| Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
| 401 | BAT18-06 | Diodo de la conmutación del RF del silicio (interruptor low-loss de VHF/UHF sobre diodo del perno de 10 megaciclos con resistencia delantera baja) | Siemens |
| 402 | BAT240A | Diodo de Schottky del silicio (diodo de Schottky del rectificador para voltaje reverso de los usos del módem el alto para la fuente de alimentación) | Siemens |
| 403 | BAT30 | diodo de Schottky del silicio (detector del RF, mezclador de baja potencia, Zerobias, capacitancia muy baja, para las frecuencias hasta 25 gigahertz) | Siemens |
| 404 | BAT32 | Diodo De Schottky Del Silicio | Siemens |
| 405 | BAT60 | Diodo de Schottky del silicio (diodo de Schottky del rectificador para inductane móvil de la baja tensión de la comunicación el alto para la fuente de alimentación | Siemens |
| 406 | BAT60A | Diodo de Schottky del silicio (diodo de Schottky del rectificador con la gota baja extrema de VF para la comunicación móvil para la fuente de alimentación | Siemens |
| 407 | BAT60B | Diodo de Schottky del silicio (diodo de Schottky del rectificador para inductane móvil de la baja tensión de la comunicación el alto para la fuente de alimentación | Siemens |
| 408 | BAT62 | Diodo de Schottky del silicio (diodo de barrera bajo para los detectores hasta frecuencias del gigahertz.) | Siemens |
| 409 | BAT62-02W | Diodo de Schottky del silicio (diodo de barrera bajo para los detectores hasta frecuencias del gigahertz) | Siemens |
| 410 | BAT62-03W | Diodo de Schottky del silicio (diodo de barrera bajo para los detectores hasta frecuencias del gigahertz) | Siemens |
| 411 | BAT62-07 | Diodo de Schottky del silicio (diodo de barrera bajo para los detectores hasta frecuencias del gigahertz) | Siemens |
| 412 | BAT62-07W | Diodo de Schottky del silicio (diodo de barrera bajo para los detectores hasta frecuencias del gigahertz) | Siemens |
| 413 | BAT63 | Diodo de Schottky del silicio (diodo de barrera bajo para el mezclador y los detectores hasta frecuencias del gigahertz) | Siemens |
| 414 | BAT63-099R | Diodos de Schottky del silicio (arsenal diagonal cero del diodo para el mezclador y los detectores hasta cuadrángulo del anillo de la cruce de las frecuencias del gigahertz) | Siemens |
| 415 | BAT64 | Diodos de Schottky del silicio (para low-loss, la ra'pido-recuperacio'n, la protección del metro, el aislamiento diagonal y los usos el afianzar con abrazadera integró el anillo difundido del protector) | Siemens |
| 416 | BAT64-04 | Diodos de Schottky del silicio (para low-loss, la ra'pido-recuperacio'n, la protección del metro, el aislamiento diagonal y los usos el afianzar con abrazadera integró el anillo difundido del protector) | Siemens |
| 417 | BAT64-04W | Diodos de Schottky del silicio (para low-loss, la ra'pido-recuperacio'n, la protección del metro, el aislamiento diagonal y los usos el afianzar con abrazadera integró el anillo difundido del protector) | Siemens |
| 418 | BAT64-05 | Diodos de Schottky del silicio (para low-loss, la ra'pido-recuperacio'n, la protección del metro, el aislamiento diagonal y los usos el afianzar con abrazadera integró el anillo difundido del protector) | Siemens |
| 419 | BAT64-05W | Diodos de Schottky del silicio (para low-loss, la ra'pido-recuperacio'n, la protección del metro, el aislamiento diagonal y los usos el afianzar con abrazadera integró el anillo difundido del protector) | Siemens |
| 420 | BAT64-06 | Diodos de Schottky del silicio (para low-loss, la ra'pido-recuperacio'n, la protección del metro, el aislamiento diagonal y los usos el afianzar con abrazadera integró el anillo difundido del protector) | Siemens |
| 421 | BAT64-06W | Diodos de Schottky del silicio (para low-loss, la ra'pido-recuperacio'n, la protección del metro, el aislamiento diagonal y los usos el afianzar con abrazadera integró el anillo difundido del protector) | Siemens |
| 422 | BAT64-07 | Diodos de Schottky del silicio (para low-loss, la ra'pido-recuperacio'n, la protección del metro, el aislamiento diagonal y los usos el afianzar con abrazadera integró el anillo difundido del protector) | Siemens |
| 423 | BAT64-07W | Diodos de Schottky del silicio (para low-loss, la ra'pido-recuperacio'n, la protección del metro, el aislamiento diagonal y los usos el afianzar con abrazadera integró el anillo difundido del protector) | Siemens |
| 424 | BAT64-W | Diodos de Schottky del silicio (para low-loss, la ra'pido-recuperacio'n, la protección del metro, el aislamiento diagonal y los usos el afianzar con abrazadera integró el anillo difundido del protector) | Siemens |
| 425 | BAT64W | Diodos de Schottky del silicio (para low-loss, la ra'pido-recuperacio'n, la protección del metro, el aislamiento diagonal y los usos el afianzar con abrazadera integró el anillo difundido del protector) | Siemens |
| 426 | BAT65 | Diodo de Schottky del silicio (diodo de rectificador de baja potencia de Schottky) | Siemens |
| 427 | BAT66-05 | Diodo de Schottky del silicio (diodo de rectificador de baja potencia de Schottky) | Siemens |
| 428 | BAT68 | - diodos de Schottky del silicio (para los usos del mezclador en la gama de VHF/UHF para la alta conmutación de la velocidad) | Siemens |
| 429 | BAT68 | - diodos de Schottky del silicio (para los usos del mezclador en la gama de VHF/UHF para la alta conmutación de la velocidad) | Siemens |
| 430 | BAT68 | Diodos de Schottky del silicio (para los usos del mezclador en la gama de VHF/UHF para la alta conmutación de la velocidad) | Siemens |
| 431 | BAT68 | - diodos de Schottky del silicio (para los usos del mezclador en la gama de VHF/UHF para la alta conmutación de la velocidad) | Siemens |
| 432 | BAT68 | - diodos de Schottky del silicio (para los usos del mezclador en la gama de VHF/UHF para la alta conmutación de la velocidad) | Siemens |
| 433 | BAT68 | Diodos de Schottky del silicio (para los usos del mezclador en la gama de VHF/UHF para la alta conmutación de la velocidad) | Siemens |
| 434 | BAT68-03 | Diodo de Schottky del silicio (para los usos del mezclador en la gama de VHF/UHF para la conmutación de alta velocidad) | Siemens |
| 435 | BAT68-03W | Diodo de Schottky del silicio (para los usos del mezclador en la gama de VHF/UHF para la conmutación de alta velocidad) | Siemens |
| 436 | BAT68-04 | Diodos de Schottky del silicio (para los usos del mezclador en la gama de VHF/UHF para la alta conmutación de la velocidad) | Siemens |
| 437 | BAT68-04W | Diodos de Schottky del silicio (para los usos del mezclador en la gama de VHF/UHF para la conmutación de alta velocidad) | Siemens |
| 438 | BAT68-05 | Diodos de Schottky del silicio (para los usos del mezclador en la gama de VHF/UHF para la alta conmutación de la velocidad) | Siemens |
| 439 | BAT68-05W | Diodos de Schottky del silicio (para los usos del mezclador en la gama de VHF/UHF para la conmutación de alta velocidad) | Siemens |
| 440 | BAT68-06 | Diodos de Schottky del silicio (para los usos del mezclador en la gama de VHF/UHF para la alta conmutación de la velocidad) | Siemens |
| 441 | BAT68-06W | Diodos de Schottky del silicio (para los usos del mezclador en la gama de VHF/UHF para la conmutación de alta velocidad) | Siemens |
| 442 | BAT68-07W | Diodos de Schottky del silicio (en para los usos del mezclador el VHF/gama DE FRECUENCIA ULTRAELEVADA para los altos usos de la conmutación de la velocidad) | Siemens |
| 443 | BAT68W | Diodos de Schottky del silicio (para los usos del mezclador en la gama de VHF/UHF para la conmutación de alta velocidad) | Siemens |
| 444 | BAT70-05 | Diodos de Schottky del silicio (conexión paralela para el máximo SI por la caída de voltaje delantero baja del paquete para la fuente de alimentación) | Siemens |
| 445 | BAV170 | Arsenal bajo del diodo de la salida del silicio (la conmutación media de la velocidad de los usos bajos de la salida mide el tiempo del cátodo común) | Siemens |
| 446 | BAV199 | Arsenal bajo del diodo de la salida del silicio (tiempos medios de la conmutación de la velocidad de los usos de la Bajo-salida conectados en serie) | Siemens |
| 447 | BAV70 | Arsenal del diodo de la conmutación del silicio (para la alta conmutación de la velocidad del switchingFor alto de la velocidad) | Siemens |
| 448 | BAV70S | Arsenal del diodo de la conmutación del silicio (para el cátodo común de los usos de alta velocidad de la conmutación) | Siemens |
| 449 | BAV70W | Arsenal del diodo de la conmutación del silicio (para el cátodo común de los usos de alta velocidad de la conmutación) | Siemens |
| 450 | BAV74 | Arsenal del diodo de la conmutación del silicio (para la alta velocidad que cambia el cátodo común) | Siemens |
| 451 | BAV99 | Arsenal del diodo de la conmutación del silicio (para la alta conmutación de la velocidad conectada en serie) | Siemens |
| 452 | BAV99S | Arsenal del diodo de la conmutación del silicio (para los altos usos de la conmutación de la velocidad conectados en diodos aislados galvánicos internos de la serie en un paquete) | Siemens |
| 453 | BAV99W | Arsenal del diodo de la conmutación del silicio (conectado en la serie para los usos de alta velocidad de la conmutación) | Siemens |
| 454 | BAW100 | Arsenal del diodo de la conmutación del silicio (para los diodos eléctricamente aislados altos de la conmutación de la velocidad) | Siemens |
| 455 | BAW101 | Arsenal del diodo de la conmutación del silicio (diodos de velocidad mediana de alto voltaje eléctricamente aislados) | Siemens |
| 456 | BAW156 | Arsenal bajo del diodo de la salida del silicio (la conmutación media de la velocidad de los usos de la Bajo-salida mide el tiempo del ánodo común) | Siemens |
| 457 | BAW56 | Arsenal del diodo de la conmutación del silicio (para el ánodo común de los altos de la velocidad usos de la conmutación) | Siemens |
| 458 | BAW56S | Arsenal del diodo de la conmutación del silicio (para el ánodo común de los altos de la velocidad usos de la conmutación) | Siemens |
| 459 | BAW56W | Arsenal del diodo de la conmutación del silicio (para el ánodo común de los usos de alta velocidad de la conmutación) | Siemens |
| 460 | BAW78A | Diodos de la conmutación del silicio (voltaje de interrupción de los usos de la conmutación alto) | Siemens |
| 461 | BAW78A-BAW78D | Diodos de la conmutación del silicio (voltaje de interrupción de los usos de la conmutación alto) | Siemens |
| 462 | BAW78A-BAW79D | Diodos de la conmutación del silicio (para la alta velocidad que cambia el alto cátodo común del voltaje de interrupción) | Siemens |
| 463 | BAW78B | Diodos de la conmutación del silicio (voltaje de interrupción de los usos de la conmutación alto) | Siemens |
| 464 | BAW78C | Diodos de la conmutación del silicio (voltaje de interrupción de los usos de la conmutación alto) | Siemens |
| 465 | BAW78D | Diodos de la conmutación del silicio (voltaje de interrupción de los usos de la conmutación alto) | Siemens |
| 466 | BAW78M | Diodo de la conmutación del silicio (voltaje de interrupción de los usos de la conmutación alto) | Siemens |
| 467 | BAW79A | Diodos de la conmutación del silicio (para la alta velocidad que cambia el alto cátodo común del voltaje de interrupción) | Siemens |
| 468 | BAW79B | Diodos de la conmutación del silicio (para la alta velocidad que cambia el alto cátodo común del voltaje de interrupción) | Siemens |
| 469 | BAW79C | Diodos de la conmutación del silicio (para la alta velocidad que cambia el alto cátodo común del voltaje de interrupción) | Siemens |
| 470 | BAW79D | Diodos de la conmutación del silicio (para la alta velocidad que cambia el alto cátodo común del voltaje de interrupción) | Siemens |
| 471 | BAX280 | Diodo de FRED (VRRM 1000 V IFRMS 5,5 características suaves 55 de una recuperación del ns) | Siemens |
| 472 | BB112 | Diodo variable de la capacitancia del silicio (para la gama que templa especificada usos que templa de la 1 ¦ 8,0 V) | Siemens |
| 473 | BB304A | Diodo variable de la capacitancia del silicio (para la viruta monolítica de los sintonizadores de FM con el cátodo común para seguir perfecto de ambos diodos) | Siemens |
| 474 | BB419 | Diodo variable de la capacitancia del silicio (para los usos de circuito templados VHF) | Siemens |
| 475 | BB439 | Diodo variable de la capacitancia del silicio (para la cifra elevada templada VHF de los usos de circuito del mérito) | Siemens |
| 476 | BB512 | Diodo variable de la capacitancia del silicio (para la gama que templa especificada usos que templa de la 1 ¦ 8 V) | Siemens |
| 477 | BB515 | Diodo variable de la capacitancia del silicio (para resistencia baja de la serie del cociente grande de la capacitancia de los sintonizadores de la frecuencia ultraelevada y del VHF TV/VTR) | Siemens |
| 478 | BB535 | Diodo variable de la capacitancia del silicio (para cociente grande de la capacitancia de los sintonizadores de la frecuencia ultraelevada y de TV/TR, serie baja de la resistencia) | Siemens |
| 479 | BB545 | Diodo que templa del silicio (para templar cociente grande de la capacitancia de los sintonizadores de la frecuencia ultraelevada y del VHF TV, serie baja de la resistencia) | Siemens |
| 480 | BB555 | Diodo que templa del silicio (para la inductancia baja de la serie del alto cociente de la capacitancia de los Frecuencia-TV-sintonizadores) | Siemens |
| 481 | BB565 | Diodo variable de la capacitancia del silicio (para la resistencia baja de la serie de la alta de la capacitancia de los Frecuencia-TV-sintonizadores del cociente inductancia baja de la serie) | Siemens |
| 482 | BB619 | Diodo variable de la capacitancia del silicio (para templar de las bandas de frecuencia extendidas en sintonizadores del VHF TV/VTR) | Siemens |
| 483 | BB619C | Diodo variable de la capacitancia del silicio (para templar de la banda de frecuencia extendida en sintonizadores del VHF TV/de VTR) | Siemens |
| 484 | BB620 | Diodo variable de la capacitancia del silicio (para los sintonizadores de Hyperband TV/VTR, Bd I) | Siemens |
| 485 | BB639 | Diodo variable de la capacitancia del silicio (para templar de las bandas de frecuencia extendidas en sintonizadores del VHF TV/VTR) | Siemens |
| 486 | BB639C | Diodo variable de la capacitancia del silicio (para templar de la banda de frecuencia extendida en sintonizadores del VHF TV/de VTR) | Siemens |
| 487 | BB640 | Diodo variable de la capacitancia del silicio (para los sintonizadores de Hyperband TV/VTR, Bd I) | Siemens |
| 488 | BB641 | Diodo variable de la capacitancia del silicio (para la resistencia baja de la serie del alto cociente de la capacitancia de los sintonizadores del VHF Hyperband TV/TR) | Siemens |
| 489 | BB644 | Diodo variable de la capacitancia del silicio (para la inductancia baja de la serie del alto cociente de la capacitancia de los TV-sintonizadores del VHF) | Siemens |
| 490 | BB659 | Diodo que templa del silicio (para la resistencia baja de la serie de la alta de la capacitancia de los VHF-TV-sintonizadores del cociente inductancia baja de la serie) | Siemens |
| 491 | BB659C | Diodo variable de la capacitancia del silicio (para la resistencia baja de la serie de la alta de la capacitancia de los VHF-TV-sintonizadores del cociente inductancia baja de la serie) | Siemens |
| 492 | BB664 | Diodo variable de la capacitancia del silicio (para la resistencia baja de la serie de la alta de la capacitancia de los TV-sintonizadores del VHF del cociente inductancia baja de la serie) | Siemens |
| 493 | BB669 | Diodo que templa del silicio (para la resistencia baja de la serie del cociente muy alto de la capacitancia del VHF 2-Band-hyperband-TV-tuners) | Siemens |
| 494 | BB689 | Diodo que templa del silicio (para la resistencia baja de la serie de la capacitancia del VHF 2-Band-hyperband-TV-tuners del cociente de la inductancia baja muy alta de la serie) | Siemens |
| 495 | BB804 | Diodo variable de la capacitancia del silicio (para la viruta monolítica de los sintonizadores de FM con el cátodo común para seguir perfecto de ambos diodos) | Siemens |
| 496 | BB811 | Diodo variable de la capacitancia del silicio (gama de frecuencia hasta 2 gigahertz; diseño especial para el uso en unidades de interior TV-sentadas) | Siemens |
| 497 | BB814 | Diodo variable de la capacitancia del silicio (para los sintonizadores de radio de FM con cociente que templa extendido de la banda de frecuencia alto en el voltaje de fuente bajo (radio de coche) | Siemens |
| 498 | BB831 | Diodo variable de la capacitancia del silicio (gama de frecuencia hasta el diseño especial de 2 gigahertz para el uso en unidades de interior TV-sentadas) | Siemens |
| 499 | BB833 | Diodo que templa del silicio (gama de frecuencia de Extented hasta 2,5 gigahertz; diseño especial para el uso en unidades de interior TV-sentadas) | Siemens |
| 500 | BB835 | Diodo que templa del silicio (gama de frecuencia extendida hasta 2,8 gigahertz; diseño especial para el uso en unidades de interior TV-sentadas) | Siemens |
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