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No.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
460812N4104Dispositivo Bipolare di NPNSemeLAB
460822N4104Dispositivo Bipolare di NPNSemeLAB
460832N4113Dispositivo bipolare di NPN in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO3SemeLAB
460842N4113Dispositivo bipolare di NPN in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO3SemeLAB
460852N4114Dispositivo bipolare di NPN in un pacchetto ermeticamente sigillato del metallo TO3SemeLAB
460862N4117Amplificatore Di Uso generale Della N-Scanalatura JFETCalogic
460872N4117N-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
460882N4117Ultra-alta impedenza di ingresso a canale N JFETLinear Systems
460892N4117APerdita Ultra Bassa, N-Scanalatura JFETsVishay
460902N4117AAmplificatore Di Uso generale Della N-Scanalatura JFETCalogic
460912N4117AAmplificatore Ultra Alto Della N-Scanalatura JFET Di Impedenza Dell'InputLinear Systems
460922N4117AN-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
460932N4118Amplificatore Di Uso generale Della N-Scanalatura JFETCalogic
460942N4118N-scanalatura Ultraelevata JFET di IMPEDENZA dell'cInputLinear Systems
460952N4118N-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
460962N4118APerdita Ultra Bassa, N-Scanalatura JFETsVishay
460972N4118AAmplificatore Di Uso generale Della N-Scanalatura JFETCalogic
460982N4118AAmplificatore Ultra Alto Della N-Scanalatura JFET Di Impedenza Dell'InputLinear Systems
460992N4118AN-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation



461002N4119Amplificatore Di Uso generale Della N-Scanalatura JFETCalogic
461012N4119N-scanalatura Ultraelevata JFET di IMPEDENZA dell'cInputLinear Systems
461022N4119N-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
461032N4119APerdita Ultra Bassa, N-Scanalatura JFETsVishay
461042N4119AAmplificatore Di Uso generale Della N-Scanalatura JFETCalogic
461052N4119AAmplificatore Ultra Alto Della N-Scanalatura JFET Di Impedenza Dell'InputLinear Systems
461062N4119AN-Channel giunzione di silicio transistor ad effetto di campoInterFET Corporation
461072N4123Amplificatore Di Uso generale di NPNFairchild Semiconductor
461082N4123TRANSISTORE EPITASSIALE PLANARE DEL SILICONE DI NPNMicro Electronics
461092N4123Transistore Per tutti gli usi 625mW Del Silicone di NPNMicro Commercial Components
461102N4123Piccolo Uso generale Al piombo Del Transistore Del SegnaleCentral Semiconductor
461112N4123Silicone Per tutti gli usi Di Transistors(NPN)ON Semiconductor
461122N4123TRANSISTORE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPNSamsung Electronic
461132N4123Planar epitassiale passivato NPN transistor al silicio. 30V, 200mA.General Electric Solid State
461142N4123Ic = 200mA, Vce = transistor 1.0VMCC
461152N4123General purpose transistor. Collector-emitter voltage: Vceo = 30V. Collector-base voltage: Vcbo = 40V. Collector dissipation: Pc(max) = 625mW.USHA India LTD
461162N4123-DSilicone Per tutti gli usi Dei Transistori NPNON Semiconductor
461172N4123BUAmplificatore Di Uso generale di NPNFairchild Semiconductor
461182N4123RLRATransistor impieghi generali - NPNON Semiconductor
461192N4123RLRMTransistor impieghi generali - NPNON Semiconductor
461202N4123TAAmplificatore Di Uso generale di NPNFairchild Semiconductor
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