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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
1198161TC58V64BFTBIT di 64-mbit (8M x 8) CMOS NAND E2PROMTOSHIBA
1198162TC59Il TC59 č un'interruzione procedura bassa, stabilizzatore di tensione negativo dell'uscita progettato specificamente per i sistemi a pile. La relativa costruzione completa di CMOS elimina la corrente al suolo sprecata tipica di LDOs bipolMicrochip
1198163TC593002ECBInterruzione procedura Bassa, Stabilizzatore di tensione Negativo Dell'UscitaMicrochip
1198164TC593002ECBInterruzione procedura Bassa, Stabilizzatore di tensione Negativo Dell'UscitaMicrochip
1198165TC593002ECBTRBassa caduta di tensione, regolatore di tensione di uscita negativa, tensione di uscita 3.0VMicrochip
1198166TC595002ECBInterruzione procedura Bassa, Stabilizzatore di tensione Negativo Dell'UscitaMicrochip
1198167TC595002ECBInterruzione procedura Bassa, Stabilizzatore di tensione Negativo Dell'UscitaMicrochip
1198168TC595002ECBTRBassa caduta di tensione, regolatore di tensione di uscita negativa, tensione di uscita 5.0VMicrochip
1198169TC59LM806CFTRete FCRAM TM TOSHIBA
1198170TC59LM806CFT-50rete FCRAM o 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS FCRAM della rete di 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITSTOSHIBA
1198171TC59LM806CFT-55rete FCRAM o 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS FCRAM della rete di 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITSTOSHIBA
1198172TC59LM806CFT-60rete FCRAM o 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS FCRAM della rete di 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITSTOSHIBA
1198173TC59LM806CFTIRete FCRAM TM TOSHIBA
1198174TC59LM814CFTRete FCRAM TM TOSHIBA
1198175TC59LM814CFT-50rete FCRAM o 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS FCRAM della rete di 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITSTOSHIBA
1198176TC59LM814CFT-55rete FCRAM o 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS FCRAM della rete di 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITSTOSHIBA
1198177TC59LM814CFT-60rete FCRAM o 8,388,608-WORDSx4BANKSx8-BITS FCRAM della rete di 4,194,304-WORDSx4 BANKSx16-BITSTOSHIBA
1198178TC59LM814CFTIRete FCRAM TM TOSHIBA



1198179TC59LM818DMBRete FCRAM TM TOSHIBA
1198180TC59LM818DMBIRete FCRAM TM TOSHIBA
1198181TC59LM836DKBRete FCRAM TM TOSHIBA
1198182TC59LM905AMBRete FCRAM TM TOSHIBA
1198183TC59LM906AMGRete FCRAM TM TOSHIBA
1198184TC59LM913AMBRete FCRAM TM TOSHIBA
1198185TC59LM914AMGRete FCRAM TM TOSHIBA
1198186TC59S6404SILICONE DEL CIRCUITO INTEGRATO DEL MOS DIGITAL MONOLITICOTOSHIBA
1198187TC59S6404SILICONE DEL CIRCUITO INTEGRATO DEL MOS DIGITAL MONOLITICOTOSHIBA
1198188TC59S6404BFTSILICONE DEL CIRCUITO INTEGRATO DEL MOS DIGITAL MONOLITICOTOSHIBA
1198189TC59S6404BFTSILICONE DEL CIRCUITO INTEGRATO DEL MOS DIGITAL MONOLITICOTOSHIBA
1198190TC59S6404BFT-10SILICONE DEL CIRCUITO INTEGRATO DEL MOS DIGITAL MONOLITICOTOSHIBA
1198191TC59S6404BFT-10SILICONE DEL CIRCUITO INTEGRATO DEL MOS DIGITAL MONOLITICOTOSHIBA
1198192TC59S6404BFT-80SILICONE DEL CIRCUITO INTEGRATO DEL MOS DIGITAL MONOLITICOTOSHIBA
1198193TC59S6404BFT-80SILICONE DEL CIRCUITO INTEGRATO DEL MOS DIGITAL MONOLITICOTOSHIBA
1198194TC59S6404BFT/BFTL-80RAM DINAMICA SINCRONA Di 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT STOSHIBA
1198195TC59S6404BFT/BFTL-80RAM DINAMICA SINCRONA Di 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT STOSHIBA
1198196TC59S6404BFT/BFTL10RAM DINAMICA SINCRONA Di 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT STOSHIBA
1198197TC59S6404BFT/BFTL10RAM DINAMICA SINCRONA Di 1,048,576/2,097,152/4,194,304-WORDSx4BANKSx16/8/4-BIT STOSHIBA
1198198TC59S6404BFTLSILICONE DEL CIRCUITO INTEGRATO DEL MOS DIGITAL MONOLITICOTOSHIBA
1198199TC59S6404BFTLSILICONE DEL CIRCUITO INTEGRATO DEL MOS DIGITAL MONOLITICOTOSHIBA
1198200TC59S6404BFTL-104.194.304 parole x 4BANKS x 4 bit sincrono RAM dinamicaTOSHIBA
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