| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 248761 | BB-HJ333-C | Morbido arancione, montaggio superficiale lampeggiante Circuito integrato del LED lampada | Yellow Stone Corp |
| 248762 | BB-HK033-C | Super giallo, montaggio superficiale lampeggiante Circuito integrato del LED lampada | Yellow Stone Corp |
| 248763 | BB-HW133-C | Verde puro, montaggio superficiale lampeggiante Circuito integrato del LED lampada | Yellow Stone Corp |
| 248764 | BB-HX133-C | Hi-eff verde, a montaggio superficiale lampeggiante Circuito integrato del LED lampada | Yellow Stone Corp |
| 248765 | BB-HY033-C | Montaggio Giallo, superficie lampeggiante LED chip di lampada | Yellow Stone Corp |
| 248766 | BB0502X7R104M16VNT9820 | Driver Ottico Del Modulatore 9.9-11.2Gb/s | TriQuint Semiconductor |
| 248767 | BB1 | Transistore epitassiale del TRANSISTORE del su-circuito integrato del silicone COMPOUND del resistore NPN per la commutazione di metą di-velocitą | NEC |
| 248768 | BB101C | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248769 | BB101C | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
| 248770 | BB101C | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248771 | BB101M | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248772 | BB101M | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
| 248773 | BB101M | Transistors>Amplifiers/MOSFETs | Renesas |
| 248774 | BB102C | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248775 | BB102C | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
| 248776 | BB102M | Configurazione nell'influenzare l'amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC rf del FET del MOS del circuito | Hitachi Semiconductor |
| 248777 | BB102M | Amplificatore A FREQUENZA ULTRAELEVATA di IC Monolitico Controllato Diagonale Rf | Hitachi Semiconductor |
| 248778 | BB104 | Dioda pojemnosciowa (warikap) | Ultra CEMI |
| 248779 | BB104B | Dioda pojemnosciowa (warikap) | Ultra CEMI |
| 248780 | BB104G | Dioda pojemnosciowa (warikap) | Ultra CEMI |
| 248781 | BB105 | Diodi di segnalazione Planari Del Silicone | Iskra Semic |
| 248782 | BB105A | Warikap | Ultra CEMI |
| 248783 | BB105A | Dioda pojemnosciowa (warikap) | Ultra CEMI |
| 248784 | BB105AD | Dioda pojemnosciowa (warikap) | Ultra CEMI |
| 248785 | BB105B | Dioda pojemnosciowa (warikap) | Ultra CEMI |
| 248786 | BB105G | Dioda pojemnosciowa (warikap) | Ultra CEMI |
| 248787 | BB105G | Warikap | Ultra CEMI |
| 248788 | BB105GD | Dioda pojemnosciowa (warikap) | Ultra CEMI |
| 248789 | BB109 | Dioda pojemnosciowa (warikap) | Ultra CEMI |
| 248790 | BB1110B | RETI DEL TERMINALE DI DDR SDRAM. | BI Technologies |
| 248791 | BB1110TB | RETI DEL TERMINALE DI DDR SDRAM. | BI Technologies |
| 248792 | BB112 | Diodo Variabile Di Capacitą Del Silicone | Infineon |
| 248793 | BB112 | Diodo variabile di capacitą del silicone (per la gamma di sintonia specificata applicazioni di sintonia di 1 ¦ 8,0 V) | Siemens |
| 248794 | BB119 | Diodo variabile di capacitą | Philips |
| 248795 | BB130 | Diodo variabile di capacitą di | Philips |
| 248796 | BB131 | Diodo variabile di capacitą di VHF | Philips |
| 248797 | BB131 | Variabile VHF capacitą del diodo | NXP Semiconductors |
| 248798 | BB132 | Diodo variabile di capacitą di VHF | Philips |
| 248799 | BB132 | Diodo Variabile Di Capacitą di VHF | Leshan Radio Company |
| 248800 | BB133 | Diodo variabile di capacitą di VHF | Philips |
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