38NF03L | N-canal 30V - 0,011 OHMIOS - Mosfet de la ENERGÍA De 3Å DPAK STRIPFET II | SGS Thomson Microelectronics |
| 20195 | STD3N25 | N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 20196 | STD3N25 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 20197 | STD3N30 | N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 20198 | STD3N30-1 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
| 20199 | STD3N30L | N - TRANSISTOR Del MOS De la ENERGÍA Del MODO Del REALCE Del CANAL | SGS Thomson Microelectronics |
| 20200 | STD3N30L-1 | VIEJO PRODUCTO: NO CONVENIENTE PARA NUEVO Diseñar-en | SGS Thomson Microelectronics |
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