| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 1082361 | SD1080CS-T3 | Tensione inversa: 80.00V; Montaggio superficiale 10A DPAK raddrizzatore Schottky barriera | Won-Top Electronics |
| 1082362 | SD1080CT | BARRIERA RECTIFIER(voltage - 20 - 100 volt dello SCHOTTKY di CORRENTE - 10,0 ampčre) | Panjit International Inc |
| 1082363 | SD1080S | BARRIERA RECTIFIER(voltage - 20 - 100 volt dello SCHOTTKY del SUPPORTO della SUPERFICIE di DPAK di CORRENTE - 10,0 ampčre) | Panjit International Inc |
| 1082364 | SD1080S-T3 | RADDRIZZATORE DELLA BARRIERA DELLO SCHOTTKY DEL SUPPORTO DELLA SUPERFICIE DI 10CA DPAK | Won-Top Electronics |
| 1082365 | SD1080T | BARRIERA RECTIFIER(voltage - 20 - 100 volt dello SCHOTTKY di CORRENTE - 10,0 ampčre) | Panjit International Inc |
| 1082366 | SD1080YS | RADDRIZZATORE DELLA BARRIERA DELLO SCHOTTKY DEL SUPPORTO DELLA SUPERFICIE DI DPAK | Panjit International Inc |
| 1082367 | SD1080YS-T3 | RADDRIZZATORE DELLA BARRIERA DELLO SCHOTTKY DEL SUPPORTO DELLA SUPERFICIE DI 10CA DPAK | Won-Top Electronics |
| 1082368 | SD1080YT | BARRIERA RECTIFIER(voltage - 20 - 100 volt dello SCHOTTKY di CORRENTE - 10,0 ampčre) | Panjit International Inc |
| 1082369 | SD1100C | Versione STANDARD Di Puk Del Hockey dei DIODI di RECUPERO | International Rectifier |
| 1082370 | SD1100C04C | 400V 1400A Std. Diodo di recupero in un B-43 (E-Puk)package | International Rectifier |
| 1082371 | SD1100C04L | 400V 1170A Std. Diodo di recupero in un Do-200ab (B-Puk)package | International Rectifier |
| 1082372 | SD1100C08C | 800V 1400A Std. Diodo di recupero in un B-43 (E-Puk)package | International Rectifier |
| 1082373 | SD1100C08L | 800V 1170A Std. Diodo di recupero in un Do-200ab (B-Puk)package | International Rectifier |
| 1082374 | SD1100C12C | 1200V 1400A Std. Diodo di recupero in un B-43 (E-Puk)package | International Rectifier |
| 1082375 | SD1100C12L | 1200V 1170A Std. Diodo di recupero in un Do-200ab (B-Puk)package | International Rectifier |
| 1082376 | SD1100C16C | 1600V 1400A Std. Diodo di recupero in un B-43 (E-Puk)package | International Rectifier |
| 1082377 | SD1100C16L | 1600V 1170A Std. Diodo di recupero in un Do-200ab (B-Puk)package | International Rectifier |
| 1082378 | SD1100C20C | 2000V 1400A Std. Diodo di recupero in un B-43 (E-Puk)package | International Rectifier |
| 1082379 | SD1100C20L | 2000V 1170A Std. Diodo di recupero in un Do-200ab (B-Puk)package | International Rectifier |
| 1082380 | SD1100C25C | 2500V 1100A Std. Diodo di recupero in un B-43 (E-Puk)package | International Rectifier |
| 1082381 | SD1100C25L | 2500V 910A Std. Diodo di recupero in un Do-200ab (B-Puk)package | International Rectifier |
| 1082382 | SD1100C30C | 3000V 1100A Std. Diodo di recupero in un B-43 (E-Puk)package | International Rectifier |
| 1082383 | SD1100C30L | 3000V 910A Std. Diodo di recupero in un Do-200ab (B-Puk)package | International Rectifier |
| 1082384 | SD1100C32C | 3200V 1100A Std. Diodo di recupero in un B-43 (E-Puk)package | International Rectifier |
| 1082385 | SD1100C32L | 3200V 910A Std. Diodo di recupero in un Do-200ab (B-Puk)package | International Rectifier |
| 1082386 | SD1100CHP | 450 V, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenza | Topaz Semiconductor |
| 1082387 | SD1100DD | 450 V, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenza | Topaz Semiconductor |
| 1082388 | SD1100HD | 450 V, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenza | Topaz Semiconductor |
| 1082389 | SD1100P | Rectifier: Schottky | Taiwan Semiconductor |
| 1082390 | SD1101BD | 400 V, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenza | Topaz Semiconductor |
| 1082391 | SD1101CHP | 400 V, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenza | Topaz Semiconductor |
| 1082392 | SD1101DD | 400 V, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenza | Topaz Semiconductor |
| 1082393 | SD1101HD | 400 V, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenza | Topaz Semiconductor |
| 1082394 | SD1102BD | 250 V, 10 ohm, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenza | Topaz Semiconductor |
| 1082395 | SD1102CHP | 250 V, 10 ohm, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenza | Topaz Semiconductor |
| 1082396 | SD1102DD | 250 V, 10 ohm, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenza | Topaz Semiconductor |
| 1082397 | SD1102HD | 250 V, 10 ohm, valorizzazione modalitą a canale N ad alta tensione D-MOS FET di potenza | Topaz Semiconductor |
| 1082398 | SD1106AD | 60 V, a canale N enhancement vie D-MOS FET di potenza | Topaz Semiconductor |
| 1082399 | SD1106CHP | 60 V, a canale N enhancement vie D-MOS FET di potenza | Topaz Semiconductor |
| 1082400 | SD1106DD | 60 V, a canale N enhancement vie D-MOS FET di potenza | Topaz Semiconductor |
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