No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
249841 | BC308BU | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
249842 | BC308C | Amplificatore Transistors(PNP) | Motorola |
249843 | BC308C | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
249844 | BC308C | Silicone Di Transistors(PNP Dell'Amplificatore) | ON Semiconductor |
249845 | BC308CBU | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
249846 | BC308TA | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
249847 | BC308TAR | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
249848 | BC309 | Applicazioni dell'amplificatore e di commutazione | Fairchild Semiconductor |
249849 | BC309 | Transistore Per tutti gli usi | Korea Electronics (KEC) |
249850 | BC309 | Tranzystor malej czestotliwosci malej mocy | Ultra CEMI |
249851 | BC309 | TRANSISTORI EPITASSIALI PLANARI DEL SILICONE DI PNP | Micro Electronics |
249852 | BC309 | Transistor. Applicazioni di commutazione e amplificazione. Tensione collettore-base VCBO = -30V. Tensione collettore-emettitore Vceo = -25V. Emettitore-base Vebo = -5V. Dissipazione Collector Pc (max) = 500 mW. Corrente di collettore Ic = | USHA India LTD |
249853 | BC309A | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP | Fairchild Semiconductor |
249854 | BC309A | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP | Fairchild Semiconductor |
249855 | BC309A | Scopo 0.350W generale PNP Transistor plastica piombo. Vceo 25V, 0.100A Ic, 120-220 hFE | Continental Device India Limited |
249856 | BC309ABU | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
249857 | BC309ATA | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
249858 | BC309B | Amplificatore Transistors(PNP) | Motorola |
249859 | BC309B | Scopo 0.350W generale PNP Transistor plastica piombo. Vceo 25V, 0.100A Ic, 200-460 hFE | Continental Device India Limited |
249860 | BC309BBU | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
249861 | BC309BTA | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
249862 | BC309C | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP | Fairchild Semiconductor |
249863 | BC309C | TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI PNP | Fairchild Semiconductor |
249864 | BC309C | Scopo 0.350W generale PNP Transistor plastica piombo. Vceo 25V, 0.100A Ic, 420-800 hFE | Continental Device India Limited |
249865 | BC309CBU | Transistore Epitassiale Del Silicone di PNP | Fairchild Semiconductor |
249866 | BC313 | Tranzystor krzemowy sredniej mocy, malej czestotliwosci | Ultra CEMI |
249867 | BC313 | Tranzystor malej czestotliwosci malej mocy | Ultra CEMI |
249868 | BC317 | TRANSISTORE EPITASSIALE PLANARE DEL SILICONE DI NPN | Micro Electronics |
249869 | BC317 | Scopo 0.350W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 45V, 0.150A Ic, 110-450 hFE | Continental Device India Limited |
249870 | BC317A | Scopo 0.350W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 45V, 0.150A Ic, 110-220 hFE | Continental Device India Limited |
249871 | BC317B | Scopo 0.350W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 45V, 0.150A Ic, 200-450 hFE | Continental Device India Limited |
249872 | BC318 | TRANSISTORE EPITASSIALE PLANARE DEL SILICONE DI NPN | Micro Electronics |
249873 | BC319 | TRANSISTORE EPITASSIALE PLANARE DEL SILICONE DI NPN | Micro Electronics |
249874 | BC320 | TRANSISTORI EPITASSIALI PLANARI DEL SILICONE DI PNP | Micro Electronics |
249875 | BC3200 | Raddrizzatori Del Silicone-Ponticello | Diotec Elektronische |
249876 | BC321 | TRANSISTORI EPITASSIALI PLANARI DEL SILICONE DI PNP | Micro Electronics |
249877 | BC322 | TRANSISTORI EPITASSIALI PLANARI DEL SILICONE DI PNP | Micro Electronics |
249878 | BC327 | Transistore di uso generale di PNP | Philips |
249879 | BC327 | Applicazioni dell'amplificatore e di commutazione | Fairchild Semiconductor |
249880 | BC327 | Transistore Per tutti gli usi | Korea Electronics (KEC) |
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