| Nr. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
| 1 | 13003BR | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DI NPN | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 2 | 13003BR | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DI NPN | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 3 | 2SB857 | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DI PNP | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 4 | A1015 | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DI PNP | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 5 | B772 | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DI PNP | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 6 | C1815 | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DI NPN | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 7 | DB3 | DIODI DI INNESCO | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 8 | H02N60 | Transistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 9 | H02N60E | Transistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 10 | H02N60F | Transistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 11 | H02N60I | Transistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 12 | H02N60J | Transistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 13 | H06N60 | Transistore Di Effetto Di Campo Di Alimentazione Della N-Scanalatura | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 14 | H1084-3.3E | STABILIZZATORE DI TENSIONE POSITIVO DI INTERRUZIONE PROCEDURA BASSA DI Ä | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 15 | H1084-3.3U | STABILIZZATORE DI TENSIONE POSITIVO DI INTERRUZIONE PROCEDURA BASSA DI Ä | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 16 | H1084E | STABILIZZATORE DI TENSIONE POSITIVO DI INTERRUZIONE PROCEDURA BASSA DI Ä | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 17 | H1084U | STABILIZZATORE DI TENSIONE POSITIVO DI INTERRUZIONE PROCEDURA BASSA DI Ä | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 18 | H1085-3.3E | 3.3V 3A a basso dropout regolatore di tensione positiva | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 19 | H1085-3.3J | STABILIZZATORE DI TENSIONE POSITIVO DI INTERRUZIONE PROCEDURA BASSA DI Á | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 20 | H1085-3.3U | STABILIZZATORE DI TENSIONE POSITIVO DI INTERRUZIONE PROCEDURA BASSA DI Á | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 21 | H1085E | 1.3-4V 3A a basso dropout regolatore di tensione positiva | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 22 | H1085J | STABILIZZATORE DI TENSIONE POSITIVO DI INTERRUZIONE PROCEDURA BASSA DI Á | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 23 | H1085U | STABILIZZATORE DI TENSIONE POSITIVO DI INTERRUZIONE PROCEDURA BASSA DI Á | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 24 | H1117-3.3E | STABILIZZATORE DI TENSIONE POSITIVO DI INTERRUZIONE PROCEDURA BASSA DI ÇA | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 25 | H1117-3.3J | STABILIZZATORE DI TENSIONE POSITIVO DI INTERRUZIONE PROCEDURA BASSA DI ÇA | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 26 | H1117E | STABILIZZATORE DI TENSIONE POSITIVO DI INTERRUZIONE PROCEDURA BASSA DI ÇA | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 27 | H1117EADJ | STABILIZZATORE DI TENSIONE POSITIVO DI INTERRUZIONE PROCEDURA BASSA DI ÇA | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 28 | H1117EADJ | STABILIZZATORE DI TENSIONE POSITIVO DI INTERRUZIONE PROCEDURA BASSA DI ÇA | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 29 | H1117J | STABILIZZATORE DI TENSIONE POSITIVO DI INTERRUZIONE PROCEDURA BASSA DI ÇA | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 30 | H1117JADJ | STABILIZZATORE DI TENSIONE POSITIVO DI INTERRUZIONE PROCEDURA BASSA DI ÇA | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 31 | H1117JADJ | STABILIZZATORE DI TENSIONE POSITIVO DI INTERRUZIONE PROCEDURA BASSA DI ÇA | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 32 | H1563P | CONVERTITORE di DC/dc High-efficiency | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 33 | H1563S | CONVERTITORE di DC/dc High-efficiency | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 34 | H1N4001 | Raddrizzatori Per tutti gli usi | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 35 | H1N4002 | Raddrizzatori Per tutti gli usi | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 36 | H1N4004 | Raddrizzatori Per tutti gli usi | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 37 | H1N4007 | Raddrizzatori Per tutti gli usi | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 38 | H1N4148 | 75V diodo di commutazione ad alta velocità | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 39 | H1N5817 | RADDRIZZATORI DELLA BARRIERA 1.0amp.schottky | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 40 | H1N5818 | RADDRIZZATORI DELLA BARRIERA 1.0amp.schottky | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 41 | H1N5819 | RADDRIZZATORI DELLA BARRIERA 1.0amp.schottky | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 42 | H1N5820 | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DI PNP | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 43 | H1N5821 | 30V 3.0Amp Schottky barriera raddrizzatore | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 44 | H1N5822 | 40V 3.0Amp Schottky barriera raddrizzatore | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 45 | H2584 | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DI PNP | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 46 | H2585 | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DI PNP | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 47 | H2N3417 | TRANSISTORE DEL SILICONE DI NPN | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 48 | H2N3904 | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DI PNP | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 49 | H2N3906 | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DI PNP | Hi-Sincerity Microelectronics |
| 50 | H2N4124 | TRANSISTORE PLANARE EPITASSIALE DI NPN | Hi-Sincerity Microelectronics |
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