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Nr.Nome della parteDescrizioneFabbricatore
1901CSD401Y25.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 150V Vceo, 2.000A Ic, 120-240 hFE. CSB546Y complementareContinental Device India Limited
1902CSD471AScopo 0.800W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 1.000A Ic, 70-400 hFEContinental Device India Limited
1903CSD471AGScopo 0.800W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 1.000A Ic, 200-400 hFEContinental Device India Limited
1904CSD471AOScopo 0.800W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 1.000A Ic, 70-140 hFEContinental Device India Limited
1905CSD471AYScopo 0.800W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 1.000A Ic, 120-240 hFEContinental Device India Limited
1906CSD471GScopo 0.800W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 1.000A Ic, 200-400 hFEContinental Device India Limited
1907CSD471OScopo 0.800W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 1.000A Ic, 70-140 hFEContinental Device India Limited
1908CSD471YScopo 0.800W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 1.000A Ic, 120-240 hFEContinental Device India Limited
1909CSD5450.600W a bassa frequenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 25V, 1.000A Ic, 60-560 hFE.Continental Device India Limited
1910CSD545D0.600W a bassa frequenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 25V, 1.000A Ic, 60-120 hFE.Continental Device India Limited
1911CSD545E0.600W a bassa frequenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 25V, 1.000A Ic, 100-200 hFE.Continental Device India Limited
1912CSD545F0.600W a bassa frequenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 25V, 1.000A Ic, 160-320 hFE.Continental Device India Limited
1913CSD545G0.600W a bassa frequenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 25V, 1.000A Ic, 280-560 hFE.Continental Device India Limited
1914CSD6112.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 110V Vceo, 6.000A Ic, 2.000-20.000 hFE.Continental Device India Limited
1915CSD655TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPNContinental Device India Limited
1916CSD655TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPNContinental Device India Limited
1917CSD655DScopo 0.500W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 15V, 0.700A Ic, 250-500 hFEContinental Device India Limited
1918CSD655EScopo 0.500W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 15V, 0.700A Ic, 300 - 800 hFEContinental Device India Limited
1919CSD655FScopo 0.500W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 15V, 0.700A Ic, 600-1200 hFEContinental Device India Limited
1920CSD667Scopo 0.900W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 80V, 1.000A Ic, 60-320 hFEContinental Device India Limited
1921CSD667AScopo 0.900W generale NPN transistor di plastica piombo. 100V Vceo, 1.000A Ic, 60-200 hFEContinental Device India Limited
1922CSD667ABScopo 0.900W generale NPN transistor di plastica piombo. 100V Vceo, 1.000A Ic, 60-120 hFEContinental Device India Limited
1923CSD667ACScopo 0.900W generale NPN transistor di plastica piombo. 100V Vceo, 1.000A Ic, 100-200 hFEContinental Device India Limited
1924CSD667BScopo 0.900W generale NPN transistor di plastica piombo. 100V Vceo, 1.000A Ic, 60-120 hFEContinental Device India Limited
1925CSD667CScopo 0.900W generale NPN transistor di plastica piombo. 100V Vceo, 1.000A Ic, 100-200 hFEContinental Device India Limited
1926CSD667DScopo 0.900W generale NPN transistor di plastica piombo. 100V Vceo, 1.000A Ic, 160-320 hFEContinental Device India Limited
1927CSD66920.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 120V Vceo, 1.500A Ic, 60-320 hFE.Continental Device India Limited
1928CSD669A20.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 160V Vceo, 1.500A Ic, 60-200 hFE.Continental Device India Limited
1929CSD669AB20.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 160V Vceo, 1.500A Ic, 60-120 hFE.Continental Device India Limited



1930CSD669AC20.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 160V Vceo, 1.500A Ic, 100-200 hFE.Continental Device India Limited
1931CSD669B20.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 120V Vceo, 1.500A Ic, 60-120 hFE.Continental Device India Limited
1932CSD669C20.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 120V Vceo, 1.500A Ic, 100-200 hFE.Continental Device India Limited
1933CSD669D20.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 120V Vceo, 1.500A Ic, 160-320 hFE.Continental Device India Limited
1934CSD79410.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 45V, 3.000A Ic, 60-320 hFE. Complementare CSB744Continental Device India Limited
1935CSD794A10.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 60V, 3.000A Ic, 60-320 hFE. CSB744A complementareContinental Device India Limited
1936CSD794AO10.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 60V, 3.000A Ic, 100-200 hFE. CSB744AO complementareContinental Device India Limited
1937CSD794AR10.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 60V, 3.000A Ic, 60-120 hFE. CSB744AR complementareContinental Device India Limited
1938CSD794AY10.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 60V, 3.000A Ic, 160-320 hFE. CSB744AY complementareContinental Device India Limited
1939CSD794O10.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 45V, 3.000A Ic, 100-200 hFE. CSB744O complementareContinental Device India Limited
1940CSD794R10.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 45V, 3.000A Ic, 60-120 hFE. CSB744R complementareContinental Device India Limited
1941CSD794Y10.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 45V, 3.000A Ic, 160-320 hFE. CSB744Y complementareContinental Device India Limited
1942CSD81160.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 110V Vceo, 8.000A Ic, 1000 hFE.Continental Device India Limited
1943CSD88030.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 60V, 3.000A Ic, 60-300 hFE. Complementare CSB834Continental Device India Limited
1944CSD880GR30.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 60V, 3.000A Ic, 150-300 hFE. CSB834GR complementareContinental Device India Limited
1945CSD880O30.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 60V, 3.000A Ic, 60-120 hFE. CSB834O complementareContinental Device India Limited
1946CSD880Y30.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 60V, 3.000A Ic, 100-200 hFE. CSB834Y complementareContinental Device India Limited
1947CSD88210.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 3.000A Ic, 60-400 hFE. Complementare CSB772Continental Device India Limited
1948CSD882E10.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 3.000A Ic, 200-400 hFE. CSB772E complementareContinental Device India Limited
1949CSD882P10.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 3.000A Ic, 160-320 hFE. CSB772P complementareContinental Device India Limited
1950CSD882Q10.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 3.000A Ic, 100-200 hFE. CSB772Q complementareContinental Device India Limited

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