Nr. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
1901 | CSD401Y | 25.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 150V Vceo, 2.000A Ic, 120-240 hFE. CSB546Y complementare | Continental Device India Limited |
1902 | CSD471A | Scopo 0.800W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 1.000A Ic, 70-400 hFE | Continental Device India Limited |
1903 | CSD471AG | Scopo 0.800W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 1.000A Ic, 200-400 hFE | Continental Device India Limited |
1904 | CSD471AO | Scopo 0.800W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 1.000A Ic, 70-140 hFE | Continental Device India Limited |
1905 | CSD471AY | Scopo 0.800W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 1.000A Ic, 120-240 hFE | Continental Device India Limited |
1906 | CSD471G | Scopo 0.800W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 1.000A Ic, 200-400 hFE | Continental Device India Limited |
1907 | CSD471O | Scopo 0.800W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 1.000A Ic, 70-140 hFE | Continental Device India Limited |
1908 | CSD471Y | Scopo 0.800W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 1.000A Ic, 120-240 hFE | Continental Device India Limited |
1909 | CSD545 | 0.600W a bassa frequenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 25V, 1.000A Ic, 60-560 hFE. | Continental Device India Limited |
1910 | CSD545D | 0.600W a bassa frequenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 25V, 1.000A Ic, 60-120 hFE. | Continental Device India Limited |
1911 | CSD545E | 0.600W a bassa frequenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 25V, 1.000A Ic, 100-200 hFE. | Continental Device India Limited |
1912 | CSD545F | 0.600W a bassa frequenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 25V, 1.000A Ic, 160-320 hFE. | Continental Device India Limited |
1913 | CSD545G | 0.600W a bassa frequenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 25V, 1.000A Ic, 280-560 hFE. | Continental Device India Limited |
1914 | CSD611 | 2.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 110V Vceo, 6.000A Ic, 2.000-20.000 hFE. | Continental Device India Limited |
1915 | CSD655 | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Continental Device India Limited |
1916 | CSD655 | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DEL SILICONE DI NPN | Continental Device India Limited |
1917 | CSD655D | Scopo 0.500W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 15V, 0.700A Ic, 250-500 hFE | Continental Device India Limited |
1918 | CSD655E | Scopo 0.500W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 15V, 0.700A Ic, 300 - 800 hFE | Continental Device India Limited |
1919 | CSD655F | Scopo 0.500W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 15V, 0.700A Ic, 600-1200 hFE | Continental Device India Limited |
1920 | CSD667 | Scopo 0.900W generale NPN transistor di plastica piombo. Vceo 80V, 1.000A Ic, 60-320 hFE | Continental Device India Limited |
1921 | CSD667A | Scopo 0.900W generale NPN transistor di plastica piombo. 100V Vceo, 1.000A Ic, 60-200 hFE | Continental Device India Limited |
1922 | CSD667AB | Scopo 0.900W generale NPN transistor di plastica piombo. 100V Vceo, 1.000A Ic, 60-120 hFE | Continental Device India Limited |
1923 | CSD667AC | Scopo 0.900W generale NPN transistor di plastica piombo. 100V Vceo, 1.000A Ic, 100-200 hFE | Continental Device India Limited |
1924 | CSD667B | Scopo 0.900W generale NPN transistor di plastica piombo. 100V Vceo, 1.000A Ic, 60-120 hFE | Continental Device India Limited |
1925 | CSD667C | Scopo 0.900W generale NPN transistor di plastica piombo. 100V Vceo, 1.000A Ic, 100-200 hFE | Continental Device India Limited |
1926 | CSD667D | Scopo 0.900W generale NPN transistor di plastica piombo. 100V Vceo, 1.000A Ic, 160-320 hFE | Continental Device India Limited |
1927 | CSD669 | 20.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 120V Vceo, 1.500A Ic, 60-320 hFE. | Continental Device India Limited |
1928 | CSD669A | 20.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 160V Vceo, 1.500A Ic, 60-200 hFE. | Continental Device India Limited |
1929 | CSD669AB | 20.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 160V Vceo, 1.500A Ic, 60-120 hFE. | Continental Device India Limited |
1930 | CSD669AC | 20.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 160V Vceo, 1.500A Ic, 100-200 hFE. | Continental Device India Limited |
1931 | CSD669B | 20.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 120V Vceo, 1.500A Ic, 60-120 hFE. | Continental Device India Limited |
1932 | CSD669C | 20.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 120V Vceo, 1.500A Ic, 100-200 hFE. | Continental Device India Limited |
1933 | CSD669D | 20.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 120V Vceo, 1.500A Ic, 160-320 hFE. | Continental Device India Limited |
1934 | CSD794 | 10.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 45V, 3.000A Ic, 60-320 hFE. Complementare CSB744 | Continental Device India Limited |
1935 | CSD794A | 10.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 60V, 3.000A Ic, 60-320 hFE. CSB744A complementare | Continental Device India Limited |
1936 | CSD794AO | 10.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 60V, 3.000A Ic, 100-200 hFE. CSB744AO complementare | Continental Device India Limited |
1937 | CSD794AR | 10.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 60V, 3.000A Ic, 60-120 hFE. CSB744AR complementare | Continental Device India Limited |
1938 | CSD794AY | 10.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 60V, 3.000A Ic, 160-320 hFE. CSB744AY complementare | Continental Device India Limited |
1939 | CSD794O | 10.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 45V, 3.000A Ic, 100-200 hFE. CSB744O complementare | Continental Device India Limited |
1940 | CSD794R | 10.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 45V, 3.000A Ic, 60-120 hFE. CSB744R complementare | Continental Device India Limited |
1941 | CSD794Y | 10.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 45V, 3.000A Ic, 160-320 hFE. CSB744Y complementare | Continental Device India Limited |
1942 | CSD811 | 60.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. 110V Vceo, 8.000A Ic, 1000 hFE. | Continental Device India Limited |
1943 | CSD880 | 30.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 60V, 3.000A Ic, 60-300 hFE. Complementare CSB834 | Continental Device India Limited |
1944 | CSD880GR | 30.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 60V, 3.000A Ic, 150-300 hFE. CSB834GR complementare | Continental Device India Limited |
1945 | CSD880O | 30.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 60V, 3.000A Ic, 60-120 hFE. CSB834O complementare | Continental Device India Limited |
1946 | CSD880Y | 30.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 60V, 3.000A Ic, 100-200 hFE. CSB834Y complementare | Continental Device India Limited |
1947 | CSD882 | 10.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 3.000A Ic, 60-400 hFE. Complementare CSB772 | Continental Device India Limited |
1948 | CSD882E | 10.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 3.000A Ic, 200-400 hFE. CSB772E complementare | Continental Device India Limited |
1949 | CSD882P | 10.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 3.000A Ic, 160-320 hFE. CSB772P complementare | Continental Device India Limited |
1950 | CSD882Q | 10.000W media potenza NPN transistor di plastica piombo. Vceo 30V, 3.000A Ic, 100-200 hFE. CSB772Q complementare | Continental Device India Limited |
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