Nr. | Nome della parte | Descrizione | Fabbricatore |
63701 | STFW3N170 | N-channel 1700 V, 8 Ohm tip., 2.3 A, PowerMESH (TM) MOSFET di potenza in package TO-3PF | ST Microelectronics |
63702 | STFW4N150 | N-channel 1500 V, 5 Ohm, 4 A, PowerMESH (TM) MOSFET di potenza in TO-3PF | ST Microelectronics |
63703 | STFW69N65M5 | N-channel 650 V, 0.037 Ohm, 58 A MDmesh (TM) V MOSFET di potenza in package TO-3PF | ST Microelectronics |
63704 | STFW6N120K3 | N-channel 1200 V, 1,95 Ohm, 6 A Zener protetto SuperMESH3 (TM) MOSFET di potenza in package TO-3PF | ST Microelectronics |
63705 | STG3000X | ACCELERATORE DI MULTIMEDIA DI 128-bit 3CD | ST Microelectronics |
63706 | STG3005A2S | ACCELERATORE DI MULTIMEDIA DI 128-bit 3CD | ST Microelectronics |
63707 | STG3157 | LA BASSA TENSIONE BASSA SULL'CInterruttore DI RESISTENZA SPDT CON LA ROTTURA PRIMA FA LA CARATTERISTICA | ST Microelectronics |
63708 | STG3157CTR | LA BASSA TENSIONE BASSA SULL'CInterruttore DI RESISTENZA SPDT CON LA ROTTURA PRIMA FA LA CARATTERISTICA | ST Microelectronics |
63709 | STG3220 | Bassa tensione ad alta larghezza di banda doppia SPDT | ST Microelectronics |
63710 | STG3220QTR | Bassa tensione ad alta larghezza di banda doppia SPDT | ST Microelectronics |
63711 | STG3482 | Low Voltage doppio SP4T Interruttore con break-before-Make Feat. | ST Microelectronics |
63712 | STG3482QTR | Low Voltage doppio SP4T Interruttore con break-before-Make Feat. | ST Microelectronics |
63713 | STG3680 | IL BASSO INTERRUTTORE DOPPIO MASSIMO DI TENSIONE ÖHM SPDT CON LA ROTTURA PRIMA FA LA CARATTERISTICA | ST Microelectronics |
63714 | STG3680QTR | IL BASSO INTERRUTTORE DOPPIO MASSIMO DI TENSIONE ÖHM SPDT CON LA ROTTURA PRIMA FA LA CARATTERISTICA | ST Microelectronics |
63715 | STG3682 | Bassa tensione ad alta larghezza di banda doppia SPDT | ST Microelectronics |
63716 | STG3682QTR | Bassa tensione ad alta larghezza di banda doppia SPDT | ST Microelectronics |
63717 | STG3684 | LA BASSA TENSIONE INTERRUTTORE DOPPIO MASSIMO DI SPD DI 0,5 OHM CON LA ROTTURA PRIMA FA LA CARATTERISTICA | ST Microelectronics |
63718 | STG3684A | Bassa Tensione sensore 0.5 Ohm Max doppio SPDT con break-before-make Feat | ST Microelectronics |
63719 | STG3684AUTR | Bassa Tensione sensore 0.5 Ohm Max doppio SPDT con break-before-make Feat | ST Microelectronics |
63720 | STG3684QTR | LA BASSA TENSIONE INTERRUTTORE DOPPIO MASSIMO DI SPD DI 0,5 OHM CON LA ROTTURA PRIMA FA LA CARATTERISTICA | ST Microelectronics |
63721 | STG3685 | LA BASSA TENSIONE UN INTERRUTTORE DOPPIO MASSIMO DA 0,5 OHM SPDT, SINGOLO PERMETTE CON LA ROTTURA PRIMA FA LA CARATTERISTICA | ST Microelectronics |
63722 | STG3685BJR | LA BASSA TENSIONE UN INTERRUTTORE DOPPIO MASSIMO DA 0,5 OHM SPDT, SINGOLO PERMETTE CON LA ROTTURA PRIMA FA LA CARATTERISTICA | ST Microelectronics |
63723 | STG3690 | IL BASSO INTERRUTTORE MASSIMO DEL QUAD SPDT DI TENSIONE ÖHM CON LA ROTTURA PRIMA FA LA CARATTERISTICA | ST Microelectronics |
63724 | STG3690QTR | IL BASSO INTERRUTTORE MASSIMO DEL QUAD SPDT DI TENSIONE ÖHM CON LA ROTTURA PRIMA FA LA CARATTERISTICA | ST Microelectronics |
63725 | STG3690TTR | IL BASSO INTERRUTTORE MASSIMO DEL QUAD SPDT DI TENSIONE5OHM CON LA ROTTURA PRIMA FA LA CARATTERISTICA | ST Microelectronics |
63726 | STG3690TTR | IL BASSO INTERRUTTORE MASSIMO DEL QUAD SPDT DI TENSIONE5OHM CON LA ROTTURA PRIMA FA LA CARATTERISTICA | ST Microelectronics |
63727 | STG3692 | Bassa Tensione alta larghezza di banda Quad SPDT | ST Microelectronics |
63728 | STG3692QTR | Bassa Tensione alta larghezza di banda Quad SPDT | ST Microelectronics |
63729 | STG3693 | Low Voltage High Bandwidth Quad SPDT | ST Microelectronics |
63730 | STG3693QTR | Low Voltage High Bandwidth Quad SPDT | ST Microelectronics |
63731 | STG3696E | Bassa tensione doppio interruttore SPDT per la commutazione del segnale USB / audio | ST Microelectronics |
63732 | STG3696EQTR | Bassa tensione doppio interruttore SPDT per la commutazione del segnale USB / audio | ST Microelectronics |
63733 | STG3699 | LA BASSA TENSIONE INTERRUTTORE MASSIMO DI SPD DEL QUAD DA 0,5 OHM CON LA ROTTURA PRIMA FA LA CARATTERISTICA | ST Microelectronics |
63734 | STG3699A | BASSA TENSIONE 0.5? L'INTERRUTTORE MASSIMO DEL QUAD SPDT CON LA ROTTURA PRIMA FA LA CARATTERISTICA | ST Microelectronics |
63735 | STG3699A | BASSA TENSIONE 0.5? L'INTERRUTTORE MASSIMO DEL QUAD SPDT CON LA ROTTURA PRIMA FA LA CARATTERISTICA | ST Microelectronics |
63736 | STG3699AQTR | LA BASSA TENSIONE INTERRUTTORE MASSIMO DEL QUAD SPDT DA 0,5 OHM CON LA ROTTURA PRIMA FA LA CARATTERISTICA | ST Microelectronics |
63737 | STG3699B | Bassa tensione 0,5 Î © max, interruttore SPDT quad con funzione di break-before-make | ST Microelectronics |
63738 | STG3699BVTR | Bassa tensione 0,5 Î © max, interruttore SPDT quad con funzione di break-before-make | ST Microelectronics |
63739 | STG3699QTR | LA BASSA TENSIONE INTERRUTTORE MASSIMO DI SPD DEL QUAD DA 0,5 OHM CON LA ROTTURA PRIMA FA LA CARATTERISTICA | ST Microelectronics |
63740 | STG3699TTR | LA BASSA TENSIONE INTERRUTTORE MASSIMO DI SPD DEL QUAD DA 0,5 OHM CON LA ROTTURA PRIMA FA LA CARATTERISTICA | ST Microelectronics |
63741 | STG3820 | Bassa tensione ad alta larghezza di banda interruttore quad DPDT | ST Microelectronics |
63742 | STG3820BJR | Bassa tensione ad alta larghezza di banda interruttore quad DPDT | ST Microelectronics |
63743 | STG3856 | Bassa tensione 1.0i © max interruttore dual SP3T con funzione di break-before-make | ST Microelectronics |
63744 | STG3856QTR | Bassa tensione 1.0i © max interruttore dual SP3T con funzione di break-before-make | ST Microelectronics |
63745 | STG4158 | Bassa tensione 0,6 Î © tip interruttore SPDT singola con funzione e 15 kV protezione ESD break-before-make | ST Microelectronics |
63746 | STG4158BJR | Bassa tensione 0,6 Î © tip interruttore SPDT singola con funzione e 15 kV protezione ESD break-before-make | ST Microelectronics |
63747 | STG4159 | Bassa tensione Interruttore 0,3 Ohm Max singolo SPDT con break-before-make Feature e 10kV Contact Protezione ESD | ST Microelectronics |
63748 | STG4159BJR | Bassa tensione Interruttore 0,3 Ohm Max singolo SPDT con break-before-make Feature e 10kV Contact Protezione ESD | ST Microelectronics |
63749 | STG4160 | Bassa tensione 0,5 Ohm interruttore SPDT singola con funzione break-before-make e 15 kV protezione ESD | ST Microelectronics |
63750 | STG4160BJR | Bassa tensione 0,5 Ohm interruttore SPDT singola con funzione break-before-make e 15 kV protezione ESD | ST Microelectronics |
63751 | STG4260 | Bassa tensione 0,5 Î © doppio interruttore SPDT con funzione di break-before-make e 15 kV protezione ESD | ST Microelectronics |
63752 | STG4260BJR | Bassa tensione 0,5 Î © doppio interruttore SPDT con funzione di break-before-make e 15 kV protezione ESD | ST Microelectronics |
63753 | STG5123 | Bassa tensione 1 Î © interruttore SPDT singola con funzione break-before-make | ST Microelectronics |
63754 | STG5123DTR | Bassa tensione 1 Î © interruttore SPDT singola con funzione break-before-make | ST Microelectronics |
63755 | STG5223 | Bassa tensione 0,5 Î © doppio interruttore SPDT con break-before-make | ST Microelectronics |
63756 | STG5223QTR | Bassa tensione 0,5 Î © doppio interruttore SPDT con break-before-make | ST Microelectronics |
63757 | STG5678 | Bassa tensione doppio interruttore SPDT con capacità di guida negativo | ST Microelectronics |
63758 | STG5678BJR | Bassa tensione doppio interruttore SPDT con capacità di guida negativo | ST Microelectronics |
63759 | STG5678CJR | Bassa tensione doppio interruttore SPDT con capacità di guida negativo | ST Microelectronics |
63760 | STG5682 | Bassa tensione doppio interruttore SPDT con capacità di guida negativo | ST Microelectronics |
63761 | STG5682QTR | Bassa tensione doppio interruttore SPDT con capacità di guida negativo | ST Microelectronics |
63762 | STG719 | INTERRUTTORE DI BASSA TENSIONE ÔHM SPDT | ST Microelectronics |
63763 | STG719CTR | INTERRUTTORE DI BASSA TENSIONE ÔHM SPDT | ST Microelectronics |
63764 | STG719FTR | INTERRUTTORE DI BASSA TENSIONE 4OHM SPDT | ST Microelectronics |
63765 | STG719FTR | INTERRUTTORE DI BASSA TENSIONE 4OHM SPDT | ST Microelectronics |
63766 | STG719STR | INTERRUTTORE DI BASSA TENSIONE ÔHM SPDT | ST Microelectronics |
63767 | STGAP1S | gapDRIVE: isolato galvanicamente conducente sola porta | ST Microelectronics |
63768 | STGAP1STR | gapDRIVE: isolato galvanicamente conducente sola porta | ST Microelectronics |
63769 | STGB10H60DF | Cancello Trench campo-stop IGBT, serie H 600 V, 10 A ad alta velocità | ST Microelectronics |
63770 | STGB10NB37LZ | La N-scanalatura HA PREMUTO 10A - D2PAK POWERMESH INTERNAMENTE PREMUTO IGBT | ST Microelectronics |
63771 | STGB10NB37LZT4 | La N-scanalatura HA PREMUTO 10A - D2PAK POWERMESH INTERNAMENTE PREMUTO IGBT | ST Microelectronics |
63772 | STGB10NB40LZ | La N-scanalatura HA PREMUTO 20A D2PAK POWERMESH INTERNAMENTE PREMUTO IGBT | ST Microelectronics |
63773 | STGB10NB40LZT4 | La N-scanalatura HA PREMUTO 20A D2PAK POWERMESH INTERNAMENTE PREMUTO IGBT | ST Microelectronics |
63774 | STGB10NB60S | N-scanalatura 10A 600V To-220/tp-220fp/dpak PowerMESH"IGBT | ST Microelectronics |
63775 | STGB10NB60ST4 | N-scanalatura 10A 600V To-220/tp-220fp/dpak PowerMESH"IGBT | ST Microelectronics |
63776 | STGB10NC60HD | Molto veloce della serie "H" | ST Microelectronics |
63777 | STGB10NC60HDT4 | Molto veloce della serie "H" | ST Microelectronics |
63778 | STGB10NC60KD | 10 A, 600 V corto circuito IGBT robusto | ST Microelectronics |
63779 | STGB10NC60KDT4 | 10 A, 600 V corto circuito IGBT robusto | ST Microelectronics |
63780 | STGB12NB60KD | N-scanalatura 1Å - PROVA POWERMESH IGBT del CIRCUITO CORTO Di 600V To-220/d2pak | ST Microelectronics |
63781 | STGB12NB60KDT4 | N-scanalatura 1Å - PROVA POWERMESH IGBT del CIRCUITO CORTO Di 600V To-220/d2pak | ST Microelectronics |
63782 | STGB14NC60KD | 14 A, 600 V corto circuito IGBT robusto | ST Microelectronics |
63783 | STGB14NC60KDT4 | 14 A, 600 V corto circuito IGBT robusto | ST Microelectronics |
63784 | STGB15H60DF | Cancello Trench campo-stop IGBT, serie H 600 V, 15 A ad alta velocità | ST Microelectronics |
63785 | STGB18N40LZ | EAS 180 mJ - 390 V - IGBT bloccato internamente | ST Microelectronics |
63786 | STGB18N40LZ-1 | EAS 180 mJ - 390 V - IGBT bloccato internamente | ST Microelectronics |
63787 | STGB18N40LZT4 | EAS 180 mJ - 390 V - IGBT bloccato internamente | ST Microelectronics |
63788 | STGB19NC60H | 19 A - 600 V - IGBT molto veloce | ST Microelectronics |
63789 | STGB19NC60HD | 19 A, 600 V, IGBT molto veloce con ultraveloce diodo | ST Microelectronics |
63790 | STGB19NC60HDT4 | 19 A, 600 V, IGBT molto veloce con ultraveloce diodo | ST Microelectronics |
63791 | STGB19NC60HT4 | 19 A - 600 V - IGBT molto veloce | ST Microelectronics |
63792 | STGB19NC60KD | corto circuito IGBT robusto | ST Microelectronics |
63793 | STGB19NC60KDT4 | corto circuito IGBT robusto | ST Microelectronics |
63794 | STGB20H60DF | 600 V, 20 A ad alta velocità cancello trench campo-stop IGBT | ST Microelectronics |
63795 | STGB20N40LZ | Automotive-grade 390 V bloccato internamente IGBT ESCIS 300 mJ | ST Microelectronics |
63796 | STGB20NB32LZ | La N-scanalatura HA PREMUTO 20A - D2PAK/i2pak POWERMESH INTERNAMENTE PREMUTO IGBT | ST Microelectronics |
63797 | STGB20NB32LZ-1 | La N-scanalatura HA PREMUTO 20A - D2PAK/i2pak POWERMESH INTERNAMENTE PREMUTO IGBT | ST Microelectronics |
63798 | STGB20NB32LZT4 | La N-scanalatura HA PREMUTO 20A - D2PAK/i2pak POWERMESH INTERNAMENTE PREMUTO IGBT | ST Microelectronics |
63799 | STGB20NB37LZ | La N-scanalatura HA PREMUTO 20A - D2PAK POWERMESH INTERNAMENTE PREMUTO IGBT | ST Microelectronics |
63800 | STGB20NB37LZT4 | La N-scanalatura HA PREMUTO 20A - D2PAK POWERMESH INTERNAMENTE PREMUTO IGBT | ST Microelectronics |
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