| No. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 253641 | BCR108L3E6327 | Transistori di Digitale - R1 = kOhm 2.2; R2 = kOhm 47 | Infineon |
| 253642 | BCR108S | Allineamento del transistore di Digitale del silicone di NPN (circuito di commutazione, invertitore, circuito di interfaccia, circuito del driver) | Siemens |
| 253643 | BCR108S | Transistore Di Digitale Del Silicone di NPN | Infineon |
| 253644 | BCR108S E6327 | Transistori Incorporati Doppi di Af Del Resistore; 2xNPN; Tipi industriali di Standars, Icmax di 100mA; Vceo di 50V | Infineon |
| 253645 | BCR108SE6327 | Transistori di Digitale - R1 = kOhm 2.2; R2 = 47 kOhm SOT363 | Infineon |
| 253646 | BCR108T | Singoli AF-Transistori (complessi) digitali in pacchetto SC75 | Infineon |
| 253647 | BCR108TE6327 | Transistori Di Digitale - R1 = 2,2kOhm; R2 = 47kOhm | Infineon |
| 253648 | BCR108W | Transistore di Digitale del silicone di NPN (circuito di commutazione, invertitore, circuito di interfaccia, circuito del driver) | Siemens |
| 253649 | BCR108W | Singoli AF-Transistori (complessi) digitali in pacchetto SOT323 | Infineon |
| 253650 | BCR108WE6327 | Transistori di Digitale - kOhm R1=2.2; KOhm R2=47 | Infineon |
| 253651 | BCR10CM | TIPO Non-isolato USO MEDIO di ALIMENTAZIONE A SEMICONDUTTORE di MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANARE di PASSIVITŔ | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253652 | BCR10CM | Volt Amperes/400-600 Del Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253653 | BCR10CM-12 | Moduli Bipolari Integrati Del Transistore Del Cancello (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253654 | BCR10CM-12 | Volt Amperes/400-600 Del Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253655 | BCR10CM-12L | Volt Amperes/400-600 Del Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253656 | BCR10CM-8 | Moduli Bipolari Integrati Del Transistore Del Cancello (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253657 | BCR10CM-8 | Volt Amperes/400-600 Del Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253658 | BCR10CM-8L | Volt Amperes/400-600 Del Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253659 | BCR10CS | Moduli Bipolari Integrati Del Transistore Del Cancello (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253660 | BCR10CS | TIPO Non-isolato USO MEDIO di ALIMENTAZIONE A SEMICONDUTTORE di MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANARE di PASSIVITŔ | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253661 | BCR10CS | TIPO Non-isolato USO MEDIO di ALIMENTAZIONE, TIPO PLANARE di PASSIVITŔ | Powerex Power Semiconductors |
| 253662 | BCR10PM | Moduli Bipolari Integrati Del Transistore Del Cancello (IGBT): 250V | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253663 | BCR10PM | TIPO ISOLATO USO MEDIO DI ALIMENTAZIONE A SEMICONDUTTORE DI MITSUBISHI (TRIAC), TIPO PLANARE DI PASSIVITŔ | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253664 | BCR10PM | Volt Isolati Amperes/400-600 Del Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253665 | BCR10PM-12 | Volt Isolati Amperes/400-600 Del Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253666 | BCR10PM-12L | Volt Isolati Amperes/400-600 Del Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253667 | BCR10PM-8 | Volt Isolati Amperes/400-600 Del Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253668 | BCR10PM-8L | Volt Isolati Amperes/400-600 Del Triac 10 | Powerex Power Semiconductors |
| 253669 | BCR10PN | Transistori di Digitale - pacchetto SOT363 | Infineon |
| 253670 | BCR10PN | Allineamento di Digitale Tansistor del silicone di NPN/pnp (circuito di commutazione, invertitore, circuito di interfaccia, circuito di azionamento) | Siemens |
| 253671 | BCR10UM | TIPO ISOLATO USO MEDIO DI ALIMENTAZIONE A SEMICONDUTTORE DI MITSUBISHI (TRIAC), TIPO DI VETRO DI PASSIVITŔ | Mitsubishi Electric Corporation |
| 253672 | BCR112 | Transistori di Digitale - kOhm R1=4.7; KOhm R2=4.7 | Infineon |
| 253673 | BCR112 | Transistore di Digitale del silicone di NPN (circuito di commutazione, invertitore, circuito del inferface, circuito del driver) | Siemens |
| 253674 | BCR112F | Singoli (AF-Transistori digitali del resistore incorporato) in pacchetto Tsfp-3 | Infineon |
| 253675 | BCR112FE6327 | Transistori di Digitale - R1 = kOhm 4.7; R2 = kOhm 4.7 | Infineon |
| 253676 | BCR112L3 | Singoli (AF-Transistori digitali del resistore incorporato) in pacchetto Tslp-3 | Infineon |
| 253677 | BCR112L3E6327 | Transistori di Digitale - R1 = kOhm 4.7; R2 = kOhm 4.7 | Infineon |
| 253678 | BCR112T | Singoli AF-Transistori (complessi) digitali in pacchetto SC75 | Infineon |
| 253679 | BCR112TE6327 | Transistori di Digital - kOhm R1=4.7; KOhm R2=4.7 | Infineon |
| 253680 | BCR112U | Transistore Di Digitale Del Silicone di NPN | Infineon |
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