| Nr. | Nombre de la parte | Descripción | Fabricante |
| 1 | 2N6781 | 60 V, 06 ohmios, FET de potencia realce-modo de canal N de D-MOS | Topaz Semiconductor |
| 2 | 2N6782 | 100 V, 06 ohmios, N-canal-modo de mejora D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 3 | 2N7000 | 60 V, 5 ohmios, FET de potencia realce-modo de canal N de D-MOS | Topaz Semiconductor |
| 4 | 2N7104 | 30 V, 70 ohmios, N-canal-modo de mejora interruptor D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
| 5 | 2N7105 | 30 V, 70 ohmios, N-canal-modo de mejora interruptor D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
| 6 | 2N7106 | 10 V, 70 ohmios, N-canal-modo de mejora interruptor D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
| 7 | 2N7107 | 10 V, 70 ohmios, N-canal-modo de mejora interruptor D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
| 8 | 2N7108 | 20 V, 70 ohmios, N-canal-modo de mejora interruptor D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
| 9 | 2N7109 | 20 V, 70 ohmios, N-canal-modo de mejora interruptor D-MOS FET | Topaz Semiconductor |
| 10 | AN0110NA | 100 V, 100 om, de canal N mejora vías D-MOS FET matriz de 8 canales | Topaz Semiconductor |
| 11 | AN0120NA | 200 V, 300 om, de canal N mejora vías D-MOS FET matriz de 8 canales | Topaz Semiconductor |
| 12 | AN0130NA | 300 V, 300 om, de canal N mejora vías D-MOS FET matriz de 8 canales | Topaz Semiconductor |
| 13 | AN0140NA | 400 V, 350 om, de canal N mejora vías D-MOS FET matriz de 8 canales | Topaz Semiconductor |
| 14 | SD1100CHP | 450 V, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 15 | SD1100DD | 450 V, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 16 | SD1100HD | 450 V, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 17 | SD1101BD | 400 V, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 18 | SD1101CHP | 400 V, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 19 | SD1101DD | 400 V, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 20 | SD1101HD | 400 V, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 21 | SD1102BD | 250 V, 10 ohmios, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 22 | SD1102CHP | 250 V, 10 ohmios, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 23 | SD1102DD | 250 V, 10 ohmios, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 24 | SD1102HD | 250 V, 10 ohmios, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 25 | SD1106AD | 60 V, N-canal mejora vías D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 26 | SD1106CHP | 60 V, N-canal mejora vías D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 27 | SD1106DD | 60 V, N-canal mejora vías D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 28 | SD1107BD | 100 V, 4 ohm, FET de potencia realce-modo de canal N de D-MOS | Topaz Semiconductor |
| 29 | SD1107CHP | 100 V, 4 ohm, FET de potencia realce-modo de canal N de D-MOS | Topaz Semiconductor |
| 30 | SD1107DD | 100 V, 4 ohm, FET de potencia realce-modo de canal N de D-MOS | Topaz Semiconductor |
| 31 | SD1107HD | 100 V, 4 ohm, FET de potencia realce-modo de canal N de D-MOS | Topaz Semiconductor |
| 32 | SD1107N | 100 V, 4 ohm, FET de potencia realce-modo de canal N de D-MOS | Topaz Semiconductor |
| 33 | SD1112BD | 200 V, 7 ohmios, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 34 | SD1112CHP | 200 V, 7 ohmios, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 35 | SD1112DD | 200 V, 7 ohmios, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 36 | SD1112HD | 200 V, 7 ohmios, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 37 | SD1113BD | 200 V, 10 ohmios, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 38 | SD1113CHP | 200 V, 10 ohmios, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 39 | SD1113DD | 200 V, 10 ohmios, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 40 | SD1113HD | 200 V, 10 ohmios, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 41 | SD1117BD | 60 V, 2,5 ohmios, la mejora del modo de canal N de D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 42 | SD1117CHP | 60 V, 2,5 ohmios, la mejora del modo de canal N de D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 43 | SD1117DD | 60 V, 2,5 ohmios, la mejora del modo de canal N de D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 44 | SD1117HD | 60 V, 2,5 ohmios, la mejora del modo de canal N de D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 45 | SD1117N | 60 V, 2,5 ohmios, la mejora del modo de canal N de D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 46 | SD1122BD | 200 V, 10 ohmios, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 47 | SD1122CHP | 200 V, 10 ohmios, la mejora del modo de canal N de alta tensión D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
| 48 | SD1127BD | 60 V, 4 ohmios, N-canal de mejora en modo vertical, D-MOS FET de ultra baja fuga | Topaz Semiconductor |
| 49 | SD1127CHP | 60 V, 4 ohmios, N-canal de mejora en modo vertical, D-MOS FET de ultra baja fuga | Topaz Semiconductor |
| 50 | SD1137BD | 60 V, 2,5 ohmios, la mejora del modo de canal N de D-MOS FET de potencia | Topaz Semiconductor |
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